张弛振荡器
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104935303A

    公开(公告)日:2015-09-23

    申请号:CN201410186057.5

    申请日:2014-03-19

    发明人: 王正香

    IPC分类号: H03K3/02

    摘要: 一种张驰振荡器在仅两个电流源之间共享充电电流和比较器偏置电流,从而放松了对总供电电流的需求。所带来的功耗的降低对振荡器的速度和精度没有负面影响。开关设置在两个电流源和两个充电电容器及其相关比较器之间引导充电和偏置电流。

    用于RFID的持久节点
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103336934A

    公开(公告)日:2013-10-02

    申请号:CN201310158996.4

    申请日:2013-01-18

    发明人: J·S·史密斯

    IPC分类号: G06K7/00 G06K19/07

    摘要: 本发明公开了一种用于RFID的持久节点。在一个实施例中,RFID应答器包括射频(RF)收发器、耦合到RF收发器的处理逻辑、耦合到处理逻辑的开关、耦合到开关的隧穿设备以及具有耦合到隧穿设备的第一输入和耦合到预定参考电压的第二输入的差分感测电路。在一个实施例中,隧穿设备可以放电至低于预定参考电压的电压。

    锁存器
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109150138A

    公开(公告)日:2019-01-04

    申请号:CN201810947033.5

    申请日:2018-08-20

    发明人: 蒋建伟

    IPC分类号: H03K3/0233 H03K19/003

    CPC分类号: H03K3/0233 H03K19/00338

    摘要: 本发明公开了一种锁存器,由一个储存单元、4个传输门和一个穆勒C单元组成;存储单元由3组2P1N型反相器和3组1P2N型反相器组成,每组2P1N型反相器由两个PMOS晶体管和一个NMOS晶体管串联组成,每组1P2N型反相器由一个PMOS晶体管和两个NMOS晶体管串联组成,存储单元共有6个存储节点;穆勒C单元中的第十PMOS晶体管~第十三PMOS晶体管和第十NMOS晶体管~第十三NMOS晶体管依次串联,第十三PMOS晶体管的漏极与第十NMOS晶体管的漏极相连接,其连接的节点作为锁存器的输出端Q;四个传输门的输入端作为锁存器的数据输入端,第四传输门的输出端与Q端相连接。本发明能够抵抗两位节点翻转,拦截存储单元传输的软错误。

    置位和重置脉冲发生器电路
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108155902A

    公开(公告)日:2018-06-12

    申请号:CN201711076589.3

    申请日:2017-11-06

    IPC分类号: H03K19/0175

    摘要: 本发明公开了一种置位和重置脉冲发生器电路,所述置位和重置脉冲发生器电路接收输入信号以生成置位信号和重置信号对。所述置位和重置脉冲发生器电路包括置位电路和重置电路。一个交叉耦接电路将所述重置电路的电压信号连接到所述置位电路的输出电路,并且另一个交叉耦接电路将所述置位电路的电压信号连接到所述重置电路的输出电路。所述置位电路的所述输出电路从所述输入信号、所述重置电路的所述电压信号、以及所述置位电路的所述电压信号生成所述置位信号。所述重置电路的所述输出电路从反相输入信号、所述重置电路的所述电压信号、以及所述置位电路的所述电压信号生成所述重置信号。

    用于RFID的持久节点
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103336934B

    公开(公告)日:2017-07-11

    申请号:CN201310158996.4

    申请日:2013-01-18

    发明人: J·S·史密斯

    IPC分类号: G06K7/00 G06K19/07

    摘要: 公开了一种用于RFID的持久节点。在一个实施例中,RFID应答器包括射频(RF)收发器、耦合到RF收发器的处理逻辑、耦合到处理逻辑的开关、耦合到开关的隧穿设备以及具有耦合到隧穿设备的第一输入和耦合到预定参考电压的第二输入的差分感测电路。在一个实施例中,隧穿设备可以放电至低于预定参考电压的电压。