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公开(公告)号：CN118979305A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411179472.8
申请日：2022-10-27
申请人： 中环领先(徐州)半导体材料有限公司 , 中环领先半导体科技股份有限公司
发明人： 陈俊宏
摘要： 本发明公开了一种单晶硅生长炉及其控制方法，单晶硅生长炉包括第一壳体、第二壳体、坩埚组件、加热组件、保温组件、第一驱动机构、晶体提拉机构和保护气连接管，第一壳体具有晶体生长室、拉晶室和隔离室，第二壳体罩设于第一壳体外，且与第一壳体之间形成安装腔，加热组件设于安装腔，保温组件设于安装腔且罩设于加热组件外，第一驱动机构设在第一壳体的底部以支撑和驱动第一壳体相对第二壳体转动，第一驱动机构上形成有排气孔，晶体提拉机构固设于隔离室内且适于跟随第一壳体同步转动，保护气连接管穿设于隔离室且连通至拉晶室。根据本发明实施例的单晶硅生长炉，可以延长加热组件的使用寿命，且便于简化单晶硅生长炉顶部结构的复杂度。
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公开(公告)号：CN118854447A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410912068.0
申请日：2024-07-08
申请人： 天津中环领先材料技术有限公司 , 中环领先半导体科技股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种外延控制方法，属于半导体制造技术领域。包括：提供第一温控片，置于基座上，通过加热元件对第一温控片进行第一加热处理，获取不同温度下第一温控片的方阻，以确定温度系数α；提供第二温控片，置于基座上，通过加热元件对第二温控片进行第二加热处理，获取第二加热处理后的第二温控片的方阻，并结合温度系数α，以确定第二温控片的第一温度差ΔT1；判断第一温度差ΔT1是否满足第一预设温度的范围；若第一温度差ΔT1不满足第一预设温度的范围，则通过调节加热元件和基座之间的距离，以使第一温度差ΔT1满足第一预设温度的范围。本申请提供的外延控制方法，可以改善外延片在形成过程中的温度均匀性，从而改善外延片的缺陷。
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公开(公告)号：CN118782499A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410789218.3
申请日：2024-06-18
申请人： 中环领先半导体科技股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种晶片解理装置及方法，涉及半导体加工制造技术领域，晶片解理装置包括密闭的切片腔室和控制装置，切片腔室的一侧设置用于晶片进出切片腔室的腔门；切片腔室内设置用于承载晶片的承载平台、用于对晶片寻边的寻边器以及用于解理晶片的切割器，寻边器、切割器均位于承载平台的上方；承载平台包括用于承载晶片的平台主体以及与平台主体连接用于使平台主体转动的转动组件和用于使平台主体移动的移动组件；腔门、切割器、寻边器、转动组件和移动组件均与控制装置通讯连接。晶片解理方法依次包括如下步骤：晶片上料、晶片寻边、晶片解理、复位准备、晶片下料，本发明的有益效果是可对晶片进行精准地定位和切片，提高晶片解理效率。
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公开(公告)号：CN118610088A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410651369.2
申请日：2024-05-23
申请人： 中环领先半导体科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/324 , H01L29/32 , H01L29/16
摘要： 本申请公开了一种硅片及其加工方法。硅片加工方法，用于加工待处理的硅片，包括：对硅片进行减薄处理；将减薄处理后的硅片进行退火处理；将经过退火处理后的硅片进行边抛处理，退火时间t0，退火温度T0，满足：3.6℃/min
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公开(公告)号：CN113504396B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202110769512.4
申请日：2021-07-07
申请人： 中环领先半导体科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种区熔单晶硅自动打磨及测试装置，包括设备机架，所述设备机架顶面位置固接两个第一滑轨，所述第一滑轨上滑动连接两个滑台组件，所述设备机架位于第一滑轨下方位置固接多个三角支撑块，多个所述三角支撑块上放置晶体；所述滑台组件包括滑动连接在两个第一滑轨上的多个第一滑块，多个所述第一滑块顶面固接固定板，所述固定板顶面固接立板，所述立板一侧固接第二滑轨，其中一个所述第一滑轨侧面固接平齿轮；其中一个所述滑台组件上的第二滑轨上滑动连接第二滑块，所述第二滑块固接第一连接板。本发明自动化程度高，打磨效率高，通过机器进行打磨及检测，提高了打磨效率及测量准确度。
