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公开(公告)号：CN113903693B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202111193801.0
申请日：2021-10-13
Applicant: 中环领先半导体科技股份有限公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了无接触式无腊晶圆下片机，包括支撑架、转台、旋转吸盘和倾角驱动气缸，所述支撑架内侧设有取放台，所述靠近取放台的一侧停靠有负载小车，所述负载小车上设有放置槽，所述放置槽上分放置有陶瓷盘，所述取放台一侧的支撑架固定安装有淋喷头，所述取放台上表面固定连接滑槽，所述滑槽内侧滑动连接限位吸盘底部周侧，所述滑槽两侧的取放台上表面固定安装有第一阻停气缸和电动轮毂，所述支撑架内侧板上表面铰接连接远离取放台一侧的倾斜台底部，通过用淋喷头冲晶圆片，在下坡道滑动，避免操作员使用下片铲将晶圆片从抛光陶瓷盘凹槽中翘起取出动作，同时操作员抓取晶圆片取放动作，降低晶圆片插入片盒载具槽中划伤风险。
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公开(公告)号：CN119725076A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411661597.4
申请日：2024-11-20
Applicant: 中环领先半导体科技股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种硅片预清洗处理工艺，步骤包括：先去除硅片表面蜡剂；再对硅片进行药液清洗，且在药液清洗中，依次经不同浓度比的药液进行清洗硅片。本申请一种硅片预清洗处理工艺，本工艺针对直径为200mm且厚度为500‑1000um的晶圆片的清洗，不仅可降低硅片表面粗糙度，并使硅片表面粗糙度不大于1.25A,提高硅片质量；而且还可延长清洗过程中的纯水以及所用药液的使用时间，降低清洗成本。
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公开(公告)号：CN119387212A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411614587.5
申请日：2024-11-12
Applicant: 中环领先半导体科技股份有限公司
Abstract: 本申请提供了碳化硅片及清洗方法。碳化硅片的清洗方法包括如下步骤：对碳化硅片进行第一次冲洗处理，以分解碳化硅片表面的至少部分污染物；采用清洁件刷洗碳化硅片，以使污染物脱离碳化硅片；对碳化硅片进行第二次冲洗处理，以分解去除碳化硅片表面剩余的至少部分污染物。本申请提供的碳化硅片的清洗方法通过将冲洗处理与刷洗处理相结合的工艺步骤，在有效分解和吸附碳化硅片表面有机残留物、金属等污染物的同时，更有效地去除碳化硅片表面的颗粒，提升了碳化硅片清洗工艺的整体效率。
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公开(公告)号：CN119347639A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411809129.7
申请日：2024-12-10
Applicant: 中环领先半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种研磨机流砂管连接方法，流砂管呈倾斜式连接，一端与上盘流砂槽连接，另外一端与上磨盘连接，所述流砂管与所述上盘流砂槽的连接端朝向所述上盘流砂槽的旋转方向倾斜。本发明的有益效果是解决了流砂管连接不合理导致研磨过程中砂浆在盘内分布不均的问题，减少了硅片的暗裂以及表面蹭伤，改善了硅片研磨的TTV参数，提升了硅片的研磨效果，保证了产品的质量。
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公开(公告)号：CN119275172A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411388220.6
申请日：2024-09-30
Applicant: 中环领先半导体科技股份有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/02
Abstract: 本申请提供一种外延片及其制备方法，制备方法包括：向外延反应腔通入第一氢气和氯化氢气体，对外延反应腔的内壁和基座的表面进行刻蚀，第一氢气具有第一流量Q1L/min；结束氯化氢气体的通入，进行第一次降温，保持第一氢气的流量为第一流量Q1L/min，同时向外延反应腔通入气态三氯氢硅，在基座表面沉积本征硅层；结束气态三氯氢硅的通入，调节第一氢气的流量为第二流量Q2L/min，进行第二次降温；将衬底置于外延反应腔，进行升温，在衬底表面生长外延层；其中，Q1＜Q2。该制备方法缩短了整体工艺时间，同时使晶片的正面颗粒及硅堆叠状况均达到理想状态，在提升制备效率的同时保障了外延片的质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119119726A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411388255.X
