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公开(公告)号：CN101356637B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200680050693.9
申请日：2006-11-03
申请人： NXP股份有限公司
发明人： 约翰·H·克洛特威克 , 安东尼厄·L·A·M·克默恩 , 罗纳德·德克尔 , 埃里克·C·E·范格林斯文 , 弗雷迪·罗泽博姆
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76898 , H01L21/764 , H01L23/481 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种产生带有至少一个受到覆盖的通道的衬底的方法，所述通道使第一衬底面和相对的第二衬底面电相连以及优选地热相连。工艺涉及在第一衬底面残余上形成沟槽以及用临时的牺牲帽层顶部上的永久层覆盖该沟槽，所述帽层在热加工步骤中分解。本发明的方法提供了去除牺牲帽层材料的分解产物，甚至在永久层存在的情况下不残留痕迹或污染的替代方法。根据本发明第一方面，由向衬底沟槽提供带孔保护层实现这一点。保护层上的孔洞为去除帽层材料分解产物留有空间。根据本发明的第二方面，从第二衬底面开覆盖沟槽以及允许通过该开口去除帽层材料提供了一种解决方案。本发明的两种方法都基于使用临时帽层的共同理念，甚至在去除临时帽层前就永久覆盖衬底开口的情况下。
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公开(公告)号：CN101682252A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880015203.0
申请日：2008-05-08
申请人： NXP股份有限公司
发明人： 约翰·H·克洛特威克 , 亨德里克·J·贝格弗尔德 , 弗雷迪·罗泽博姆 , 德克·雷夫曼 , 亚普·鲁伊格罗克
CPC分类号： H01L27/0805 , H02M3/07
摘要： 本发明涉及一种可配置沟槽式多电容器件，其包括：半导体基底中的沟槽。所述沟槽具有超过10微米的横向延伸；以及沟槽填充，其包括至少四个导电电容器电极层。开关单元，其包括电连接于沟槽填充的不同电容器电极层之间的多个开关元件；控制单元，其与开关单元连接，并且被配置用于产生并向开关单元提供各控制信号，以通过使用沟槽填充的电容器电极层来形成多个多电容器结构的每一个。
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公开(公告)号：CN101341576B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200680041421.2
申请日：2006-11-02
申请人： NXP股份有限公司
发明人： 弗雷迪·罗泽博姆 , 约翰·H·克洛特威克 , 安东尼厄·L·A·M·克默思 , 德克·瑞夫曼 , 约翰内斯·F·C·M·维默思
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L28/91 , H01L27/0805 , H01L27/1087 , H01L29/945
摘要： 本发明涉及一种包括至少一个沟槽电容器(302)的电子器件(300)，所述电容器也可以采用倒置结构的形式，即柱电容器。在沟槽电容器里或柱电容器上有由至少两个电介质层(312、316)和至少两个导电层(314、318)形成的交替的层序列(308)，其中至少两个电介质层分别使至少两个导电层彼此隔离并且与衬底隔离。因此，本发明的电子器件为导电层彼此大量结合或者当使用多个沟槽时不同沟槽电容器导电层之间结合提供了灵活的沟槽电容器生产平台。要求了诸如电荷泵电路或DC-DC电压转换器之类的芯片上的应用，所述应用将受益从由本发明的电子器件获得的超高电容密度和高击穿电压。
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公开(公告)号：CN101443907B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200780017416.2
申请日：2007-05-14
申请人： NXP股份有限公司
发明人： 德克·瑞夫曼 , 弗雷迪·罗泽博姆 , 约翰·H·克洛特威克
IPC分类号： H01L23/522 , H01L25/16 , H01L27/088 , H01L23/552 , H01L23/538
CPC分类号： H01L27/0805 , H01L23/3107 , H01L23/3128 , H01L23/4334 , H01L23/49575 , H01L23/5223 , H01L23/5227 , H01L23/642 , H01L23/645 , H01L25/16 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/056 , H01L2224/16 , H01L2924/01087 , H01L2924/1461 , H01L2924/19041 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： 芯片(100)包括沟槽电容器(102)的网络和电感器(114)，其中沟槽电容器(102)与互连(113A，B，...)图案并联，该互连(113A，B，...)图案被设计为限制在互连(113A，B，...)中产生电感器(114)所感应的涡流。这使得能够使用芯片(100)作为DC-DC转换器的一部分，该DC-DC转换器被集成在具有第一芯片和第二芯片(100)(即本芯片)的组件中。可以将该集成的DC-DC转换器中的电感器定义在组件内的其他位置。
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公开(公告)号：CN102197479A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200980143290.2
申请日：2009-10-21
申请人： NXP股份有限公司
IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/48
CPC分类号： H01L23/49827 , H01L21/4846 , H01L23/481 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/05 , H01L2224/05548 , H01L2224/13 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/14181 , H01L2924/1301 , H01L2924/1461 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种半导体器件，其用在该半导体器件和其他半导体器件的堆叠配置中。该半导体器件包括：基板(5)，所述基板(5)包括在其第一侧面提供的电子电路(7)的至少一部分。所述基板(5)包括在第一侧面的钝化层(19)，以及从第一侧面延伸至过孔深度并超过电子电路(7)的深度的基板过孔，使得能够通过对所述基板(5)的背面减薄来将基板过孔重配置为基板贯通过孔(10)。该半导体器件还包括：图案化掩模层(15)，在所述基板(5)的第一侧面上。图案化掩模层(15)至少包括完全延伸通过图案化掩模层(15)的沟槽(16)。该沟槽(16)已填充有重分布导体(20)。基板过孔和重分布导体(20)包括金属膏(MP)并一起形成为一体。本发明的半导体器件的特征的效果在于，在基板贯通过孔(10)和重分布导体(20)之间没有物理界面。由于本发明，减少了该电连接的寄生电阻，这产生了半导体器件的更好的电性能。本发明还涉及一种制造这种半导体器件的方法。本发明还涉及一种包括多个这种半导体器件的堆叠配置的半导体组件。
