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公开(公告)号：CN113504396B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202110769512.4
申请日：2021-07-07
申请人： 中环领先半导体科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种区熔单晶硅自动打磨及测试装置，包括设备机架，所述设备机架顶面位置固接两个第一滑轨，所述第一滑轨上滑动连接两个滑台组件，所述设备机架位于第一滑轨下方位置固接多个三角支撑块，多个所述三角支撑块上放置晶体；所述滑台组件包括滑动连接在两个第一滑轨上的多个第一滑块，多个所述第一滑块顶面固接固定板，所述固定板顶面固接立板，所述立板一侧固接第二滑轨，其中一个所述第一滑轨侧面固接平齿轮；其中一个所述滑台组件上的第二滑轨上滑动连接第二滑块，所述第二滑块固接第一连接板。本发明自动化程度高，打磨效率高，通过机器进行打磨及检测，提高了打磨效率及测量准确度。
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公开(公告)号：CN117317000B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202311127750.0
申请日：2023-09-01
申请人： 中环领先半导体科技股份有限公司
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/205 , H01L21/335
摘要： 本申请公开了一种高电子迁移率晶体管及其制备方法，高电子迁移率晶体管包括衬底层、缓冲层、阻挡层、背势垒层、沟道层、势垒层和源极、栅极、漏极，其中，背势垒层包括BAlN材料。本申请提供的高电子迁移率晶体管，以BAlN材料作为背势垒层，能够提高导带高度，抑制电子从沟道层向缓冲层注入，提高2DEG的局限性，减小器件的泄露电流，改善击穿电压，提高器件的耐高压能力，同时，BAlN的晶格常数较小，可以引入压应力，缓解制备工艺中背势垒层在生长降温过程产生的张应力，从而改善GaN和衬底之间的热失配。
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公开(公告)号：CN116053191B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202211652413.9
申请日：2022-12-21
申请人： 中环领先半导体科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/762
摘要： 本申请公开了一种绝缘体上硅衬底及其制备方法，包括：提供第一半导体晶圆，第一半导体晶圆包括第一氧化层和第一衬底硅层，第一氧化层通过注氧隔离形成，提供第二半导体晶圆；将第一半导体晶圆和第二半导体晶圆键合形成第三半导体晶圆，进行第一次退火；对第一衬底硅层进行机械研磨减薄；对第一衬底硅层进行化学机械抛光，抛光至第一氧化层表面；进行第二次退火；采用化学腐蚀剂将第一氧化层进行腐蚀去除，得到绝缘体上硅衬底。本申请采用化学机械抛光代替碱腐蚀，避免硅岛缺陷被碱腐蚀后延伸至氧化层下方形成表面缺陷，增加第二次退火并通入氧气，对硅岛缺陷进行氧化便于后续去除，得到低缺陷密度的绝缘体上硅衬底。
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公开(公告)号：CN118976753A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411047399.9
申请日：2024-07-31
申请人： 中环领先半导体科技股份有限公司
IPC分类号： B08B7/00 , H01L21/673 , B08B13/00
摘要： 本申请公开了一种载具的清洁方法，涉及半导体制造技术领域。载具的清洁方法，用于清洁外延反应后的载具，载具上覆设有涂层，涂层的一侧设有沉积层，清洁方法包括：去除至少部分沉积层，得到覆设有涂层的载具；对覆设有涂层的载具进行热处理和表面处理，以完成对载具的清洁。本申请通过将外延反应后的载具进行沉积层去除、加热处理以及表面处理等清洁处理，可以实现载具的清洁，同时还可以提高载具的使用寿命。
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公开(公告)号：CN118782632A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410852571.1
申请日：2024-06-27
申请人： 中环领先半导体科技股份有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/04 , H01L21/205
摘要： 本申请公开了一种外延片及其制备方法，属于半导体制造技术领域。一种外延片，包括：衬底；碳化硅晶格适配层，位于衬底的一侧；成核层，位于晶格适配层远离衬底的一侧；其中，衬底具有第一面内晶格常数d1，碳化硅晶格适配层具有第二面内晶格常数d2，成核层具有第三面内晶格常数d3，满足：|d3‑d2|
