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公开(公告)号：CN1904737A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200610073977.1
申请日：2006-02-01
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027 , G06F17/00 , G03F9/00
CPC classification number: G03F7/70433 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/24 , G03F7/70283 , G03F7/70666 , G03F9/7003 , G03F9/7076 , G03F9/7088
Abstract: 一种产生光刻图案形成装置的方法，利用光刻投影装置把在图案形成装置中的图案转移到衬底，包括：定义形成在图案形成装置中的图案的特征，该特征具有选定的尺寸和定向以便在衬底上建立所需图像；调整特征的尺寸以补偿所需图像的位移误差和尺寸误差，该位移误差和尺寸误差由图案转移期间特征上的辐射的有效阴影角引入或者与图案转移期间曝光狭缝内的特征的位置有关。用于确定目标图象在衬底上的位置或接近衬底的位置的测量装置，通过图案形成装置上的特征形成目标图象，测量装置包括用于测量目标图象在衬底上的位置或接近衬底的位置的检测器，该检测器补偿目标图像的所测量位置的位移误差和尺寸误差。包括测量装置的光刻装置。
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公开(公告)号：CN100498537C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200510065529.2
申请日：2005-03-21
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： H·-J·沃尔马 , A·J·J·范蒂斯塞多克 , U·米坎
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70558
Abstract: 一种光刻装置，包括用于提供辐射投影束的照明系统，用于支撑将图案传给投影束的构图结构的支撑结构，用于支持晶片的基板台和用于将构图射束投影到晶片的目标部位的投影系统。为了控制在晶片上的辐射剂量以提高晶片的生产量，提供可变衰减器，以便改变投影束的强度而不改变射束的位置。可变衰减器包括两个平行设置的反射镜，使得辐射输入射束入射到第一反射镜，辐射被第一反射镜朝第二反射镜反射，辐射被第二反射镜反射以产生所需强度的辐射输出射束以输入到照明系统；以及包括用于倾斜反射镜的机制，使得反射镜保持彼此平行，并且改变射束在反射镜上的入射角，以便改变输出射束的强度。这允许连续改变投影束的强度而不改变射束的位置。
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公开(公告)号：CN1530747A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN200310124671.0
申请日：2003-11-27
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/24 , G03F7/70283 , G03F7/706
Abstract: 本发明涉及使用光刻装置的器件制造方法和用于控制光刻装置的计算机程序。该方法包括在光刻装置的投影系统中产生系统象差，进而对以斜度投影带有厚吸收层的厚反射掩模产生的图象进行优化。象差包括Z5(象散HV)、Z9(球面象差)和Z12(象散)。
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公开(公告)号：CN100538525C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200510056552.5
申请日：2005-01-15
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: B82Y10/00 , G03F7/70166 , G03F7/70175 , G03F7/70891
Abstract: 一种光刻设备，包括：照明系统，用于提供辐射的投射光束；支撑结构，用于支撑构图装置，该构图装置用于使投射光束在其横截面上具有图案；衬底台，用于支承衬底；投射系统，用于将带图案的光束投射到衬底的目标部分上；以及收集器，被设置成用于将从第一辐射源接收的辐射传输到照明系统上，其中所述设备包括至少一个加热器，以在收集器没有从第一辐射源接收辐射时加热该收集器，其中所述加热器至少包括或者连接到一个控制器，用于控制所述加热器，而且所述控制器设置成当第一辐射源不作用时启动加热器。本发明还提供一种收集器和器件制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1648777A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200510056552.5
申请日：2005-01-15
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: B82Y10/00 , G03F7/70166 , G03F7/70175 , G03F7/70891
Abstract: 一种光刻设备，包括提供辐射的投射光束(PB)的照明系统(IL)、支持构图装置(MA)的支撑结构(MT)，该构图装置(MA)用于使投射光束(PB)在其横截面上构成图案。所述设备进一步包括支持衬底(W)的衬底台(WT)、将受到构图的光束投射到衬底(W)的目标部分上的投射系统(PL)，以及收集器(1；101；201)，收集器(1；101；201)设置成将从第一辐射源(SO)接收的辐射(R)传输到照明系统(IL)。所述设备包括至少一个加热器(2；102；202)，用于当收集器基本上没有从第一辐射源(SO)接收辐射时加热收集器(1；101；201)。该发明还提供一种器件制造方法以及由此制成的器件。
