加工方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108687638A

    公开(公告)日:2018-10-23

    申请号:CN201810224379.2

    申请日:2018-03-19

    发明人: 竹之内研二

    摘要: 本发明提供一种加工方法,该加工方法在对与切断预定线重叠地形成有包含金属的层叠体的板状的被加工物进行加工时,能够在维持加工品质的同时提高加工速度。该加工方法对与切断预定线重叠地形成有包含金属的层叠体的板状的被加工物进行加工,该加工方法具备下述步骤:保持步骤,利用保持工作台对被加工物进行保持;和切削步骤,在实施保持步骤后,利用环状的切削刀具沿着切断预定线对被加工物进行切削,分割层叠体;切削刀具具有在外周缘开口的狭缝,在切削步骤中,一边对被加工物供给包含有机酸和氧化剂的切削液,一边执行切削。

    一种具有固定稳定功能的多晶硅切割机

    公开(公告)号:CN108058276A

    公开(公告)日:2018-05-22

    申请号:CN201810044221.7

    申请日:2018-01-17

    发明人: 蒋朋飞

    IPC分类号: B28D5/02 B28D7/04 B28D7/00

    摘要: 本发明涉及多晶硅切割设备技术领域,且公开了一种具有固定稳定功能的多晶硅切割机,包括底座,所述底座的内壁固定连接有消音罩,所述底座的内部固定连接有电机,所述电机的输出端固定连接有主动齿盘,所述主动齿盘的表面啮合有从动齿盘,所述从动齿盘的轴心处固定连接有转轴,所述转轴的表面固定连接有切割刀,所述底座的顶端固定连接有固定块,所述固定块的内部固定连接有滑轨。该具有固定稳定功能的多晶硅切割机,通过设置滑轨和滑块,使多晶硅在切割的时候可以更好的进行移动,同时设置的压板解决了现有的多晶硅切割机在切割多晶硅的时候不便于进行固定的情况,避免了切割偏差的情况发生,从而达到了具备切割时固定稳定的目的。

    切削残余部除去装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104183476A

    公开(公告)日:2014-12-03

    申请号:CN201410065865.6

    申请日:2014-02-26

    IPC分类号: H01L21/301 B28D5/00

    CPC分类号: B28D5/023 B28D5/0058

    摘要: 本发明提供一种切削残余部除去装置,其目的在于提高晶片的生产成品率。根据本发明,第一喷嘴(30)喷射流体而在切削残余部(601)与晶片列(60)之间设置间隙,保持臂(710)使切削残余部(601)旋转,而扩宽切削残余部(601)与晶片列(60)之间的间隙且使切片基座(50)与切削残余部(601)剥离,使切削残余部(601)向与切削残余部(601)分开的方向移动,从而能将切削残余部(601)从切片基座(50)除去。由此,在取出晶片(600)时,能抑制晶片(600)与切削残余部(601)接触而产生的晶片(600)的裂纹、缺口等的品质异常,进而能提高晶片的生产成品率。

    半导体晶圆加工方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1645563A

    公开(公告)日:2005-07-27

    申请号:CN200510005503.9

    申请日:2005-01-20

    摘要: 一种半导体晶圆加工方法,用于通过使用切割刀片沿着渠道切割晶圆来将含有半导体芯片的半导体晶圆划分成单个半导体芯片,该半导体芯片由包括在半导体衬底正面上层叠的绝缘膜和功能膜的叠层构成,并由所述渠道来隔开,该方法包括:激光槽形成步骤,通过向半导体晶圆的渠道施加脉冲激光束来形成到达该半导体衬底的激光槽;和切割步骤,用于使用切割刀片沿着半导体晶圆的渠道中形成的所述激光槽切割该半导体衬底,其中在该激光槽形成步骤中,通过掩模部件将施加到所述渠道的脉冲激光束的光斑成形为矩形光斑,并将加工条件设定为满足L>(V/Y)(其中Y(Hz)是该脉冲激光束的重复频率,V(mm/sec)是加工-供给速率(晶圆与该脉冲激光束的相对移动速率,而L是该脉冲激光束的光斑在加工-供给方向上的长度)。

