公开(公告)号：CN118876251A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202411280394.0

申请日：2024-09-12

申请人： 中环领先半导体科技股份有限公司

发明人： 李晓宝 ,  刘姣龙 ,  袁祥龙 ,  郭红慧

IPC分类号： B28D5/04 ,  B28D5/00

摘要： 本申请公开了一种晶棒切割方法及硅片，属于硅片制造技术领域，该晶棒切割方法包括：控制切割线切割晶棒，并向切割线和晶棒相接处喷射切割液；切割包括依次进行的第一阶段和第二阶段；在第一阶段，切割液的温度由第一预设温度T1降低至第二预设温度T2，在第二阶段，切割液的温度由第三预设温度T3增加至第四预设温度T4。本申请通过使得冷却液的温度降低后减小以使得冷却液能够带走的热量与切割线切割晶棒时产生的热量相匹配，避免因为冷却液无法带走过多的热量或者冷却液带走了过多的热量导致晶棒在切割过程中的温度不均匀，产生翘曲，从而使得切割后的硅片质量更佳。

公开(公告)号：CN118849233A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202411281512.X

申请日：2024-09-12

申请人： 中环领先半导体科技股份有限公司

发明人： 李晓宝 ,  刘姣龙 ,  袁祥龙 ,  郭红慧 ,  刘园 ,  王丹

IPC分类号： B28D5/04 ,  B28D5/00

摘要： 本申请公开了一种晶棒切割方法及晶棒切割系统，属于硅片制造技术领域，该晶棒切割方法包括控制晶棒相对于切割线以第一进给速度匀速运动，并切割晶棒的第一部分；控制晶棒相对于切割线变速运动，以将进给速度提升至第二进给速度，并同时切割晶棒的第二部分；以第二进给速度控制晶棒相对于切割线匀速运动，并切割晶棒的第三部分；控制晶棒相对于切割线变速运动，以将进给速度降低至第一进给速度，并同时切割晶棒的第四部分。本申请通过使用较高的进给速度来切割第三部分以提高对晶棒的切割效率，从而缩短整个晶棒切割的时间，同时，本申请使用较低的进给速度来切割晶棒的第一部分以保障入刀时的稳定性，避免在入刀时产生偏移，从而保证硅片的质量。

公开(公告)号：CN118124030A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410350964.2

申请日：2024-03-26

申请人： 中环领先半导体科技股份有限公司

发明人： 李晓宝 ,  刘建伟 ,  袁祥龙 ,  刘姣龙 ,  郭红慧

IPC分类号： B28D5/04 ,  B28D5/00

摘要： 本申请提供一种改善晶圆出刀TTV异常的加工方法，在收刀切割过程中，以稳定切割时最终的晶体进给速度和钢线的新线用线量为基准，降低晶体进给速度，并提高钢线的新线用线量。本申请一种改善晶圆出刀TTV异常的加工方法，通过降低晶体进给速度、以及增加钢线新线的用线量，可有效改善因钢线切割不足导致回收线侧晶体根部厚度差较大的问题，提高该侧晶圆片表面质量，使晶圆片出刀区的TTV从95um降低到6um，提高成品率。