申请日：2024-09-30
Applicant: 中环领先(徐州)半导体材料有限公司 , 中环领先半导体科技股份有限公司
Inventor： 祝斌
Abstract: 本发明提供了复合材料及其制备方法、内衬及其制备方法。复合材料适用于硅片抛光机夹具的内衬材料，基于复合材料的总质量，复合材料包括：50％～60％的基体；40％～50％的增强剂；0～2％的添加剂，基体为聚酰胺，增强剂为玻璃纤维，玻璃纤维为丝状，玻璃纤维的纤维直径为D，且满足为5微米≤D≤25微米。聚酰胺为复合材料提供优异的拉伸强度、弯曲强度以及刚性，玻璃纤维进一步加强复合材料的机械强度，进而保证复合材料良好的机械性能，以满足硅片抛光机夹具对内衬的硬度和耐磨性的要求，有效提高抛光后硅片的几何参数控制能力，降低同批次硅片的表面平坦度差异，提高抛光效率，降低成本。
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公开(公告)号：CN118996610A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411132989.1
申请日：2024-08-16
Applicant: 内蒙古中环领先半导体材料有限公司 , 中环领先半导体科技股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种晶体及制备方法，晶体制备方法包括：提供籽晶，将籽晶置于横向磁场单晶炉内，对籽晶进行引晶处理；获取引晶处理结束时的初始拉速，进行放肩处理，加热，直至形成晶体；其中，根据初始拉速，对放肩处理中的拉速和加热的功率进行补偿，以使晶体的肩型生长为目标肩型；目标肩型具有沿第一方向的第一长度L mm，满足：190≤L≤220。本申请提供的制备方法根据引晶工艺结束时的拉速对放肩处理中的拉速和加热功率进行调节，对放肩过程中晶体的生长进行干预，避免放肩肩型锥度过大或出现锥肩，从而适当减小晶体边缘产生的应力，降低断线率，提高晶体整体形貌和质量。
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公开(公告)号：CN118849233A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411281512.X
申请日：2024-09-12
Applicant: 中环领先半导体科技股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种晶棒切割方法及晶棒切割系统，属于硅片制造技术领域，该晶棒切割方法包括控制晶棒相对于切割线以第一进给速度匀速运动，并切割晶棒的第一部分；控制晶棒相对于切割线变速运动，以将进给速度提升至第二进给速度，并同时切割晶棒的第二部分；以第二进给速度控制晶棒相对于切割线匀速运动，并切割晶棒的第三部分；控制晶棒相对于切割线变速运动，以将进给速度降低至第一进给速度，并同时切割晶棒的第四部分。本申请通过使用较高的进给速度来切割第三部分以提高对晶棒的切割效率，从而缩短整个晶棒切割的时间，同时，本申请使用较低的进给速度来切割晶棒的第一部分以保障入刀时的稳定性，避免在入刀时产生偏移，从而保证硅片的质量。
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公开(公告)号：CN118685853A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410868544.3
申请日：2024-06-28
Applicant: 内蒙古中环领先半导体材料有限公司 , 中环领先半导体科技股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种硅单晶中心氧含量控制方法及控制系统，属于半导体技术领域，在本申请的控制方法中，包括：获取横向磁场下生长硅单晶的参数，参数包括：坩埚底部氧含量、坩埚壁所产生的氧含量、气液二相挥发氧含量、中心对流与边缘对流交汇处的熔体流速，中心对流为坩埚内部中心处的熔体对流，边缘对流为坩埚内部靠近坩埚壁的熔体对流；根据参数，调整硅单晶中心氧含量。通过获取坩埚底部氧含量、坩埚壁所产生的氧含量、气液二相挥发氧含量以及熔体流速四个参数，以对氧的生成、传输及交换进行分析，更准确地分析出硅熔体中的氧在传输过程中的变化趋势，以提升制备硅单晶的产品质量。
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公开(公告)号：CN117468089B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202311347155.8
申请日：2023-10-17
Applicant: 中环领先半导体科技股份有限公司
IPC: C30B29/06 , C30B33/08 , C30B33/04 , H01L21/306 , H01L21/263
Abstract: 本申请公开了一种硅片、处理方法和硅片的制备方法。本申请的硅片具有硅衬底，硅衬底表面具有粗糙层，粗糙层的表面粗糙度Ra≥0.7μm。本申请的硅片通过以下方法制备：在硅衬底的至少一面形成粗糙层。本申请制备的硅片经过表面处理，显著增大硅片表面粗糙度，经过表面处理的硅片可在DDG工序使用，避免打滑现象。
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