片式复合元器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN106384681A

    公开(公告)日:2017-02-08

    申请号:CN201610882202.2

    申请日:2016-09-30

    CPC classification number: H01G17/00

    Abstract: 本发明公开了一种片式复合元器件及其制备方法。一种片式复合元器件包括:陶瓷体,陶瓷体包括:第一介质层具有相对的第一表面及第二表面;第一电极层,形成于所述第一介质层的第一表面;第二电极层,形成于所述第一介质层的第二表面,所述第二电极层与所述第二表面的一条边至少部分平齐形成引出边;第二介质层,层叠于第二电极层的表面且完全覆盖第二表面;第三电极层,形成于第二介质层远离第一介质层的一侧表面,第三电极层在第二电极层的正投影完全落入第二电极层,电阻,附着在陶瓷体的一侧,电阻与第一电极层及第二电极层电连接,且电阻与第三电极层绝缘。这种片式复合元器件结构紧凑。

    静电放电保护电路及半导体元件

    公开(公告)号:CN104867910A

    公开(公告)日:2015-08-26

    申请号:CN201410252607.9

    申请日:2014-06-09

    Inventor: 林大宪

    CPC classification number: H01G17/00 H01L27/0285

    Abstract: 本发明实施例提供一种静电放电保护电路及半导体元件。静电放电保护电路包括:一滤波电路,包括:一电容装置,其中该电容装置的一第一端耦接至具有一第一电压的一第一轨线,且电容装置的一第二端耦接至一第一节点;以及一第一电阻,其中第一电阻的一第一端耦接至第一节点,且第一电阻的一第二端耦接至具有一第二电压的一第二轨线,其中第一电压大于第二电压;一静电放电保护元件,包括:一第一N型场效晶体管,其具有一栅极、一漏极及一源极,漏极耦接至该第一轨线,且源极耦接至第二轨线,栅极接收一第三电压以开启第一N型场效晶体管;以及一触发电路,耦接于滤波电路与静电放电保护元件之间。

    复合电子部件
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106257610A

    公开(公告)日:2016-12-28

    申请号:CN201610423776.3

    申请日:2016-06-15

    Abstract: 本发明提供能抑制被接合的多个电子部件之中的基板型的电子部件中的上表面导体彼此的绝缘电阻的降低的复合电子部件。复合电子部件(1A)具备第1电子元件(20A)、第2电子元件部(21)、和设置在基部(21)的上表面(21a)上的上表面导体(24A)。第2电子元件(10)具有:具有与基部(21)的上表面(21a)对置的下表面(11a)的元件主体(11)、和设置在元件主体(11)的下表面(11a)上的端子导体(14A)。接合材料(31)对上表面导体(24A)与端子导体(14A)进行接合。上表面导体(24A)包含重量比最大的金属成分为Ag的导电层(24a)。导电层(24a)的侧面(24a1)被作为保护金属膜的导电层(24b,24c)覆盖,作为保护金属膜的导电层(24b,24c)中含有的重量比最大的金属成分为Ag及Cu以外。(10)和接合材料(31)。第1电子元件(20A)具有基

Patent Agency Ranking