公开(公告)号：CN102804266A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201080032150.0

申请日：2010-06-07

Applicant: 山阳特殊制钢株式会社

Inventor： 泽田俊之 ,  长谷川浩之 ,  清水悠子

IPC: G11B5/667 ,  C22C19/07 ,  C22C38/00 ,  C23C14/34 ,  H01F10/13 ,  H01F10/16 ,  H01F41/18

CPC classification number: G11B5/667 ,  C22C19/07 ,  C22C38/002 ,  C22C38/06 ,  C22C38/10 ,  C22C38/105 ,  C22C38/12 ,  C22C38/14 ,  C23C14/3414 ,  G11B5/851 ,  H01F10/131 ,  H01F10/132

Abstract: 本发明公开了一种提供一种具有优异的饱和磁通密度、非晶形性、耐腐蚀性和硬度的用于垂直磁记录介质的软磁性Co-Fe-Ni合金。所述Co-Fe-Ni合金包含以原子％计的以下各项：70至92％的Co+Fe+Ni(包括0％的Ni)，1至8％的Ta；和多于7％但是20％以下的B。Co-Fe-Ni合金的组成(以原子％表达)满足如下各项的比率：0.1至0.9的Co/(Co+Fe+Ni)；0.1至0.65的Fe/(Co+Fe+Ni)；0至0.35的Ni/(Co+Fe+Ni)；以及1至8的的B/Ta。

公开(公告)号：CN102576800A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080034679.6

申请日：2010-07-30

Applicant: 都美工业株式会社 ,  国立大学法人信州大学 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 本江克次 ,  中岛浩二 ,  石川智仁 ,  杉山雅治 ,  五十岚贵教 ,  脇若弘之 ,  牧野彰宏 ,  井上明久

IPC: H01L41/12 ,  C23C4/06 ,  C23C4/12 ,  G01L1/12 ,  G01L3/10 ,  G01L9/16 ,  H01F10/13 ,  H01L29/84 ,  C22C45/02

CPC classification number: G01L3/102 ,  C22C33/003 ,  C22C45/02 ,  C23C4/06 ,  G01L3/103 ,  G01L3/105 ,  G01R33/18 ,  H01F10/131 ,  H01L41/125 ,  H01L41/20 ,  H01L41/47 ,  Y10T428/265

Abstract: 本发明提供一种可在零磁场附近发挥优异的磁致伸缩特性的磁致伸缩膜、及磁致伸缩膜的制造方法。磁致伸缩膜是由熔射形成在被检体上、且以比玻璃迁移温度低且在居里点温度以上进行热处理为特征的金属玻璃膜所构成，且-15kA/m以上、+15kA/m以下的磁场范围中的至少一部分的范围内，显现磁场与磁致伸缩的直线特性。

公开(公告)号：CN100594766C

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200680013440.4

申请日：2006-04-19

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 井上哲夫

IPC: H05K9/00 ,  H01F1/00 ,  H01F10/14 ,  H01Q1/52

CPC classification number: H05K9/0083 ,  H01F10/131 ,  H01F10/138 ,  H01F10/14 ,  H01F10/265 ,  H01Q1/243 ,  H01Q1/52

Abstract: 防止电磁波零部件18，具有附设该防止电磁波零部件18的电子设备10的发送频带频率的磁导率的实数分量μ′为10以上、tanδ(＝μ″/μ′)为0.1以下、而且强磁性共振频率为所述发送频带频率的1.5倍以上的高频高磁导率磁性膜。具有这样的高频高磁导率磁性膜的防止电磁波零部件18，配置在具有电磁波发送功能的电子设备10中，使得有选择地降低从天线16等电磁波发送单元发射的电磁波对于不需要的方向的电磁场强度。

公开(公告)号：CN106605280A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201580048746.2

申请日：2015-08-06

Applicant: 沃思电子埃索斯有限责任两合公司

Inventor： A.格费尔 ,  D.迪努洛维奇

IPC: H01F17/06 ,  H01F41/04 ,  H01F3/10 ,  H01F10/12 ,  H01F17/00

CPC classification number: H01F10/12 ,  H01F3/10 ,  H01F10/131 ,  H01F10/132 ,  H01F10/14 ,  H01F17/0033 ,  H01F17/06 ,  H01F27/263 ,  H01F41/046 ,  H01F2003/106

Abstract: 磁芯、电感部件和用于制造磁芯的方法。本发明涉及一种用于电感部件的、以薄层技术制造的磁芯，在所述电感部件中磁芯由至少两种不同的磁性材料构成。

公开(公告)号：CN1830232A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200480021471.5

申请日：2004-06-22

Applicant: 安费合金公司

Inventor： 马丁·吉斯 ,  简-皮尔斯·雷亚尔 ,  法利德·阿马洛

IPC: H05K3/00 ,  H01F41/02

CPC classification number: H01F41/046 ,  H01F10/131 ,  H01F10/138 ,  H01F10/265 ,  H01F17/0033 ,  H01F41/0233 ,  H01F41/042 ,  H05K3/0044 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49156 ,  Y10T83/0591

Abstract: 本发明涉及一种制造用于无源电子元件的零件的方法，包括制造一个由至少一叠薄金属条和粘合剂材料层构成的层叠条(1)，从该层叠条(1)上切割至少一个零件(6)，利用包括采用砂的至少一个蚀刻步骤的方法来进行切割操作。本发明还涉及所获得的零件。

