公开(公告)号：CN118794976A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202411281153.8

申请日：2024-09-13

申请人： 青岛华芯晶电科技有限公司 ,  青岛立昂晶电半导体科技有限公司

发明人： 肖迪 ,  肖燕青 ,  郑东 ,  赵俊竹 ,  戴磊

IPC分类号： G01N23/2251 ,  G06T7/00 ,  G06V10/764

摘要： 本发明涉及晶体杂质检测技术领域，尤其涉及基于图像处理的磷化铟晶体杂质检测方法及系统，本发明将杂质分布特征数据导入杂质分布差异分析模型中，对磷化铟晶体的杂质分布差异进行分析；将杂质分布差异分析结果和生产流程控制数据导入生产流程差异分析模型中，对磷化铟晶体生产流程差异进行分析；将生产流程差异分析结果导入生产流程优化模型中对磷化铟晶体的生产流程进行优化；根据磷化铟晶体的生产流程优化结果，对磷化铟晶体生长产线的生产参数进行调整。通过根据不同杂质类别的特点，能够有针对性地优化晶体生长的生产参数，既能保证生产的高效性，又能最大化减少特定杂质的生成，从而提高磷化铟晶体的纯度和性能。

公开(公告)号：CN117524939A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311630886.3

申请日：2023-12-01

申请人： 青岛华芯晶电科技有限公司

发明人： 郑东 ,  肖燕青 ,  肖迪 ,  王鑫 ,  戴磊

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 本发明涉及晶体管制造技术领域，且公开了一种氧化镓双极性晶体管的生产制造工艺，包括：工作台，封焊器，下料组件，还包括：封焊箱，固定连接在所述工作台上表面；所述封焊器设置在封焊箱上方；滑动槽，开设在所述封焊箱内部；连接块，通过滑动槽滑动连接在所述封焊箱内部；连接绳带动连接端的连接块相对移动，通过与配合杆之间的斜面配合，使得配合杆向外移动时，通过夹持板可对放置在封焊口内部的晶体管进行夹持处理，同时通过封焊器能够对其进行封焊处理，使得装置在晶体管封焊时，能够对其起到夹持固定的作用，防止在封焊时，工作人员操作不当使得晶体管在焊接时发生偏移，导致焊接质量下降，从而使得生产制造质量下降的情况出现。

公开(公告)号：CN118053804A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202410201633.2

申请日：2024-02-23

申请人： 青岛华芯晶电科技有限公司

发明人： 肖迪 ,  郑东 ,  肖燕青 ,  戴磊 ,  张秀芳

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H01L21/68 ,  H01L21/67

摘要： 本发明涉及双极性器件衬底剥离技术领域，且公开了一种双极性器件衬底优化测试剥离装置，包括：固定板，剥离组件，还包括：滑槽，开设在所述固定板上表面；滑块，滑动连接在所述滑槽内部，且对称设置有两组；固定框，设置在所述固定板上方，且位于两侧所述滑块之间；放置块，固定连接在所述固定框上表面，且与所述固定框连通；凸轮带动配合杆向下移动，由于夹持板与延伸块滑动连接，使得夹持板因延伸块的限位，使其只能相对移动，从而对双极性器件的两侧进行夹持，通过采用吸附固定与夹持固定，两种固定方式，提高了夹持后的稳定性，防止在剥离时双极性器件出现晃动的情况，同时提高了剥离中双极性器件的稳定性。

公开(公告)号：CN118814253A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202411061608.5

申请日：2024-08-05

申请人： 青岛华芯晶电科技有限公司

发明人： 肖燕青 ,  肖迪 ,  李亚平 ,  吕可慧 ,  戴磊 ,  张玉

IPC分类号： C30B11/00

摘要： 本发明涉及晶体生长质量控制技术领域，尤其涉及基于梯度冷凝的晶体生长质量控制系统及方法，该方法的步骤包括：获取晶体生长流程中的原料数据、坩埚数据、坩埚在晶体生长炉中的下降速度数据、晶体生长炉中所有区域的温度数据；根据晶体生长原料的原料数据、坩埚数据计算熔体比例控制指数；根据下降速度数据计算晶体生长速度控制指数；根据温度数据计算温度梯度控制指数；根据熔体比例控制指数、晶体生长速度控制指数和温度梯度控制指数计算晶体生长质量指数，对晶体生长流程进行实时监测。本发明通过晶体生长质量指数对晶体生长流程进行监测，能够快速排查定位晶体生长流程中的问题因素，并提高晶体的生长质量。

公开(公告)号：CN118880443A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202410941199.1

申请日：2024-07-15

申请人： 青岛华芯晶电科技有限公司

发明人： 肖迪 ,  郑东 ,  张强 ,  戴磊

IPC分类号： C30B15/34 ,  C30B15/20 ,  C30B29/16

摘要： 本发明属于半导体材料制备技术领域，尤其为一种导模法动态调控生长工艺制备高质量抗挥发抗腐蚀氧化镓晶体的方法，包括以下步骤：S1、选择高纯度的氧化镓原料，经过精细研磨和筛分，然后根据目标晶体的形状和尺寸，设计具有毛细管狭缝的耐熔金属模具；S2、将多温区控制的单晶炉预热至设定温度，确保炉内温度分布均匀；本发明通过原料的严格筛选与预处理、模具设计的优化以及生长过程的精细控制，特别是收颈、放肩和等径生长阶段的智能化调整，显著提高了氧化镓晶体的结晶质量和纯度；这不仅减少了晶体内部的缺陷和杂质，还确保了晶体生长的均匀性和定向性，为后续的应用提供了更高质量的材料基础。