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公开(公告)号：CN118097142A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410249187.2
申请日：2024-03-05
申请人： 深圳市锐骏半导体股份有限公司
摘要： 本发明实施例提供了一种指纹图像区域分割方法、装置、设备及介质，通过以下步骤进行指纹图像区域分割，通过滤波算法对获取的用户指纹图像逐一滤波处理，以得到对应的滤波指纹图像。根据当前的滤波指纹图像中配置的计算公式计算噪点方位，以得到各滤波指纹图像的方位参数差值。根据像素划分规则对每一滤波指纹图像的方位参数差值逐一划分，得到背景信息、指纹信息以及待整理信息。进行数据整理以得到各滤波指纹图像的背景整理信息。通过预设第一数值范围对各组背景信息进行整理，得到第一背景图像。通过预设第二数值范围对各组指纹信息进行整理，得到第一指纹图像。将第一背景图像及第一指纹图像分割以生成与滤波指纹图像对应的最终结果图像。
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公开(公告)号：CN117140342A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311128788.X
申请日：2023-08-31
申请人： 深圳市锐骏半导体股份有限公司
IPC分类号： B24B37/04 , B24B37/10 , B24B37/30 , B24B37/34 , H01L21/683
摘要： 本发明公开了一种超薄晶圆片的制备方法及晶圆片，方法包括将待减薄的晶圆片平铺于工装台面并将晶圆片的背向表面直接放置于工装台面上；将光敏缓冲膜的粘性层的一侧表面对应粘贴于晶圆片的正向表面；将刚性载体的一侧表面对应粘贴于粘性层的另一侧表面上，刚性载体的另一侧表面裸露并朝向上；将刚性载体的裸露表面直接放置于工装台面上以使晶圆片的背向表面裸露并朝向上；自晶圆片的背向表面沿高度方向向下对晶圆片进行研磨减薄；将紫外光线投射至光敏缓冲膜以使其产生附着力嬗变并脱离于刚性载体；将光敏缓冲膜剥离于晶圆片的正向表面得到减薄后的晶圆片。本方法使用聚合物材料键合刚性支撑层以减少减薄前处理步骤，提高晶圆片减薄工艺的可靠性。
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公开(公告)号：CN116936514A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310658691.3
申请日：2023-06-05
申请人： 深圳市锐骏半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L23/495
摘要： 本发明涉及半导体封装技术领域，具体涉及一种新型IC倒装封装结构，包括引线框架和设置在引线框架上的集成电路芯片，引线框架上设有多个基岛，每个基岛上均印刷有锡膏；集成电路芯片的焊盘分别对应基岛通过贴片的方式放置在基岛上，锡膏经过回流炉融化后完成基岛与焊盘的电连接。本发明通过将功率器件的倒装封装技术应用于IC封装，可以提高生产效率，提升生产良率，降低生产成本，提升产品竞争力。
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公开(公告)号：CN116884865A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310662848.X
申请日：2023-06-05
申请人： 深圳市锐骏半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/687 , H01L21/67 , G01B5/00
摘要： 本发明属于半导体不良品检测技术领域，公开了一种DFN未切透不良品检测的治具及使用方法，包括基座，所述基座设有用于DFN产品滑动的滑槽；所述滑槽一端的端口宽度设置为待测尺寸上限，另一端的端口宽度设置为待测尺寸下限。本发明通过在滑槽的两端端口分别设置待测尺寸上限和下限，操作者只需将DFN产品在滑槽内拨动，观察DFN产品是否能滑入待测尺寸上限，是否可以卡在上下限端口之间来判断产品是否合格，拨入过程滑槽宽度尺寸依次递减，直至与DFN产品尺寸相同后卡在，测量结束后再拨出，操作简单而且测量精度高，测量效率高，有效提高DFN产品的返工效率，提升返工良率，降低返工成本，提升产品竞争力。
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公开(公告)号：CN116781058A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310665041.1
申请日：2023-06-06
申请人： 深圳市锐骏半导体股份有限公司
IPC分类号： H03K17/96
摘要： 本申请提供一种单通道电容式触摸按键，包括：电路板；所述电路板上设有：脉冲生成模块，用于生成同频同相位并相互间保持稳定压差的第一脉冲信号和第二脉冲信号；触摸件，设在所述电路板的表面并接入第二脉冲信号；触摸处理模块，其中设有比较电路和计数电路；所述计数电路接入第一脉冲信号；所述比较电路的第一输入端接入基准电压Vref，第二输入端与触摸件连接，输出端与所述计数电路连接；所述计数电路根据第一脉冲信号启动计数，然后根据比较电路的翻转信号停止计算，得到的计数结果若超出阀值则输出触摸信号，表示出现触摸情况，不但实现是触摸识别功能，而且将传统的触摸电极与设备地端融合，简化结构、消除误触干扰问题。
