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公开(公告)号：CN101356637A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200680050693.9
申请日：2006-11-03
申请人： NXP股份有限公司
发明人： 约翰·H·克洛特威克 , 安东尼厄·L·A·M·克默恩 , 罗纳德·德克尔 , 埃里克·C·E·范格林斯文 , 弗雷迪·罗泽博姆
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76898 , H01L21/764 , H01L23/481 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种产生带有至少一个受到覆盖的通道的衬底的方法，所述通道使第一衬底面和相对的第二衬底面电相连以及优选地热相连。工艺涉及在第一衬底面残余上形成沟槽以及用临时的牺牲帽层顶部上的永久层覆盖该沟槽，所述帽层在热加工步骤中分解。本发明的方法提供了去除牺牲帽层材料的分解产物，甚至在永久层存在的情况下不残留痕迹或污染的替代方法。根据本发明第一方面，由向衬底沟槽提供带孔保护层实现这一点。保护层上的孔洞为去除帽层材料分解产物留有空间。根据本发明的第二方面，从第二衬底面开覆盖沟槽以及允许通过该开口去除帽层材料提供了一种解决方案。本发明的两种方法都基于使用临时帽层的共同理念，甚至在去除临时帽层前就永久覆盖衬底开口的情况下。
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公开(公告)号：CN100456468C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200480016088.0
申请日：2004-06-08
申请人： NXP股份有限公司
发明人： 安德烈亚斯·B·M·简斯曼 , 罗纳德·德克尔 , 戈德弗里德斯·A·M·胡克斯 , 维博·D·范诺尔特 , 安东尼厄斯·L·A·M·克默尔恩
IPC分类号： H01L23/538
CPC分类号： H01L24/82 , H01L23/36 , H01L23/5389 , H01L23/66 , H01L24/24 , H01L2223/6644 , H01L2224/16225 , H01L2224/24137 , H01L2224/24227 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73267 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01058 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10329 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/15192 , H01L2924/18162 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： 一种电子器件，包括具有其中存在有源器件(8)的空腔(6)的衬底(1)。在衬底的第一侧面(2)上，互连结构(17)在空腔和衬底上延伸。在衬底的第二侧面上，可得到热沉(23)，空腔延伸到所述衬底的第二侧面。该器件特别适合用于例如高于2GHz的高频和高散热的条件下。
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公开(公告)号：CN101356637B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200680050693.9
申请日：2006-11-03
申请人： NXP股份有限公司
发明人： 约翰·H·克洛特威克 , 安东尼厄·L·A·M·克默恩 , 罗纳德·德克尔 , 埃里克·C·E·范格林斯文 , 弗雷迪·罗泽博姆
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76898 , H01L21/764 , H01L23/481 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种产生带有至少一个受到覆盖的通道的衬底的方法，所述通道使第一衬底面和相对的第二衬底面电相连以及优选地热相连。工艺涉及在第一衬底面残余上形成沟槽以及用临时的牺牲帽层顶部上的永久层覆盖该沟槽，所述帽层在热加工步骤中分解。本发明的方法提供了去除牺牲帽层材料的分解产物，甚至在永久层存在的情况下不残留痕迹或污染的替代方法。根据本发明第一方面，由向衬底沟槽提供带孔保护层实现这一点。保护层上的孔洞为去除帽层材料分解产物留有空间。根据本发明的第二方面，从第二衬底面开覆盖沟槽以及允许通过该开口去除帽层材料提供了一种解决方案。本发明的两种方法都基于使用临时帽层的共同理念，甚至在去除临时帽层前就永久覆盖衬底开口的情况下。
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公开(公告)号：CN102448873A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201080022991.3
申请日：2010-05-26
申请人： NXP股份有限公司
CPC分类号： H03H3/0073 , B81B2201/0271 , B81C1/0019 , Y10T29/49005 , Y10T29/49128 , Y10T29/49156
摘要： 公开了一种制造电子器件的方法，所述电子器件包括微机电(MEMS)元件，所述方法包括以下步骤：在衬底(32)的第一侧提供材料层(34)；在材料层(34)中提供沟槽(40)；从沟槽(40)刻蚀材料，以还从衬底(32)的第一侧刻蚀衬底(32)；从衬底的第二侧研磨衬底(32)以使沟槽(40)外露；以及使用外露的沟槽(40)作为刻蚀孔。外露的沟槽(40)被用作刻蚀孔，以从衬底(32)释放材料层(34)的一部分，例如梁谐振器(12)。提供了输入电极(6)、输出电极(8)和顶部电极(10)。
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公开(公告)号：CN101589468A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200880002446.0
申请日：2008-01-14
申请人： NXP股份有限公司
发明人： 罗纳德·德克尔 , 让-马克·扬努 , 尼古拉斯·J·A·范费恩 , 韦伯·D·范诺尔特
IPC分类号： H01L23/498
CPC分类号： H01L23/49827 , B81C1/00087 , B81C1/00238 , H01L23/13 , H01L23/481 , H01L23/49833 , H01L25/0657 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/056 , H01L2224/16225 , H01L2224/73204 , H01L2225/06513 , H01L2225/06572 , H01L2924/00014 , H01L2924/1461 , H01L2924/3011 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
摘要： 本发明涉及一种系统级封装，该系统级封装包括具有小于100μm厚度的集成衬底和多个通过衬底的通路，这些通过衬底的通路具有大于5的深宽比。第一芯片被附接至该集成衬底，并被布置在该集成衬底和支撑之间，该支撑适于在处理和操作过程中机械地支撑该集成衬底。根据本发明，在没有通过衬底的孔蚀刻步骤的情况下，可以制造该系统级封装。较大的深宽比暗示着减小的横向延伸，该减小的横向延伸允许增大集成密度和减小引线电感。
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