公开(公告)号：CN105230139A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201380076694.0

申请日：2013-05-20

申请人： 名幸电子有限公司

发明人： 户田光昭 ,  松本徹 ,  清水良一

IPC分类号： H05K3/46 ,  H01L23/12 ,  H01L23/28

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/24 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/75 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/2402 ,  H01L2224/24247 ,  H01L2224/27318 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32055 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/82001 ,  H01L2224/8201 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/82986 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3641 ,  H05K1/188 ,  H05K2201/10674 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/40252 ,  H01L2924/40501 ,  H01L2924/403 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/00014

摘要： 元器件内置基板(1)具有：绝缘层(3)；形成为夹住所述绝缘层(3)的第1金属层(4)及第2金属层(5)；元器件(2)，其埋设于所述绝缘层(3)内，并且未形成连接端子(2a)的连接端子非形成面(2c)位于靠近所述第1金属层(4)的一侧；粘合层(6)，其位于所述元器件(2)的所述连接端子非形成面(2c)上；导通孔(7)，其将所述第2金属层(5)和所述元器件(2)的所述连接端子(2a)电气连接，所述粘合层(6)的与所述元器件(2)的接触面侧的面积小于所述元器件(2)的连接端子非形成面(2c)的面积。

公开(公告)号：CN108428637A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201810196418.2

申请日：2018-03-09

申请人： 中南大学 ,  湖南建之达节能科技有限公司

发明人： 陈卓 ,  刘智慧 ,  刘小鹤 ,  李军辉 ,  朱文辉 ,  彭启发

IPC分类号： H01L21/603 ,  H01L21/607

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/8201 ,  H01L2224/82048 ,  H01L2224/82203 ,  H01L2224/82207 ,  H01L2224/83024 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83207

摘要： 一种超声辅助微米银浆烧结实现微铜柱互连的方法，包括如下步骤：1）将上、下芯片分别清洗干净；2）将银浆涂覆在上芯片的微铜柱上，将助焊剂涂覆在下芯片的微铜柱上；3)将上、下芯片通过超声吸附固定到超声吸头和基座上，对准，然后进行预热过程；4)预热到180-200°C，使上、下芯片接触，开始键合，并开始加压；5)将超声吸头吸附在上芯片上进行超声振动，振动方向沿水平方向，下芯片随基座固定不动，超声振动的时间为1-2s，温度持续上升至260-300°C；6）保温保压1.5-3min后，停止超声振动和加热，解除真空吸附，完成键合的芯片随基座冷却。本发明可实现烧结温度上升温和，不会对芯片造成热冲击损伤，并且还可实现微米银浆的低温、快速、有力的连接烧结。

公开(公告)号：CN107342236A

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201710239394.X

申请日：2017-04-13

申请人： 株式会社吉帝伟士

发明人： 稻冈俊幸 ,  浦辻淳広

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/27 ,  H01L24/04 ,  H01L24/11 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/64 ,  H01L24/97 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/03001 ,  H01L2224/03618 ,  H01L2224/03632 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/8201 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/83132 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2224/83 ,  H01L21/56 ,  H01L21/4846 ,  H01L2224/0231

摘要： 本发明提供一种用于获得半导体装置与布线之间的良好的接触的半导体封装件的制造方法。所述半导体封装件的制造方法包括如下步骤：在基材上配置上部面设有外部端子的半导体装置；形成覆盖半导体装置的树脂绝缘层；在树脂绝缘层形成用于露出外部端子的开口部；在形成开口部之后，对开口部的底部进行等离子处理；在等离子处理之后，对开口部的底部进行化学溶液处理；以及形成与在开口部中被露出的外部端子相连接的导体。