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公开(公告)号：CN118794976A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202411281153.8
申请日：2024-09-13
申请人： 青岛华芯晶电科技有限公司 , 青岛立昂晶电半导体科技有限公司
IPC分类号： G01N23/2251 , G06T7/00 , G06V10/764
摘要： 本发明涉及晶体杂质检测技术领域，尤其涉及基于图像处理的磷化铟晶体杂质检测方法及系统，本发明将杂质分布特征数据导入杂质分布差异分析模型中，对磷化铟晶体的杂质分布差异进行分析；将杂质分布差异分析结果和生产流程控制数据导入生产流程差异分析模型中，对磷化铟晶体生产流程差异进行分析；将生产流程差异分析结果导入生产流程优化模型中对磷化铟晶体的生产流程进行优化；根据磷化铟晶体的生产流程优化结果，对磷化铟晶体生长产线的生产参数进行调整。通过根据不同杂质类别的特点，能够有针对性地优化晶体生长的生产参数，既能保证生产的高效性，又能最大化减少特定杂质的生成，从而提高磷化铟晶体的纯度和性能。
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公开(公告)号：CN118799325A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202411287937.1
申请日：2024-09-14
申请人： 青岛华芯晶电科技有限公司 , 青岛立昂晶电半导体科技有限公司
IPC分类号： G06T7/00 , G06V10/40 , G06V10/764
摘要： 本发明公开了基于特征分析的晶体缺陷识别系统及方法，属于特征分析领域，本发明将需要进行分析的晶体图像数据导入特征提取模型中进行缺陷特征的提取，将提取得到的缺陷特征导入构建的缺陷特征初步识别模型中进行缺陷特征的初步识别，将晶体生长过程中的环境数据导入环境影响分析模型中进行环境影响分析，将环境影响分析结果和缺陷特征的初步识别结果导入缺陷特征二次识别模型中进行缺陷种类识别，将得到的缺陷种类识别结果输出至用户端，本申请通过对晶体图像进行图像分析获取反应缺陷种类的多维图像隐含特征，同时与晶体生长过程环境数据综合分析以对缺陷特征进行准确识别的技术方案，实现了提高缺陷识别准确率和效率的技术效果。
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公开(公告)号：CN115565924A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211265595.4
申请日：2022-10-17
申请人： 青岛立昂晶电半导体科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种晶片滑动对位装置，涉及晶片滑动对位装置技术领域。检测盘位于底座的上方，大边对位线位于检测盘的轮廓线之外，在滑动对位机构中，滑动凹槽设置在底座上、位于检测盘的侧部，滑块立于滑动凹槽内，滑杆架设在滑动凹槽中且穿过滑块，滑块沿着滑杆移动且移动方向垂直于大边检测线，大边检测线与滑动凹槽靠近检测盘的侧面共面。与现有技术相比，本发明有以下技术优点：将晶片放置在检测盘上，通过滑动对位机构进行晶片对正；对正后滑块退出，在测量同一晶片不同位置时，只需转动装置上的检测盘，即可对晶片再次进行测量，不需要反复放入取出晶片。
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公开(公告)号：CN115642100A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211270918.9
申请日：2022-10-17
申请人： 青岛立昂晶电半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明提供了一种晶片检测台及检测方法，涉及晶片检测台技术领域。包括：底盒和用于承载待检晶片的检测盘，检测盘位于底盒的上方，对正机构安装在底盒上，用于将检测盘上的待检晶片对正放置，驱动机构安装在底盒上并与检测盘传动连接，驱动机构能够使检测盘转动，固定机构用于将晶片固定在检测盘上。与现有技术相比，本发明有以下技术优点：在测量同一晶片不同位置时，只需转动装置上的手摇转盘即可使伞型齿轮带动检测盘进行转动，对晶片不同位置进行测量，不需要反复放入取出晶片，在提高生产效率、节省人力成本的同时也极大的减少了晶片表面与检测平台的反复接触摩擦造成的表面划伤现象，有利于节约生产成本。
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公开(公告)号：CN219886240U
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202320461394.5
申请日：2023-03-13
申请人： 青岛立昂晶电半导体科技有限公司
摘要： 本实用新型涉及磷化铟加工技术领域，公开了一种磷化铟晶体生长除杂装置，所述第一传动轴的轴杆外侧套设有第一搅拌扇叶，所述第二传动轴的轴杆外侧套设有第二搅拌扇叶，所述积水槽的腔体内部沿其周向排布设置有包裹于第二搅拌扇叶外侧且正对于拨水槽槽口处的多组分隔框架，且分隔框架的内部放置有置料斗。本实用新型传动机构驱动除杂清洗机构两组搅拌扇叶的同步运转，利用两组搅拌扇叶的同步运转，能够驱动水流以对流的方式，对置料斗内磷化铟晶体进行对流冲刷式除杂清洗工作，其一方面能够提高清洗除杂效率，节省清洗除杂时长，另一方面能够确保磷化铟晶体的清洗除杂全面性。