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公开(公告)号：CN116779574A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310988085.8
申请日：2023-08-08
申请人： 深圳市锐骏半导体股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种集成采样电阻的半导体装置及其制造方法，包括：芯片，所述芯片表面设置有第一焊盘和第二焊盘；多根键合引线，每根所述键合引线的两端均分别连接第一焊盘和第二焊盘，沿着多根键合引线排列的方向，相邻键合引线之间错位排列；其中，将所述多根键合引线作为电流采样时的采样电阻。多根键合引线产生的总电感由自感和互感决定，而自感一般可以通过控制打线机的参数调整。受限于芯片尺寸、电气参数等因素，键合引线的长度、直径可以调整的空间有限。本发明通过降低多根键合引线之间的互感来降低总电感。在键合引线长度、直径无法改变的情况下，可以进一步降低多根键合引线构成的采样电阻的寄生电感。
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公开(公告)号：CN116666344A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310923366.5
申请日：2023-07-26
申请人： 深圳市锐骏半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/31
摘要： 本发明提供一种框架结构，属于半导体封装制造领域，包括塑封体和芯片，还包括电连接材料、第一框架和第二框架，芯片设置在第一框架上，且芯片的底端与第一框架电性连接，电连接材料的另一端与第二框架连接，塑封体塑封在芯片、电连接材料、第一框架和第二框架的外侧，被塑封体包裹的第一框架和第二框架的底部均设置为粗糙结构面，粗糙结构面防止塑封体与第一框架和第二框架分层。通过使用框架铜板作为载体，也作为输出电极，满足功率半导体塑封中的过电流输出的能力，同时又可以节省载体，将塑封体积更小，把框架铜板的背部设置为内凹陷的粗糙结构，避免塑封体与铜板分层的情况，同时框架铜板上不用设计连接孔，框架铜板可以存放更多的芯片。
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公开(公告)号：CN110010508A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910282761.3
申请日：2019-04-10
申请人： 深圳市锐骏半导体股份有限公司
发明人： 张二雄
摘要： 本发明提供一种解决钝化层对功率器件可靠性影响的方法，功率器件表面包括元胞区和终端区，所述元胞区又分为GATE区域和Source区域，位于元胞区内的GATE区域和Source区域刻开区域,其余元胞区和终端区全部覆盖钝化层，所述终端区除钝化层Gate区域和source区域刻开一小块用于封装后引线外，同时在终端区打开一个或多个较小的刻开区，每个刻开区1um~20um宽，总刻开区的面积小于终端区面积的一半；释放终端区钝化层的膜内应力及可动离子，大大减小钝化层对终端区的影响，解决了因可动离子及应力问题导致的器件失效，大大提升器件的功能及可靠性。
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公开(公告)号：CN116978879B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202311027291.9
申请日：2023-08-14
申请人： 深圳市锐骏半导体股份有限公司
摘要： 本发明涉及冲压设备技术领域，且公开了一种有缓冲功能的金属连接片及其冲压设备，金属连接片包括用于焊接的两个引脚，两个所述引脚之间设置有与引脚一体成型的连接部，所述连接部的一侧开设有应力槽，冲压设备包括冲压机架、第一驱动装置和第二驱动装置，通过该冲压设备冲压出来的连接件能够满足所需的过电流能力，同时在使用过程中也不会因为机械应力过大将芯片拉裂或焊点脱开，造成失效。
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公开(公告)号：CN117038451B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311297249.9
申请日：2023-10-09
申请人： 深圳市锐骏半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L21/331 , G06F30/367 , H01L21/266 , H01L29/739 , H01L29/06
摘要： 本发明实施例公开了沟槽栅IGBT器件、制作方法及仿真方法，制作方法包括在终端区依序生成N‑RING截止环、G‑RING耐压环；在有源区形成CS层；进行退火推结；对终端区处理生成LOCOS厚氧化层，并持续退火推结；对终端区生成BODY阱区；生成栅氧化层，并持续退火推结；淀积并刻蚀多晶硅；对有源区形成N+发射极，并退火激活；对淀积介质层，刻蚀接触孔，注入P型离子；淀积金属层，并刻蚀金属；淀积钝化层，并刻蚀钝化层；对硅衬底背面形成背部FS层、背部P型集电极。通过实施本发明实施例的制作方法可实现提高CS层的注入效率，降低CSTBT导通压降和饱和电流，优化导通压降和关断损耗的折衷关系。
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