一种用于将半导体芯片粘合到着陆晶片的方法

    公开(公告)号:CN108063111A

    公开(公告)日:2018-05-22

    申请号:CN201711085870.3

    申请日:2017-11-07

    Abstract: 本发明涉及一种用于将芯片粘合到着陆晶片的方法。根据本发明的方法,一定体积的对准液被分配在芯片的可润湿表面上以便变得附着到所述表面,此后芯片被朝向晶片的粘合位置移动,所述粘合位置同样设置有可润湿表面。液桥被形成在芯片和基板晶片上的粘合位置之间,从而使芯片能够自对准。就减轻液体在粘合之前的不希望的蒸发而言,将对准液分配在芯片而不是晶片上是有利的。

    用于在半导体衬底上产生接触区的方法

    公开(公告)号:CN104282577A

    公开(公告)日:2015-01-14

    申请号:CN201410282832.7

    申请日:2014-06-23

    Applicant: IMEC公司

    Abstract: 本发明涉及用于在半导体衬底上产生接触区的方法。本发明涉及一种用于产生适于插入接合的形成在其表面上包括一个或多个金属化层叠层的半导体衬底(1)上的凹接触区的方法。使用抗蚀剂层作为掩膜通过等离子体蚀刻在介电层上蚀刻出开口。抗蚀剂材料和等离子体蚀刻参数被选择成由于形成在抗蚀剂孔的侧壁上的聚合物层和在蚀刻步骤期间形成的凹接触开口的受控形成,而获得具有带预定义斜率的斜侧壁的开口。根据一优选实施例,使用化学机械抛光将沉积在凹接触区中和介电层顶部上的金属平面化,从而造成互相隔离的接触区。与现有技术阵列相比,可以产生具有更小节距的这样的区域的阵列。本发明同样涉及可通过本发明的方法获得的组件以及包括这样的组件的封装。

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