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公开(公告)号：CN118961351A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411006313.8
申请日：2024-07-25
申请人： 上海天岳半导体材料有限公司
摘要： 本申请公开了一种去除碳化硅衬底表面吸笔印记的清洗方法及碳化硅衬底，属于碳化硅检测技术领域。该清洗方法包括下述步骤：(1)采用氨水和双氧水的混合液对衬底的表面进行清洗，以对衬底表面进行预氧化；(2)采用臭氧水对预氧化的衬底进行清洗，得到含有氧化层的衬底；(3)采用pH为2.0‑3.5的酸性清洗液对含有氧化层的衬底进行清洗，之后再经水洗、吹干后得到清洗完成的碳化硅衬底。该方法能够改变衬底表面氧化层的Zeta电位，使得衬底表面电位不低于0mV，从而减少吸笔上带正电荷的颗粒吸附，达到完全去除吸笔印记的技术效果，提高碳化硅衬底的品质。
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公开(公告)号：CN116657249B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202310637184.1
申请日：2023-05-31
申请人： 上海天岳半导体材料有限公司
摘要： 本申请公开了一种应力呈均向分布的碳化硅晶片及无损且精确测定晶片各向应力的方法，属于碳化硅晶片及其应力检测技术领域。该测定方法包括下述步骤：(1)对晶片进行XRD衍射测试，测试过程中对晶片进行面内和面间旋转，得到至少6个衍射晶面下的测试结果，将不同衍射晶面的衍射峰与无应力晶片中对应衍射晶面的标准峰进行比较，获得晶片的各向应变值；(2)根据各向应变值和弹性常数计算晶片的各向应力。该方法能够实现对晶片各向应力的无损和精准检测，为晶片各向应力的分析提供了新思路，可推广用于晶片各向应力的标准化检测。
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公开(公告)号：CN118559895A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202411033003.5
申请日：2024-07-30
申请人： 上海天岳半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种晶棒切割机用固定装置及晶棒切割机，属于晶棒切割领域。晶棒切割机用固定装置，以切割刀的运动平面为基准面，包括：连接板，所述连接板的一侧与切割机的机床连接，所述连接板的两个侧面与所述基准面平行；磁吸盘，为可控磁吸盘，其与所述连接板的另一侧连接，所述磁吸盘的两个侧面均与所述基准面平行；粘结板，所述粘结板与所述磁吸盘磁吸连接，晶棒粘结于所述粘结板背离所述磁吸盘的一面，所述粘结板的两个侧面均与所述基准面平行。解决了当前的固定工装在固定晶棒切割后切割面平整度较差的技术问题。
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公开(公告)号：CN116141514A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310335716.6
申请日：2023-03-30
申请人： 上海天岳半导体材料有限公司
摘要： 本发明提供了一种在线监测的晶体切割装置及切割方法，属于半导体材料加工技术领域。本发明一方面提供了一种在线监测的晶体切割装置包括：工件机构、切割线机构、切割液机构和测温机构，所述测温机构包括温度探测器，所述温度探测器设置在所述工件机构的轴线方向和/或外周方向，用于获得所述待切割晶体在切割部位处的温场信息，本发明的在线监测的晶体切割装置可对切割过程中的异常温度进行监测，出现问题及时报警，便于有效溯源。另一方面本发明提供一种使用在线监测的晶体切割装置的切割方法，通过监测切割过程中的温度变化和检测切割片的面型，可及时调整加工参数。
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公开(公告)号：CN113594057A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110896139.9
申请日：2021-08-05
申请人： 上海天岳半导体材料有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本说明书实施例公开了一种晶片的原子台阶的宽度计算装置、方法、设备及介质，装置包括：图像获取单元，用于在原子台阶均匀平行分布的区域内，确定晶片的测试范围，获取测试范围内的晶片对应的原子台阶原始图像；图像处理单元，用于对原子台阶原始图像进行灰度处理，确定原子台阶灰度图像，并根据预设方式以及原子台阶灰度图像，确定出符合要求的波形图；计算单元，用于根据符合要求的波形图中的波峰之间或波谷之间的距离与原子台阶灰度图像的尺寸，计算原子台阶的宽度，节省了人工测算的人力、物力，避免了人工计算宽度产生的测量误差，可以通过程序实现，节约计算时间，不会引入人工测算主观误差。
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公开(公告)号：CN118744275A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202411072326.5
