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公开(公告)号：CN117334562A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311362979.2
申请日：2023-10-20
申请人： 南京国盛电子有限公司 , 南京盛鑫半导体材料有限公司
IPC分类号： H01L21/205 , H01L29/167 , H01L29/868
摘要： 本发明公开了一种8英寸高压FRD元器件用外延片的制备方法。通过选用特定低氧含量的8英寸硅片作为衬底，使得外延生长得到的高压FRD元器件有着良好的电性参数一致性；在外延生长前对衬底进行高温烘烤处理，有效降低了衬底的自掺杂效应，减少了外延层受到衬底自掺杂效应的影响，获得的外延片性能更好；采用双层外延的工艺方法，且在缓冲层和外延层的生长过程中，采用了相同的生长温度和生长速率，增加了批量生产过程中参数的可控性。
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公开(公告)号：CN118932482A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411426120.8
申请日：2024-10-14
申请人： 南京国盛电子有限公司 , 南京盛鑫半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种改善碳化硅外延层表面缺陷密度的生长方法及所得外延片，所述生长方法包括以下步骤：S1、碳化硅衬底清洗，使用特定混合比例的溶液对衬底进行两次清洗；S2、衬底载入反应腔；S3、进行第一次刻蚀；S4、进行第二次刻蚀；S5、生长第一层缓冲层；S6、生长第二层缓冲层；S7、生长主外延层；S8、外延生长完成，取出外延片。本发明通过使用清洗溶液对碳化硅衬底进行两次清洗，消除衬底表面的颗粒和金属离子，提升衬底表面质量，从而减少外延过程中生成浅三角形缺陷的数量。
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公开(公告)号：CN117334735A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311268341.2
申请日：2023-09-28
申请人： 南京国盛电子有限公司 , 南京盛鑫半导体材料有限公司
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/267
摘要： 本发明提供一种Si基GaN‑HEMT外延片及制备方法。采用在Si衬底上生长三层AlN缓冲层的设计，有效释放因Si衬底与GaN层间晶格失配、热膨胀系数不同而产生的应力，从而降低Si衬底与GaN层之间的晶格缺陷，减少Si基GaN‑HEMT外延片在高温生长过程中衬底破碎、裂片的几率，提高Si基GaN外延材料质量，所得的GaN‑HEMT外延片具有高质量的异质结构和高导通的2DEG沟道。
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公开(公告)号：CN117727617A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311690222.6
申请日：2023-12-11
申请人： 南京国盛电子有限公司 , 南京盛鑫半导体材料有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/329 , C30B25/18 , C30B29/06
摘要： 本发明提供一种厚层FRD外延片制备方法，在外延层生长过程中采用多次升温‑降温工艺，有效释放硅外延片的应力，生产的厚层FRD产品(厚度＞100μm)裂片率降至0.1％以下，其余参数均满足FRD器件的性能指标要求，保证了产品的质量和生产的稳定性，为厚层FRD产品(＞100μm)甚至超厚层FRD产品(＞150μm)的裂纹裂片问题提供了有效解决途径。
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公开(公告)号：CN110660649A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201911196733.6
申请日：2019-11-29
申请人： 南京国盛电子有限公司
发明人： 马梦杰
摘要： 本发明公开了一种8英寸VDMOS功率管用硅外延片的制造方法，包括步骤：（1）选用掺As衬底，衬底电阻率≤0.004Ω.cm；（2）进行第一外延层的生长，在衬底表面用生长温度为1040~1080℃，生长速率为≤1.5μm/min生长第一外延层，在第一层外延层生长完成后用氢气吹扫腔体；（3）进行第二外延层的生长，在第一外延层表面用生长温度为1040~1060℃，生长速率为2~3μm/min生长第二外延层。本发明选用合适衬底，满足器件和外延要求，有效提高外延层电阻率均匀性，减小边缘与中心区域过渡区的偏差，提高管芯的良率。
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公开(公告)号：CN113322513A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110883682.5
申请日：2021-08-03
申请人： 南京国盛电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种生长薄层高阻硅外延片的方法，包括如下步骤：预备衬底片：选用掺As衬底；设置反应腔体压强10~50Torr，衬底表面用生长温度为1050~1100℃，采用二氯二氢硅(DCS)作为硅源生长第一外延层；设置反应腔体压强10~80Torr，在第一外延层上用生长温度为1050~1100℃，采用二氯二氢硅(DCS)作为硅源生长第二外延层。该方法能够抑制重掺As衬底杂质扩散和蒸发，降低固态扩散和气相自掺杂，在外延厚度薄的情况下获得窄过度区宽度、高外延电阻率及均一外延电阻率分布，既保证器件的击穿电压，又兼顾器件的导通电阻。
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公开(公告)号：CN110660649B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201911196733.6
申请日：2019-11-29
申请人： 南京国盛电子有限公司
发明人： 马梦杰
摘要： 本发明公开了一种8英寸VDMOS功率管用硅外延片的制造方法，包括步骤：（1）选用掺As衬底，衬底电阻率≤0.004Ω.cm；（2）进行第一外延层的生长，在衬底表面用生长温度为1040~1080℃，生长速率为≤1.5μm/min生长第一外延层，在第一层外延层生长完成后用氢气吹扫腔体；（3）进行第二外延层的生长，在第一外延层表面用生长温度为1040~1060℃，生长速率为2~3μm/min生长第二外延层。本发明选用合适衬底，满足器件和外延要求，有效提高外延层电阻率均匀性，减小边缘与中心区域过渡区的偏差，提高管芯的良率。
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