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公开(公告)号：CN117672813B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202311525172.6
申请日：2023-11-14
申请人： 中环领先半导体科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/762
摘要： 本申请公开了一种硅片的制备方法及硅片。本申请硅片的制备方法包括：提供支撑衬底，支撑衬底的至少一面设有绝缘层；提供外延衬底，外延衬底的至少一面设有外延层；将外延层与支撑衬底键合，使绝缘层和外延层贴合；去除至少部分外延衬底，形成衬底层；外延层位于衬底层和绝缘层之间；腐蚀处理去除至少部分衬底层；对硅片进行表面处理，表面处理采用第一处理液，第一处理液包括有机铵盐和氧化剂。本申请通过改变硅片的制备步骤，提高了外延层的膜厚均匀性。
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公开(公告)号：CN117672812B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202311518869.0
申请日：2023-11-14
申请人： 中环领先半导体科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/762
摘要： 本申请公开了一种硅片的处理方法，用于处理硅片。本申请的硅片处理方法包括：对硅片进行腐蚀处理；采用处理液对腐蚀处理后的硅片进行表面处理，处理液包括有机铵盐和氧化剂。本申请通过表面处理提高了硅片外延层的厚度均匀性。本申请可以采用具有处理槽的处理装置对硅片进行表面处理，本申请的处理装置可以实现多片硅片同时处理，提升硅片表面处理的处理效率。
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公开(公告)号：CN117672815A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311623942.0
申请日：2023-11-29
申请人： 中环领先半导体科技股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种SiC外延片及其制备方法，本申请的SiC外延片的制备方法包括以下步骤：提供衬底，将衬底置于反应腔中，衬底具有第一表面，在第一表面上形成第一缓冲层，第一缓冲层包括6H‑SiC；形成第二缓冲层，第二缓冲层位于第一缓冲层背离衬底一侧，第二缓冲层包括4H‑SiC；形成外延层，外延层位于第二缓冲层背离第一缓冲层一侧。本申请在通过在衬底与第二缓冲层之间生长第一缓冲层，扰乱衬底位错的传递，通过该方法得到平滑且缺陷低的SiC外延片。
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公开(公告)号：CN117672812A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311518869.0
申请日：2023-11-14
申请人： 中环领先半导体科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/762
摘要： 本申请公开了一种硅片的处理方法，用于处理硅片。本申请的硅片处理方法包括：对硅片进行腐蚀处理；采用处理液对腐蚀处理后的硅片进行表面处理，处理液包括有机铵盐和氧化剂。本申请通过表面处理提高了硅片外延层的厚度均匀性。本申请可以采用具有处理槽的处理装置对硅片进行表面处理，本申请的处理装置可以实现多片硅片同时处理，提升硅片表面处理的处理效率。
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公开(公告)号：CN112490177B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202011434461.1
申请日：2020-12-10
申请人： 中环领先半导体科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/677
摘要： 本发明公开了一种倒片机的转移攒颗设备，包括固定架、攒颗机本体和工作台，所述固定架内部固定安装攒颗机本体，所述固定架底壁上表面固定安装工作台，所述工作台上表面固定安装有滑移机构，所述滑移机构包括底板,所述底板上表面两端固定连接挡板，所述挡板内侧固定连接滑杆两端，所述滑杆周侧滑动连接穿过活动台内部，所述挡板内侧固定连接气动伸缩杆一端，所述气动伸缩杆另一端固定插入活动台内部，所述挡板一侧设置第一气管，所述第一气管连通气动伸缩杆，所述挡板一侧固定安装有限位滑轨，所述限位滑轨滑动连接限位滑块，通过卡板上的吸附孔对硅片进行吸附抓取，避免手动抓取，减少对硅片发生的蹭伤。
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