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公开(公告)号：CN101682252A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880015203.0
申请日：2008-05-08
申请人： NXP股份有限公司
发明人： 约翰·H·克洛特威克 , 亨德里克·J·贝格弗尔德 , 弗雷迪·罗泽博姆 , 德克·雷夫曼 , 亚普·鲁伊格罗克
CPC分类号： H01L27/0805 , H02M3/07
摘要： 本发明涉及一种可配置沟槽式多电容器件，其包括：半导体基底中的沟槽。所述沟槽具有超过10微米的横向延伸；以及沟槽填充，其包括至少四个导电电容器电极层。开关单元，其包括电连接于沟槽填充的不同电容器电极层之间的多个开关元件；控制单元，其与开关单元连接，并且被配置用于产生并向开关单元提供各控制信号，以通过使用沟槽填充的电容器电极层来形成多个多电容器结构的每一个。
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公开(公告)号：CN101682252B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN200880015203.0
申请日：2008-05-08
申请人： NXP股份有限公司
发明人： 约翰·H·克洛特威克 , 亨德里克·J·贝格弗尔德 , 弗雷迪·罗泽博姆 , 德克·雷夫曼 , 亚普·鲁伊格罗克
CPC分类号： H01L27/0805 , H02M3/07
摘要： 本发明涉及一种可配置沟槽式多电容器件，其包括：半导体基底中的沟槽。所述沟槽具有超过10微米的横向延伸；以及沟槽填充，其包括至少四个导电电容器电极层。开关单元，其包括电连接于沟槽填充的不同电容器电极层之间的多个开关元件；控制单元，其与开关单元连接，并且被配置用于产生并向开关单元提供各控制信号，以通过使用沟槽填充的电容器电极层来形成多个多电容器结构的每一个。
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公开(公告)号：CN101065721B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200580040736.0
申请日：2005-09-19
申请人： NXP股份有限公司
IPC分类号： G06F3/033 , G01R33/09 , G06K11/00 , G05G9/047 , H01L43/08 , H01F10/32 , G01B7/00 , G01L9/00 , G11B9/00 , G11B5/39 , G01D5/12
CPC分类号： G01R33/096 , B82Y25/00 , G01D5/147 , G01L1/14 , G01L5/223 , G01R33/093 , G05G2009/04755 , G11B5/39 , H01F10/324 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H03K2217/96011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： 一种磁传感器，含有布置在基板上的磁体(30)和磁阻元件(20)，使得通过磁阻元件的磁场线实质上平行于基板平面。由于改变了通过元件的磁场线的数量，所以可以检测基板附近可移动磁导元件(40)的运动。同垂直场线布置的设备相比，所述设备更为灵敏，而且更易于加工制造和集成。应用包括模拟指示器、压力传感器和麦克风。所述设备使用放置在元件每侧的磁体检测元件上间隙尺寸的变化。随着间隙靠近，通过磁阻元件的平行向的场越来越少。
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