公开(公告)号：CN117248174A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202310714748.7

申请日：2023-06-16

申请人： 阔斯泰公司

发明人： 绿川裕 ,  铃木俊宏

IPC分类号： C23C4/11 ,  F27B9/24 ,  C23C4/14 ,  B22F3/10 ,  C21D9/00

摘要： 提供一种辊底炉用的辊，其能够使制造成本进一步下降，且能够抑制辊基材与被烧制物所包含的金属元素的反应，能够抑制热喷涂膜的龟裂、剥落。本发明的辊是具有碳化硅材质的基材和覆盖前述基材的外表面的保护膜并合适地作为锂离子电池正极件原料的烧制用而使用的辊底炉用的辊，当将前述基材的相对于全长的在轴向方向上的中心作为(M)、将前述中心(M)直到前述辊的末端的距离作为(L)、将以前述中心(M)为基准而沿着前述轴向方向等量且相互反向的距离(C)所包含的前述基材的整个表面的区域作为(X)时，前述保护膜仅形成于前述区域(X)，且0.33≦C/L≦0.8，前述保护膜的厚度是70μm以上250μm以下。

公开(公告)号：CN114340896A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202080061012.9

申请日：2020-07-01

申请人： 阔斯泰公司

发明人： R.迪瓦卡尔 ,  M.辛普森 ,  A.菲勒

IPC分类号： B32B18/00 ,  H05B3/74

摘要： 晶片加热器组件包括加热器基底和无孔最外层。加热器基底包括氮化硅(Si3N4)并且包括嵌入其中的至少一个加热元件。无孔最外层至少与加热器基底的第一表面相关联。无孔最外层包括稀土(RE)二硅酸盐(RE2Si2O7)；其中RE为Yb和Y之一。无孔最外层包括暴露的表面，所述暴露的表面配置成接触晶片以进行加热，所述暴露的表面与加热器基底的第一表面相反。还公开了制造晶片加热器组件的方法以及使用晶片加热器组件的方法。

公开(公告)号：CN109456076A

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201811037866.4

申请日：2018-09-06

申请人： 阔斯泰公司

发明人： 小林弘明 ,  横山优 ,  拉米什·瓦勒普 ,  萩原博隆

IPC分类号： C04B37/04 ,  C03C27/10 ,  C03C27/00

摘要： 本发明涉及硅玻璃部件、硅玻璃部件的制造方法及陶瓷与硅玻璃的接合方法，硅玻璃部件包括：主体部，其由硅玻璃构成，具有对于其它部件的接合部；以及接合膜，其被设置于上述接合部，含有Au和玻璃料熔融而形成的玻璃，厚度为0.2μm以上10μm以下，其中，所述接合膜由平均粒径3μm以下的Au粉末和软化点850℃以下的玻璃料来制作。

公开(公告)号：CN107117986A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201710217089.0

申请日：2011-05-20

申请人： 阔斯泰公司

发明人： J·费洛斯 ,  M·威尔森

IPC分类号： C04B37/00

摘要： 本申请涉及陶瓷对陶瓷接合件及相关方法。本发明提供了一种陶瓷对陶瓷接合件及其制备方法。通常，接合件包含第一陶瓷部件(15)和第二陶瓷部件(20)，其中所述第一陶瓷部件(15)和第二陶瓷部件(20)分别包含碳化陶瓷或者氮化陶瓷材料。在一些情况下，铝引发的接合区域对第一陶瓷部件(15)和第二陶瓷部件(20)进行接合。该接合区域通常包含从第一陶瓷部件(15)和第二陶瓷部件(20)扩散进入到接合区域的化学物质。此外，第一陶瓷部件(15)和第二陶瓷部件(20)通常分别包含与接合区域相邻设置的接合扩散区，该接合扩散区包含从接合区域扩散进入到接合扩散区的铝物质。还描述了其他实施方式。

公开(公告)号：CN109963825B

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN201780070875.0

申请日：2017-05-12

申请人： 阔斯泰公司

发明人： M.辛普森 ,  R.迪瓦卡 ,  A.菲勒

IPC分类号： B32B18/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/673 ,  H01L21/677 ,  H01J37/32 ,  C23C24/08 ,  C04B35/645