    切削装置的设置方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107303695A

    公开(公告)日:2017-10-31

    申请号:CN201710251943.5

    申请日:2017-04-17

    IPC分类号: B28D5/02 B28D7/02 B28D7/00

    摘要: 提供切削装置的设置方法,能够降低切削液的影响而准确地检测安装有切削刀具的切削单元的位置。一种切削装置(2)的设置方法,对切削刀具(46)的前端的位置进行检测,该切削装置(2)的设置方法包含如下的步骤:提供停止步骤,停止向切削刀具提供切削液(21);除水步骤,使切削单元(42)在切入进给方向上移动,在使旋转的切削刀具侵入到刃尖位置检测单元(50)的刀具侵入部(54c)中之后,使切削刀具从刀具侵入部退避,由此,使切削刀具的周围的气流变化,使随着切削刀具而旋转的切削液向周围飞散;以及位置检测步骤,使旋转的切削刀具再次侵入到刀具侵入部中,对受光部(58)的受光量成为规定的光量时的切削单元的位置进行检测。

    硅片切割装置
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107283657A

    公开(公告)日:2017-10-24

    申请号:CN201710577184.1

    申请日:2017-07-14

    发明人: 孙文生 孙传涛

    IPC分类号: B28D5/02 B28D7/04

    CPC分类号: B28D5/023 B28D5/0082

    摘要: 硅片切割装置,包括上支架、固定台、气缸、切割刀;所述上支架设于所述固定台上方,所述上支架上设有两条滑轨,两条所述滑轨之间相互平行,所述气缸横向设于两条所述滑轨之间,所述气缸的伸缩端纵向设于所述上支架下方,所述伸缩端靠近所述固定台的一端上横向设有推板,所述推板底部纵向设有连接杆,所述连接杆底部固定有切割刀固定架,所述切割刀设于所述切割刀固定架内;所述固定台上横向设有定位切割槽。本发明的有益效果为:(1)该切割装置可以一次性将单个硅片切割下来,避免了来回切割,导致对硅片的损伤及硅片边缘的不整齐;(2)固定台上设有定位切割槽,避免了切割时硅片的偏移,减少了成本的浪费。

    一种晶片切割工作台
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106273006A

    公开(公告)日:2017-01-04

    申请号:CN201610801086.7

    申请日:2016-09-05

    发明人: 赵少芹

    IPC分类号: B28D5/02 B28D7/04

    CPC分类号: B28D5/023 B28D5/0082

    摘要: 本发明属于晶片切割设备领域,具体来说是一种晶片切割工作台,其技术方案为:包括工作台,所述工作台设有滑动槽,所述滑动槽设有滑动挡块,所述工作台上设有切割槽,所述切割槽设有暗槽,所述切割槽设有轴承,所述轴承一端连接所述暗槽,所述轴承设有金刚石切片,所述工作台设有移动槽,所述移动槽设有移动箱,所述移动箱设有电机,所述电机连接所述轴承另一端,本发明操作简单,可以精确调节并初步切割得到所需要的晶片型号,减少了切割对晶片的损伤,不会产生晶片翘曲缺陷。

    一种可保护刀刃的晶圆切割刀

    公开(公告)号:CN106079123A

    公开(公告)日:2016-11-09

    申请号:CN201610462655.X

    申请日:2016-06-23

    发明人: 吕耀安

    IPC分类号: B28D5/02 B28D7/00 H01L21/67

    摘要: 本发明公开了一种可保护刀刃的晶圆切割刀,包括工作台,工作台上设置有保护层,晶圆放置在所述保护层之上;还包括安装在所述工作台上方的刀轴;刀轴之上安装有可绕所述刀轴旋转的晶圆切割刀;所述晶圆切割刀两侧设置有突起圆环;所述突起圆环与所述晶圆切割刀为同轴心固定;还包括传感器安装支架;所述传感器安装支架固定于工作台之上、刀轴的正前方;所述传感器安装支架之上安装有两个超声波传感器;晶圆切割刀位于两个超声波传感器的正中间;本发明可在晶圆切割刀进行切割的过程中,实时监测晶圆切割刀的切割位置,防止晶圆切割刀的刀刃切割的深度超出晶圆的厚度,对晶圆切割刀的刀刃造成损坏。延长了切割刀的寿命。