-
公开(公告)号：CN104282577A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410282832.7
申请日：2014-06-23
Applicant: IMEC公司
Abstract: 本发明涉及用于在半导体衬底上产生接触区的方法。本发明涉及一种用于产生适于插入接合的形成在其表面上包括一个或多个金属化层叠层的半导体衬底(1)上的凹接触区的方法。使用抗蚀剂层作为掩膜通过等离子体蚀刻在介电层上蚀刻出开口。抗蚀剂材料和等离子体蚀刻参数被选择成由于形成在抗蚀剂孔的侧壁上的聚合物层和在蚀刻步骤期间形成的凹接触开口的受控形成，而获得具有带预定义斜率的斜侧壁的开口。根据一优选实施例，使用化学机械抛光将沉积在凹接触区中和介电层顶部上的金属平面化，从而造成互相隔离的接触区。与现有技术阵列相比，可以产生具有更小节距的这样的区域的阵列。本发明同样涉及可通过本发明的方法获得的组件以及包括这样的组件的封装。
Search Results
1
records
(took 0.014 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