公开(公告)号：CN1109628A

公开(公告)日：1995-10-04

申请号：CN94119335.7

申请日：1994-10-28

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 中野朝雄 ,  田村太久夫 ,  末永和史 ,  尾形洁 ,  笹岛崇三 ,  熊坂登行

IPC: H01F10/14

CPC classification number: G11B5/3109 ,  G11B5/147 ,  H01F10/131 ,  H01F17/04 ,  H01F41/18 ,  H02K99/00

Abstract: 把Fe-M-C(其中M是从Ti、Zr、Hf、Nb、V、Ta、Mo、W中选择的至少一种金属)作为必要成分，由原子比组成为Fe65—80％、M6—16％、其余是C形成的磁性膜中，在磁性膜的微细组织中C原子及与之相结合的3—15％的Fe原子形成具有体心立方结构、平均粒度为5—14nm的结晶性微聚合体，M原子和C原子形成平均粒度为0.5—2nm的非晶质性微聚合体，两种微聚合体共存。先用溅射法形成上述组成的非晶质膜，再在非氧化性气氛中，500—560℃的低温度下进行30分钟左右的短时间热处理形成这种磁性膜。

公开(公告)号：CN102576800B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201080034679.6

申请日：2010-07-30

Applicant: 东北泰克诺亚奇股份有限公司

Inventor： 本江克次 ,  中岛浩二 ,  石川智仁 ,  杉山雅治 ,  五十岚贵教 ,  脇若弘之 ,  牧野彰宏 ,  井上明久

IPC: H01L41/12 ,  C23C4/06 ,  C23C4/12 ,  G01L1/12 ,  G01L3/10 ,  G01L9/16 ,  H01F10/13 ,  H01L29/84 ,  C22C45/02

CPC classification number: G01L3/102 ,  C22C33/003 ,  C22C45/02 ,  C23C4/06 ,  G01L3/103 ,  G01L3/105 ,  G01R33/18 ,  H01F10/131 ,  H01L41/125 ,  H01L41/20 ,  H01L41/47 ,  Y10T428/265

Abstract: 本发明提供一种可在零磁场附近发挥优异的磁致伸缩特性的磁致伸缩膜、及磁致伸缩膜的制造方法。磁致伸缩膜是由熔射形成在被检体上、且以比玻璃迁移温度低且在居里点温度以上进行热处理为特征的金属玻璃膜所构成，且-15kA/m以上、+15kA/m以下的磁场范围中的至少一部分的范围内，显现磁场与磁致伸缩的直线特性。

公开(公告)号：CN101164395A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200680013440.4

申请日：2006-04-19

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 井上哲夫

IPC: H05K9/00 ,  H01F1/00 ,  H01F10/14 ,  H01Q1/52

CPC classification number: H05K9/0083 ,  H01F10/131 ,  H01F10/138 ,  H01F10/14 ,  H01F10/265 ,  H01Q1/243 ,  H01Q1/52

Abstract: 防止电磁波零部件18，具有附设该防止电磁波零部件18的电子设备10的发送频带频率的磁导率的实数分量μ′为10以上、tanδ(＝μ″/μ′)为0.1以下、而且强磁性共振频率为所述发送频带频率的1.5倍以上的高频高磁导率磁性膜。具有这样的高频高磁导率磁性膜的防止电磁波零部件18，配置在具有电磁波发送功能的电子设备10中，使得有选择地降低从天线16等电磁波发送单元发射的电磁波对于不需要的方向的电磁场强度。

公开(公告)号：CN1145145C

公开(公告)日：2004-04-07

申请号：CN00119337.6

申请日：2000-06-28

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 井上喜彦 ,  本多顺一 ,  德竹房重 ,  铃木笃

IPC: G11B5/31 ,  H01F1/14

CPC classification number: H01F10/131 ,  G11B5/1274 ,  G11B5/1878

Abstract: 一种在高饱和磁通密度、软磁特性和耐蚀性方面优良的软磁薄膜。该软磁薄膜用一种由组分分子式FeaSibTacRudGaeNf(其中a、b、c、d、e及f的每一个是一个指示相应元素的at%的值)表示的材料制成，其中组分范围如下：62 at%＜a＜75 at%，7 at%＜b＜18 at%，3at%＜c＜10 at%，0 at%≤d＜10 at%，0 at%≤e＜6 at%，5 at%＜f＜12at%，及b+c＞13 at%，其中at%表示原子百分数。

公开(公告)号：CN1079984C

公开(公告)日：2002-02-27

申请号：CN94119335.7

申请日：1994-10-28

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 中野朝雄 ,  田村太久夫 ,  末永和史 ,  尾形洁 ,  笹岛崇三 ,  熊坂登行

IPC: H01F10/14

CPC classification number: G11B5/3109 ,  G11B5/147 ,  H01F10/131 ,  H01F17/04 ,  H01F41/18 ,  H02K99/00

Abstract: 把Fe-M-C(其中M是从Ti、Zr、Hf、Nb、V、Ta、Mo、W中选择的至少一种金属)作为必要成分，由原子比组成为Fe65-80%、 M6-16%、其余是C形成的磁性膜中，在磁性膜的微细组织中C原子及与之相结合的3-15%的Fe原子形成具有体心立方结构、平均晶粒尺寸为5-14nm的结晶性微聚合体，M原子和C原子形成平均晶粒尺寸为0.5-2的非晶质性微聚合体，两种微聚合体共存。先用溅射法形成上述组成的非晶质膜，再在非氧化性气氛中，500-560℃的低温度下进行30分钟左右的短时间热处理形成这种磁性膜。