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公开(公告)号：CN219401319U
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202320385235.1
申请日：2023-03-06
申请人： 青岛立昂晶电半导体科技有限公司
摘要： 本实用新型涉及磷化铟加工技术领域，公开了一种用于磷化铟加工用的清洗装置，所述储水箱的箱口端安装有传输网带，且传输网带的带面上方正对于清洗箱的腔体内部呈等间距形式排布设置有多组喷淋架，所述储水箱的底部排水端连接有抽水泵，且抽水泵与喷淋架之间通过供水管连通，所述传输网带的带面上方错开喷淋架的一侧设置有多组刷毛辊。本实用新型通过循环清洗机构中传输网带对磷化铟的循环上料，在喷淋架的同步喷淋、刷毛辊的同步滚刷下，能够对磷化铟进行不间断式、循环上料清洗工作，其一方面能够提高磷化铟的清洗效率，节省清洗时长，另一方面工作人员只需进行简单的上下料即可，降低了工作人员的操作强度。
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公开(公告)号：CN118053804A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410201633.2
申请日：2024-02-23
申请人： 青岛华芯晶电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/68 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及双极性器件衬底剥离技术领域，且公开了一种双极性器件衬底优化测试剥离装置，包括：固定板，剥离组件，还包括：滑槽，开设在所述固定板上表面；滑块，滑动连接在所述滑槽内部，且对称设置有两组；固定框，设置在所述固定板上方，且位于两侧所述滑块之间；放置块，固定连接在所述固定框上表面，且与所述固定框连通；凸轮带动配合杆向下移动，由于夹持板与延伸块滑动连接，使得夹持板因延伸块的限位，使其只能相对移动，从而对双极性器件的两侧进行夹持，通过采用吸附固定与夹持固定，两种固定方式，提高了夹持后的稳定性，防止在剥离时双极性器件出现晃动的情况，同时提高了剥离中双极性器件的稳定性。
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公开(公告)号：CN117524931A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311477302.3
申请日：2023-11-08
申请人： 青岛华芯晶电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/477
摘要： 本发明公开了一种氧化镓晶片去应力退火设备及其退火方法，涉及氧化镓晶片去应力退火技术领域，为解决现有的氧化镓晶片在去应力退火操作的时候，设备内部的退火温度不一致，导致物件有损坏的问题。所述第一内腔体安装在所述退火设备主体的内部，所述第一内腔体内部的中间位置处设置有退火件，所述退火件的一侧设置有收纳盘，且收纳盘设置有两个，所述退火件的另一侧设置有转移输送设备，所述转移输送设备通过连接管与退火件固定连接，所述第二内腔体安装在所述退火件的内部，两个所述收纳盘的一端贯穿并延伸至退火件，所述第二内腔体的内部设置有伸缩过滤网板，且伸缩过滤网板设置有两个。
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公开(公告)号：CN118768067A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202411104419.1
申请日：2024-08-13
申请人： 青岛华芯晶电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于碳化硼回收再利用的预粉碎装置及其粉碎方法，涉及粉碎装置技术领域，为解决现有的碳化硼粉碎装置通过设置的破碎辊结构对碳化硼进行粉碎处理，但碳化硼结构硬度较大，单纯的破碎辊无法有效的碎化成粉，导致碳化硼粉碎的颗粒度不达标的问题，包括装置平台，装置平台的上方焊接设置有二层平台，二层平台的上方焊接设置有三层平台，三层平台的顶部设置有液压缸，二层平台的上端焊接设置有破碎仓，破碎仓的一侧外壁上焊接设置有传动机箱，传动机箱的一侧外壁上设置有驱动电机；还包括：破碎刀辊，其设置在所述破碎仓的内部，且破碎刀辊的一端中心位置上一体成型设置有联动轴，联动轴贯穿并延伸至传动机箱的内部。
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公开(公告)号：CN118731167A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410906307.1
申请日：2024-07-08
申请人： 青岛华芯晶电科技有限公司
摘要： 本发明公开了碳化硅衬底用表面检测装置及其操作方法，涉及碳化硅衬底表面检测技术领域，为解决现有的碳化硅衬底表面探伤仪都是一只手拿取仪器，一只手拿取探测头，单手操作不方便，经常需要放下探测头进行双手操作，并且手与眼部位置不统一，经常需要来回的转头查看，导致使用不便的问题。所述头戴架的内部设置有头戴腔，且头戴腔与头戴架为一体结构；还包括：边沿架，其设置在所述头戴架的下端，且边沿架与头戴架热熔连接；连接架，其设置在所述边沿架的一侧表面，且连接架与边沿架热熔固定，所述连接架的上端设置有调节架，所述调节架的下端设置有显示器安装板，所述显示器安装板的前端内部设置有显示器。
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