本发明实施例公开了沟槽栅IGBT器件、制作方法及仿真方法，制作方法包括在终端区依序生成N‑RING截止环、G‑RING耐压环；在有源区形成CS层；进行退火推结；对终端区处理生成LOCOS厚氧化层，并持续退火推结；对终端区生成BODY阱区；生成栅氧化层，并持续退火推结；淀积并刻蚀多晶硅；对有源区形成N+发射极，并退火激活；对淀积介质层，刻蚀接触孔，注入P型离子；淀积金属层，并刻蚀金属；淀积钝化层，并刻蚀钝化层；对硅衬底背面形成背部FS层、背部P型集电极。通过实施本发明实施例的制作方法可实现提高CS层的注入效率，降低CSTBT导通压降和饱和电流，优化导通压降和关断损耗的折衷关系。