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公开(公告)号：CN1878670A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200380110766.5
申请日：2003-12-05
申请人： 国际商业机器公司
发明人： 戈文达拉简·纳塔拉简 , 拉斯奇德·J·贝扎马
CPC分类号： B32B18/00 , C04B35/645 , C04B2237/32 , C04B2237/343 , C04B2237/366 , C04B2237/561 , C04B2237/562 , C04B2237/565 , C04B2237/567 , C04B2237/62 , C04B2237/64 , C04B2237/66 , C04B2237/702 , H01L21/4857 , H05K1/0306 , H05K3/4611 , H05K3/4629 , H05K2201/09781 , Y10T156/108 , Y10T428/24926
摘要： 一种通过在烧结之前将非致密化结构(40)放置在未加工陶瓷层压板(100)中控制热压制烧结的多层陶瓷层压板(100)的烧结后扭曲的方法。将一个或多个非致密化结构(40)放置在一个或多个陶瓷印刷电路基板(10)上，然后堆叠和层压该一个或多个陶瓷印刷电路基板以形成未加工陶瓷层压板(100)。然后烧结该层压板，并且该非致密化结构(40)将控制热压制的多层陶瓷基片的尺寸。通过在烧结之前将非致密化结构(40)放置在各个产品合并之间的切口区域(30)中，该方法可以用来控制作为单个或者合并基片制造的MLC基片的烧结后尺寸。
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公开(公告)号：CN102672357A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210050337.4
申请日：2012-02-22
申请人： 通用电气公司
CPC分类号： B21D41/02 , B23K1/19 , B23K3/087 , B23K35/02 , B23K35/30 , C04B37/026 , C04B2237/122 , C04B2237/123 , C04B2237/124 , C04B2237/125 , C04B2237/343 , C04B2237/402 , C04B2237/403 , C04B2237/405 , C04B2237/406 , C04B2237/407 , C04B2237/408 , C04B2237/55 , C04B2237/564 , C04B2237/567 , C04B2237/568 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , C04B2237/72 , C04B2237/76 , C04B2237/765 , C04B2237/80 , C04B2237/88 , C21D9/50 , Y10T428/12264 , Y10T428/12333
摘要： 本发明涉及受约束的金属凸缘及其制造方法。本发明提供一种制造带凸缘金属物品的方法。该方法包括：(a)将第一铜焊化合物施用到金属物品的第一部分上；(b)用一定长度的约束金属部件缠绕金属物品的第一部分；以及(c)将金属物品、约束金属部件和第一铜焊化合物的组件加热到高于第一铜焊化合物的固相线温度的温度，即典型地在大约300℃至大约2500℃的范围中的温度，以提供带凸缘金属物品，其中，金属物品具有热膨胀系数CTE 1，约束金属部件具有热膨胀系数CTE 2，并且CTE 1大于CTE 2。本发明进一步提供一种金属凸缘，它最大程度地减小高膨胀金属和低膨胀脆性材料之间的热膨胀失配。
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公开(公告)号：CN108463345A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201680077987.4
申请日：2016-11-16
申请人： 阔斯泰公司
IPC分类号： B32B18/00 , H01J37/32 , H01L21/67 , C23C14/56 , C23C16/44 , C23C16/458 , C04B35/645
CPC分类号： H01J37/32477 , B32B18/00 , C04B35/10 , C04B35/50 , C04B35/505 , C04B35/581 , C04B35/62655 , C04B35/62675 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3244 , C04B2235/3427 , C04B2235/3847 , C04B2235/3865 , C04B2235/3891 , C04B2235/3895 , C04B2235/442 , C04B2235/445 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/72 , C04B2235/721 , C04B2235/77 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , C04B2235/788 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2235/9661 , C04B2235/9669 , C04B2235/9692 , C04B2237/062 , C04B2237/064 , C04B2237/122 , C04B2237/34 , C04B2237/341 , C04B2237/343 , C04B2237/36 , C04B2237/366 , C04B2237/368 , C04B2237/403 , C04B2237/567 , C04B2237/68 , C04B2237/704 , C04B2237/708 , C23C14/564 , C23C16/4404 , C23C16/45565 , C23C16/46 , H01J37/32119 , H01J37/3244 , H01J2237/166 , H01J2237/3341 , H01L21/67069 , H01L21/6719