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公开(公告)号：CN117317000B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202311127750.0
申请日：2023-09-01
申请人： 中环领先半导体科技股份有限公司
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/205 , H01L21/335
摘要： 本申请公开了一种高电子迁移率晶体管及其制备方法，高电子迁移率晶体管包括衬底层、缓冲层、阻挡层、背势垒层、沟道层、势垒层和源极、栅极、漏极，其中，背势垒层包括BAlN材料。本申请提供的高电子迁移率晶体管，以BAlN材料作为背势垒层，能够提高导带高度，抑制电子从沟道层向缓冲层注入，提高2DEG的局限性，减小器件的泄露电流，改善击穿电压，提高器件的耐高压能力，同时，BAlN的晶格常数较小，可以引入压应力，缓解制备工艺中背势垒层在生长降温过程产生的张应力，从而改善GaN和衬底之间的热失配。
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公开(公告)号：CN118386059A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410026801.9
申请日：2024-01-08
申请人： 中环领先半导体科技股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种槽轮修复装置、方法和槽轮，包括：固定组件，固定组件被配置为安装待处理槽轮，待处理槽轮具有安装槽；绕线组件，绕线组件被配置为提供切割线，切割线位于安装槽并与待处理槽轮连接，绕线组件带动切割线在安装槽内做往复运动；张力组件，张力组件与切割线连接，被配置为对做往复运动前的切割线施加张紧力；其中，张紧力为F N，往复运动具有最大行程S mm，满足：4.5×105≤F×S≤1.1×108。本申请以特定工艺条件下的空载切割模拟真实切割状态，消除槽形表面存在的毛刺等加工缺陷，将槽轮在加工正式产品前打磨至切割线与槽轮相适配的状态，用以改善更换槽轮后导致晶圆TTV不良的现像。
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公开(公告)号：CN118366859A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410401232.1
申请日：2024-04-02
申请人： 中环领先半导体科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/316 , H01L29/16 , H01L29/04
摘要： 本申请公开了一种硅片及其加工方法。该硅片加工方法，包括：对待处理的硅片进行抛光处理；在抛光处理之后对硅片进行第一次退火处理；在第一次退火处理之后对硅片进行第二次退火处理；其中，第一次退火处理具有第一退火温度T1和第一退火时间t1，第二次退火处理具有第二退火温度T2和第二退火时间t2，满足：T1≥T2，t2≥t1。本申请通过在对硅片抛光后再进行两次退火处理，并满足：T1≥T2，t2≥t1，消除了硅片的原生氧沉淀，保障退火工艺过程中氧沉淀径向成核长大的均匀性，降低了第二次退火处理过程中硅片与碳化硅(SiC)舟舟齿接触位置的热应力影响，从而避免接触位置产生滑移线。
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公开(公告)号：CN118326508A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410194689.X
申请日：2024-02-21
申请人： 中环领先半导体科技股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种外延片及其制备方法。该外延片的制备方法，包括：将衬底放入反应腔内，并使衬底旋转，衬底旋转的速度为40～50r/min；向反应腔内通入氢气，并对衬底进行烘培；保持向反应腔内通入氢气，并将硅源气体和掺杂气体通入反应腔内，以在衬底上生长外延层；停止通入硅源气体和掺杂气体，将反应腔降温后，取出外延片。本申请通过控制衬底旋转的速度为40～50r/min，可以提高外延层生长的稳定性，进而降低外延片片间重复性误差。
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公开(公告)号：CN118280886A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410423854.4
申请日：2024-04-09
申请人： 天津中环领先材料技术有限公司 , 中环领先半导体科技股份有限公司
摘要： 本申请提供一种外延片加工控制方法，步骤包括：获取空置上载仓位的信息并预约晶圆片的上料信息；获取晶圆传送盒的信息并将晶圆片移运至空置上载仓位；校验晶圆传送盒中晶圆片的信息；校验合格后，锁定上载仓位，准备加工。本申请一种外延片加工控制方法，结构简单且易于控制，可快速且精准地进行锁紧或解锁，以保证上盖与底座的安全配合。本申请还提出一种设有该锁紧结构的外延设备。
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