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公开(公告)号：CN100495213C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200410074855.5
申请日：2004-08-30
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： E·R·鲁普斯特拉 , M·M·T·M·迪里奇斯 , J·C·M·贾斯佩 , H·J·M·迈杰 , U·米坎 , J·C·H·穆肯斯 , M·里普森 , T·尤特迪克 , J·J·M·巴塞曼斯
CPC classification number: G03F7/70966 , G03F7/70341 , G03F7/70958 , G03F7/70983 , Y10S430/162
Abstract: 本发明公开一种使用浸液的光刻投影装置，所述浸液位于该投影系统的最后元件和基底W之间。公开多种用于保护该投影系统、基底台和液体保持系统的部件的方法。这些方法包括在该投影系统的最后元件(20)上设置保护层，以及在该部件的上游设置牺牲保护体。还公开了由CaF2制成的由两个部件构成的最后光学元件。
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公开(公告)号：CN1673875A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510065529.2
申请日：2005-03-21
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： H·-J·沃尔马 , A·J·J·范蒂斯塞多克 , U·米坎
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70558
Abstract: 一种光刻装置，包括用于提供辐射投影束的照明系统，用于支撑将图案传给投影束的构图结构的支撑结构，用于支持晶片的基板台和用于将构图射束投影到晶片的目标部位的投影系统。为了控制在晶片上的辐射剂量以提高晶片的生产量，提供可变衰减器，以便改变投影束的强度而不改变射束的位置。可变衰减器包括两个平行设置的反射镜，使得辐射输入射束入射到第一反射镜，辐射被第一反射镜朝第二反射镜反射，辐射被第二反射镜反射以产生所需强度的辐射输出射束以输入到照明系统；以及包括用于倾斜反射镜的机制，使得反射镜保持彼此平行，并且改变射束在反射镜上的入射角，以便改变输出射束的强度。这允许连续改变投影束的强度而不改变射束的位置。
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公开(公告)号：CN100582947C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200610073977.1
申请日：2006-02-01
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027 , G06F17/00 , G03F9/00
CPC classification number: G03F7/70433 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/24 , G03F7/70283 , G03F7/70666 , G03F9/7003 , G03F9/7076 , G03F9/7088
Abstract: 一种产生光刻图案形成装置的方法，利用光刻投影装置把在图案形成装置中的图案转移到衬底，包括：定义形成在图案形成装置中的图案的特征，该特征具有选定的尺寸和定向以便在衬底上建立所需图像；调整特征的尺寸以补偿所需图像的位移误差和尺寸误差，该位移误差和尺寸误差由图案转移期间特征上的辐射的有效阴影角引入或者与图案转移期间曝光狭缝内的特征的位置有关。用于确定目标图象在衬底上的位置或接近衬底的位置的测量装置，通过图案形成装置上的特征形成目标图象，测量装置包括用于测量目标图象在衬底上的位置或接近衬底的位置的检测器，该检测器补偿目标图像的所测量位置的位移误差和尺寸误差。包括测量装置的光刻装置。
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公开(公告)号：CN1591197A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410074855.5
申请日：2004-08-30
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： E·R·鲁普斯特拉 , M·M·T·M·迪里奇斯 , J·C·M·贾斯佩 , H·J·M·迈杰 , U·米坎 , J·C·H·穆肯斯 , M·里普森 , T·尤特迪克 , J·J·M·巴塞曼斯
CPC classification number: G03F7/70966 , G03F7/70341 , G03F7/70958 , G03F7/70983 , Y10S430/162
Abstract: 本发明公开一种使用浸液的光刻投影装置，所述浸液位于该投影系统的最后元件和基底W之间。公开多种用于保护该投影系统、基底台和液体保持系统的部件的方法。这些方法包括在该投影系统的最后元件(20)上设置保护层，以及在该部件的上游设置牺牲保护体。还公开了由CaF2制成的由两个部件构成的最后光学元件。
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