摘要： 一种耐腐蚀组件(100)，其配置成与半导体加工反应器一起使用，所述耐腐蚀组件包括：a)陶瓷绝缘基底(110)；和，b)与所述陶瓷绝缘基底结合的耐腐蚀无孔层(120)，所述耐腐蚀无孔层具有包括基于耐腐蚀无孔层的总重量的至少15重量％的稀土化合物的组成；并且，所述耐腐蚀无孔层的特征在于基本上不含微裂纹和裂隙的显微结构和具有至少约100nm且至多约100μm的平均晶粒尺寸。还公开了包括耐腐蚀组件的组装体和制造方法。
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公开(公告)号：CN102672357B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201210050337.4
申请日：2012-02-22
申请人： 通用电气公司
CPC分类号： B21D41/02 , B23K1/19 , B23K3/087 , B23K35/02 , B23K35/30 , C04B37/026 , C04B2237/122 , C04B2237/123 , C04B2237/124 , C04B2237/125 , C04B2237/343 , C04B2237/402 , C04B2237/403 , C04B2237/405 , C04B2237/406 , C04B2237/407 , C04B2237/408 , C04B2237/55 , C04B2237/564 , C04B2237/567 , C04B2237/568 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , C04B2237/72 , C04B2237/76 , C04B2237/765 , C04B2237/80 , C04B2237/88 , C21D9/50 , Y10T428/12264 , Y10T428/12333
摘要： 本发明涉及受约束的金属凸缘及其制造方法。本发明提供一种制造带凸缘金属物品的方法。该方法包括：(a)将第一铜焊化合物施用到金属物品的第一部分上；(b)用一定长度的约束金属部件缠绕金属物品的第一部分；以及(c)将金属物品、约束金属部件和第一铜焊化合物的组件加热到高于第一铜焊化合物的固相线温度的温度，即典型地在大约300℃至大约2500℃的范围中的温度，以提供带凸缘金属物品，其中，金属物品具有热膨胀系数CTE 1，约束金属部件具有热膨胀系数CTE 2，并且CTE 1大于CTE 2。本发明进一步提供一种金属凸缘，它最大程度地减小高膨胀金属和低膨胀脆性材料之间的热膨胀失配。
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公开(公告)号：CN104245628A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201380020894.4
申请日：2013-04-18
申请人： 日东电工株式会社
IPC分类号： C04B35/645 , C09K11/77
CPC分类号： B28B23/028 , B32B18/00 , C04B35/44 , C04B35/6261 , C04B35/6264 , C04B35/6342 , C04B35/645 , C04B38/00 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3418 , C04B2235/441 , C04B2235/5409 , C04B2235/6025 , C04B2235/604 , C04B2235/606 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6581 , C04B2235/764 , C04B2235/95 , C04B2235/963 , C04B2235/9638 , C04B2237/343 , C04B2237/567 , C04B2237/66 , C04B2237/704 , C09K11/7706 , C09K11/7774 , C04B38/0655
摘要： 本文公开了一种使用筛网或网格来烧结平坦陶瓷的方法和装置。
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公开(公告)号：CN1878670B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200380110766.5
申请日：2003-12-05
申请人： 国际商业机器公司
发明人： 戈文达拉简·纳塔拉简 , 拉斯奇德·J·贝扎马
CPC分类号： B32B18/00 , C04B35/645 , C04B2237/32 , C04B2237/343 , C04B2237/366 , C04B2237/561 , C04B2237/562 , C04B2237/565 , C04B2237/567 , C04B2237/62 , C04B2237/64 , C04B2237/66 , C04B2237/702 , H01L21/4857 , H05K1/0306 , H05K3/4611 , H05K3/4629 , H05K2201/09781 , Y10T156/108 , Y10T428/24926
摘要： 一种通过在烧结之前将非致密化结构(40)放置在未加工陶瓷层压板(100)中控制热压制烧结的多层陶瓷层压板(100)的烧结后扭曲的方法。将一个或多个非致密化结构(40)放置在一个或多个陶瓷印刷电路基板(10)上，然后堆叠和层压该一个或多个陶瓷印刷电路基板以形成未加工陶瓷层压板(100)。然后烧结该层压板，并且该非致密化结构(40)将控制热压制的多层陶瓷基片的尺寸。通过在烧结之前将非致密化结构(40)放置在各个产品合并之间的切口区域(30)中，该方法可以用来控制作为单个或者合并基片制造的MLC基片的烧结后尺寸。
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