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公开(公告)号：CN101356637A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200680050693.9
申请日：2006-11-03
申请人： NXP股份有限公司
发明人： 约翰·H·克洛特威克 , 安东尼厄·L·A·M·克默恩 , 罗纳德·德克尔 , 埃里克·C·E·范格林斯文 , 弗雷迪·罗泽博姆
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76898 , H01L21/764 , H01L23/481 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种产生带有至少一个受到覆盖的通道的衬底的方法，所述通道使第一衬底面和相对的第二衬底面电相连以及优选地热相连。工艺涉及在第一衬底面残余上形成沟槽以及用临时的牺牲帽层顶部上的永久层覆盖该沟槽，所述帽层在热加工步骤中分解。本发明的方法提供了去除牺牲帽层材料的分解产物，甚至在永久层存在的情况下不残留痕迹或污染的替代方法。根据本发明第一方面，由向衬底沟槽提供带孔保护层实现这一点。保护层上的孔洞为去除帽层材料分解产物留有空间。根据本发明的第二方面，从第二衬底面开覆盖沟槽以及允许通过该开口去除帽层材料提供了一种解决方案。本发明的两种方法都基于使用临时帽层的共同理念，甚至在去除临时帽层前就永久覆盖衬底开口的情况下。
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公开(公告)号：CN101341576A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200680041421.2
申请日：2006-11-02
申请人： NXP股份有限公司
发明人： 弗雷迪·罗泽博姆 , 约翰·H·克洛特威克 , 安东尼厄·L·A·M·克默思 , 德克·瑞夫曼 , 约翰内斯·F·C·M·维默思
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L28/91 , H01L27/0805 , H01L27/1087 , H01L29/945
摘要： 本发明涉及一种包括至少一个沟槽电容器(302)的电子器件(300)，所述电容器也可以采用倒置结构的形式，即柱电容器。在沟槽电容器里或柱电容器上有由至少两个电介质层(312、316)和至少两个导电层(314、318)形成的交替的层序列(308)，其中至少两个电介质层分别使至少两个导电层彼此隔离并且与衬底隔离。因此，本发明的电子器件为导电层彼此大量结合或者当使用多个沟槽时不同沟槽电容器导电层之间结合提供了灵活的沟槽电容器生产平台。要求了诸如电荷泵电路或DC－DC电压转换器之类的芯片上的应用，所述应用将受益从由本发明的电子器件获得的超高电容密度和高击穿电压。
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公开(公告)号：CN101682252B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN200880015203.0
申请日：2008-05-08
申请人： NXP股份有限公司
发明人： 约翰·H·克洛特威克 , 亨德里克·J·贝格弗尔德 , 弗雷迪·罗泽博姆 , 德克·雷夫曼 , 亚普·鲁伊格罗克
CPC分类号： H01L27/0805 , H02M3/07
摘要： 本发明涉及一种可配置沟槽式多电容器件，其包括：半导体基底中的沟槽。所述沟槽具有超过10微米的横向延伸；以及沟槽填充，其包括至少四个导电电容器电极层。开关单元，其包括电连接于沟槽填充的不同电容器电极层之间的多个开关元件；控制单元，其与开关单元连接，并且被配置用于产生并向开关单元提供各控制信号，以通过使用沟槽填充的电容器电极层来形成多个多电容器结构的每一个。
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公开(公告)号：CN101467341A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200780021301.0
申请日：2007-06-01
申请人： NXP股份有限公司
发明人： 德克·瑞夫曼 , 弗雷迪·罗泽博姆 , 皮卓司·H·L·诺滕 , 约翰·H·克洛特威克
CPC分类号： H02M3/073 , H01M10/0436 , H01M10/0525 , H01M10/0562 , H01M10/425
摘要： 本发明提供了一种电子设备，包括DC－DC转换器。DC－DC转换器包括至少一个固态充电电池(B1、B2)用于存储用于DC－DC转换的能量，以及输出电容C2。
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公开(公告)号：CN101443907A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200780017416.2
申请日：2007-05-14
申请人： NXP股份有限公司
发明人： 德克·瑞夫曼 , 弗雷迪·罗泽博姆 , 约翰·H·克洛特威克
IPC分类号： H01L23/522 , H01L25/16 , H01L27/088 , H01L23/552 , H01L23/538
CPC分类号： H01L27/0805 , H01L23/3107 , H01L23/3128 , H01L23/4334 , H01L23/49575 , H01L23/5223 , H01L23/5227 , H01L23/642 , H01L23/645 , H01L25/16 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/056 , H01L2224/16 , H01L2924/01087 , H01L2924/1461 , H01L2924/19041 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： 芯片(100)包括沟槽电容器(102)的网络和电感器(114)，其中沟槽电容器(102)与互连(113A，B，…)图案并联，该互连(113A，B，…)图案被设计为限制在互连(113A，B，…)中产生电感器(114)所感应的涡流。这使得能够使用芯片(100)作为DC－DC转换器的一部分，该DC－DC转换器被集成在具有第一芯片和第二芯片(100)(即本芯片)的组件中。可以将该集成的DC－DC转换器中的电感器定义在组件内的其他位置。
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