申请日：2024-08-06
申请人： 上海天岳半导体材料有限公司
IPC分类号： B23K26/00 , B23K26/38 , B23K26/146 , B23K101/40
摘要： 本申请公开了一种碳化硅晶棒的加工方法，属于碳化硅晶棒加工技术领域。该方法包括步骤：(1)将碳化硅晶棒固定，并采用XRD对碳化硅晶棒的(0004)晶面或(11‑28)晶面进行定向；(2)采用微射流水导激光对碳化硅晶棒沿第一方向进行滚圆和定位边切割，直至微射流水导激光末端在10mm范围内的高度差高于第一阈值；(3)采用微射流水导激光对碳化硅晶棒沿第二方向进行滚圆和定位边切割，直至微射流水导激光末端在10mm范围内的高度差高于第二阈值；(4)循环进行步骤(2)和(3)，直至碳化硅晶棒滚圆和定位边切割结束。该方法简化了加工流程，提高生产效率和产品质量，减少材料浪费和生产成本，具有广阔的应用前景和重要的现实意义。
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公开(公告)号：CN118720456A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202411072333.5
申请日：2024-08-06
申请人： 上海天岳半导体材料有限公司
IPC分类号： B23K26/38 , B23K26/402 , B23K26/70 , B23K101/40
摘要： 本申请公开了一种智能微射流水导激光切割系统及碳化硅晶棒的切割方法，属于碳化硅晶棒加工技术领域。该切割系统包括：固定机构、束流耦合器、图像捕获机构、图像处理机构和判断机构，固定机构用于固定待切割件；束流耦合器对待切割件进行切割；图像捕获机构用于获取切割部位处的切割路径；图像处理机构对图像进行数据转换得到切割部位的高度差信息；判断机构根据高度差信息判断是否高于阈值，若高于阈值，则束流耦合器对待切割件进行反向切割。该切割系统通过实时获取的切割路径的高度差判断是否存在切割处长晶缺陷，当存在长晶缺陷时，高度差高于阈值，此时进行反向切割以迅速去除缺陷，协同提高切割效率和切割质量，并降低加工难度。
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公开(公告)号：CN118181126A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410188710.5
申请日：2024-02-20
申请人： 上海天岳半导体材料有限公司
摘要： 本申请公开了一种面型质量均匀的碳化硅研磨片及加工方法，属于半导体制备技术领域。该加工方法中通过在研磨过程中或研磨之前对研磨液进行除铁，研磨之后得到碳化硅研磨片，能够大幅度降低研磨片的面型异常出现率，提高研磨片的面型质量，从而提高碳化硅研磨片的良率，减少了二次开机的次数，降低了裂片的风险以及生产成本。
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公开(公告)号：CN113592937B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202110896169.X
申请日：2021-08-05
申请人： 上海天岳半导体材料有限公司
摘要： 本说明书实施例公开了半导体衬底的原子台阶宽度计算装置、方法、设备及介质，半导体衬底存在一个或多个原子台阶均匀平行分布的区域，并且每个原子台阶处于倾斜状态，原子台阶的宽度为相邻两个原子台阶之间的距离，包括：图像获取单元，用于确定半导体衬底的测试范围，获取测试范围内的半导体衬底对应的原子台阶原始图像；图像处理单元，用于对原子台阶原始图像进行灰度处理，确定原子台阶灰度图像；计算单元，用于根据原子台阶灰度图像中相邻两个原子台阶之间的距离与原子台阶灰度图像的尺寸，计算原子台阶的宽度，节省了人工测算的人力、物力，避免了人工计算宽度产生的测量误差，可以通过程序实现，不会引入人工测算主观误差。
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公开(公告)号：CN113594057B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202110896139.9
申请日：2021-08-05
申请人： 上海天岳半导体材料有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本说明书实施例公开了一种晶片的原子台阶的宽度计算装置、方法、设备及介质，装置包括：图像获取单元，用于在原子台阶均匀平行分布的区域内，确定晶片的测试范围，获取测试范围内的晶片对应的原子台阶原始图像；图像处理单元，用于对原子台阶原始图像进行灰度处理，确定原子台阶灰度图像，并根据预设方式以及原子台阶灰度图像，确定出符合要求的波形图；计算单元，用于根据符合要求的波形图中的波峰之间或波谷之间的距离与原子台阶灰度图像的尺寸，计算原子台阶的宽度，节省了人工测算的人力、物力，避免了人工计算宽度产生的测量误差，可以通过程序实现，节约计算时间，不会引入人工测算主观误差。
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