摘要： 一种配置成与半导体加工反应器一起使用的耐腐蚀组件，该耐腐蚀组件包括：a)陶瓷绝缘基底；和b)与陶瓷绝缘基底结合的白色耐腐蚀无孔外层，所述白色耐腐蚀无孔外层具有至少50μm的厚度、至多1％的孔隙率和包含基于耐腐蚀无孔层的总重量至少15重量％稀土化合物的组成；和，c)在白色耐腐蚀无孔外层的平坦表面上测量的至少90的L*值。还公开了制造方法。

公开(公告)号：CN110650551A

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201910542280.1

申请日：2019-06-21

申请人： 阔斯泰公司

发明人： 土井宽太

IPC分类号： H05B3/02 ,  H05B3/44

摘要： 本发明涉及碳线材加热器，该碳线材加热器包含玻璃部件以及被收容在所述玻璃部件的内部且通过供电而发热，所述碳线材发热体通过将捆扎了碳单纤维而成的多个碳纤维束编织成线状而形成，所述碳线材发热体的每个单位长度的重量在1g/m～5.1g/m的范围内，在所述编织成的由多个碳纤维束形成的空间部内不存在碳纤维束。

公开(公告)号：CN110295393A

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201910226503.3

申请日：2019-03-25

申请人： 阔斯泰公司

发明人： 八木洋贵

IPC分类号： C30B15/10 ,  C30B29/06 ,  C03B19/09 ,  C03B20/00

摘要： 本发明涉及一种石英玻璃坩埚及石英玻璃坩埚的制造方法，该石英玻璃坩埚在单晶硅的制造中使用，并且具有底部和侧壁的有底圆筒状，所述石英玻璃坩埚的特征在于，在使所述侧壁的上端面与台板接触时产生的台板与上端面的间隙在所述上端面的整个区域上为0.5mm以下的范围内。

公开(公告)号：CN109963825A

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201780070875.0

申请日：2017-05-12

申请人： 阔斯泰公司

发明人： M.辛普森 ,  R.迪瓦卡 ,  A.菲勒

IPC分类号： C04B35/645 ,  C04B35/626 ,  B32B18/00 ,  H01J37/32

摘要： 一种配置成与半导体加工反应器一起使用的耐腐蚀组件，该耐腐蚀组件包括：a)陶瓷绝缘基底；和b)与陶瓷绝缘基底结合的白色耐腐蚀无孔外层，所述白色耐腐蚀无孔外层具有至少50μm的厚度、至多1％的孔隙率和包含基于耐腐蚀无孔层的总重量至少15重量％稀土化合物的组成；和，c)在白色耐腐蚀无孔外层的平坦表面上测量的至少90的L*值。还公开了制造方法。

公开(公告)号：CN101896442B

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN200880119846.X

申请日：2008-10-29

申请人： 阔斯泰公司

发明人： A·G·黑尔 ,  E·A·佩里

IPC分类号： C23C16/42 ,  C04B35/573

CPC分类号： C04B35/565 ,  C04B2235/3821 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/421 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/722 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607

摘要： 在此提供了一种再结晶的碳化硅本体，该再结晶的碳化硅本体具有不小于约1E5Ωcm的电阻率以及包括结合在该本体之中的氮原子的氮含量，其中该氮含量是不大于约200ppm。

公开(公告)号：CN107459256A

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：CN201710408811.9

申请日：2017-06-02

申请人： 阔斯泰公司

发明人： 深泽祐司 ,  加藤幸子

IPC分类号： C03C3/06 ,  C03B20/00 ,  C03B25/00 ,  G03F1/60 ,  C03B5/235

摘要： 本发明提供真空紫外光的透光性高，并且在室温附近具有4.0×10-7/K以下的低热膨胀性的石英玻璃部件，特别是提供适合作为用于以ArF准分子激光(193nm)作为光源的双重图案曝光工序的光掩模基板的石英玻璃部件。所述石英玻璃部件为用于以真空紫外光作为光源的光刻工序的石英玻璃，氟浓4.0度×为101-w7/tK%以以上下且。5wt%以下，并且20℃~50℃的热膨胀系数为