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公开(公告)号：CN118596373A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202411080827.8
申请日：2024-08-08
申请人： 青岛华芯晶电科技有限公司
摘要： 本发明公开了基于图像分析的氧化镓晶体生产质量调控系统及方法，属于图像分析领域，本发明将得到的生长异常分析结果和切割机运行分析结果导入氧化镓切割速度分析策略中进行氧化镓切割速度分析，控制切割模组根据实时分析得到的切割速度进行氧化镓晶体对应位置的切割，对氧化镓生长图像进行分析，进而对氧化镓晶体质量进行准确的生长评估，同时对切割机运行数据进行分析得到切割机运行分析结果，综合氧化镓晶体质量分析结果和切割机运行分析结果对氧化镓切割速度进行准确预估，保证了切割速度的同时避免了切割速度不匹配导致的氧化镓晶体损伤，提高了切割过程中的质量和安全性。
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公开(公告)号：CN117373963A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311649431.6
申请日：2023-12-05
申请人： 青岛华芯晶电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , B24B51/00 , B24B1/00 , H01L21/683
摘要： 本发明属于负压控制技术领域，本发明公开了氧化镓晶片蚀刻抛光过程中负压控制的方法；采集m组历史负压控制数据，历史负压控制数据包括晶片数据、吸盘数据、环境数据以及抛光液数据；计算m组历史负压控制数据对应的晶片系数、吸盘系数、环境系数以及抛光液系数；计算m组历史负压控制数据对应的负压控制系数；设置负压映射表，实时采集负压控制数据，计算负压控制系数，根据负压控制系数以及负压映射表，获取对应的负压数值；计算蚀刻抛光设备的折旧系数，根据蚀刻抛光设备的折旧系数计算工作负压数值，控制吸盘吸附晶片的负压调节为工作负压数值；确保吸盘吸附晶片的负压数值稳定，避免晶片因负压数值太大变形以及负压数值太小脱落。
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公开(公告)号：CN118577564B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411061621.0
申请日：2024-08-05
申请人： 青岛华芯晶电科技有限公司
摘要： 本发明公开了用于蓝宝石衬底表面清洗装置及其清洗方法，涉及清洗装置技术领域，为解决现有的清洗装置仅仅只能清洗少量的蓝宝石衬底，且清洗过程中的取放料较为不便，造成蓝宝石衬底清洗效率较低的问题，包括装置架台，装置架台的内部一体成型设置有集水筒，装置架台的上端设置有清洗框架，清洗框架一侧外壁上设置有超声频电源，清洗框架的内部设置有清洗仓，集水筒的一侧设置有回流抽泵；还包括：活动载座，其设置在所述清洗仓的上方位置上，且活动载座的内部设置有内圆槽，内圆槽的内部设置有四个限位滑槽和透水孔，透水孔和限位滑槽均与内圆槽为一体结构，四个限位滑槽的上方均设置有卡夹棒。
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公开(公告)号：CN118577564A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202411061621.0
申请日：2024-08-05
申请人： 青岛华芯晶电科技有限公司
摘要： 本发明公开了用于蓝宝石衬底表面清洗装置及其清洗方法，涉及清洗装置技术领域，为解决现有的清洗装置仅仅只能清洗少量的蓝宝石衬底，且清洗过程中的取放料较为不便，造成蓝宝石衬底清洗效率较低的问题，包括装置架台，装置架台的内部一体成型设置有集水筒，装置架台的上端设置有清洗框架，清洗框架一侧外壁上设置有超声频电源，清洗框架的内部设置有清洗仓，集水筒的一侧设置有回流抽泵；还包括：活动载座，其设置在所述清洗仓的上方位置上，且活动载座的内部设置有内圆槽，内圆槽的内部设置有四个限位滑槽和透水孔，透水孔和限位滑槽均与内圆槽为一体结构，四个限位滑槽的上方均设置有卡夹棒。
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公开(公告)号：CN117187946A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311168957.2
申请日：2023-09-12
申请人： 青岛华芯晶电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种六边形氧化镓导模生长模具及其使用方法，涉及晶体生长技术领域，现有采用片状导模法在生产β‑Ga2O3时，采用两片模具加紧形成毛细通道，为便于加工制造和实现模具表面规整，常采用四边形模具，其成为许多实验室和工业应用中常用的选择。但是四边形的模具仅能实现某一主面的片状氧化镓晶体制备，如需制备其它晶面的片状晶体，需要通过多次的晶体生长，且要调整籽晶方向。因此，难以通过一次晶体生长获得不同晶面衬底，生产效率低。所述六边形氧化镓模具截面为非正六边形，所述六边形氧化镓模具具有三条狭缝。氧化镓熔体在毛细作用下通过三条狭缝上升至模具上表面，通过模具对氧化镓晶体进行定型，生成六边形柱状氧化镓晶体。
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公开(公告)号：CN115858632B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310166138.8
申请日：2023-02-27
申请人： 青岛华芯晶电科技有限公司
IPC分类号： G06F16/2458 , G01D21/02 , G06F16/248 , G06F16/22 , G06F16/25 , G06F16/955
摘要： 本发明公开了一种氧化镓晶片检测装置的检测方法以及数据处理方法，属于半导体检测技术领域，本发明通过趋势走向分析处理实现了对集成性氧化镓晶片检测装置的突发性异常检测，相较于现有氧化镓晶片检测装置的检测方式，本发明实时性较高，且有利于发现集成性氧化镓晶片检测装置因内外部因素而导致检测组件产生的细微变化进而引发的突发性检测误差或错误，从而有利于辅助工作人员实现对集成性氧化镓晶片检测装置的及时矫正，进而满足生产企业对集成性氧化镓晶片检测装置高准确性、高可靠性的运行需求；本发明针对集成性氧化镓晶片检测装置的复杂性构建溯源数据库，有利于实现异常组件快速定位，进一步提高集成性氧化镓晶片检测装置的检测效率。
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公开(公告)号：CN115858632A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202310166138.8
申请日：2023-02-27
申请人： 青岛华芯晶电科技有限公司
IPC分类号： G06F16/2458 , G01D21/02 , G06F16/248 , G06F16/22 , G06F16/25 , G06F16/955
摘要： 本发明公开了一种氧化镓晶片检测装置的检测方法以及数据处理方法，属于半导体检测技术领域，本发明通过趋势走向分析处理实现了对集成性氧化镓晶片检测装置的突发性异常检测，相较于现有氧化镓晶片检测装置的检测方式，本发明实时性较高，且有利于发现集成性氧化镓晶片检测装置因内外部因素而导致检测组件产生的细微变化进而引发的突发性检测误差或错误，从而有利于辅助工作人员实现对集成性氧化镓晶片检测装置的及时矫正，进而满足生产企业对集成性氧化镓晶片检测装置高准确性、高可靠性的运行需求；本发明针对集成性氧化镓晶片检测装置的复杂性构建溯源数据库，有利于实现异常组件快速定位，进一步提高集成性氧化镓晶片检测装置的检测效率。
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公开(公告)号：CN117373963B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311649431.6
申请日：2023-12-05
申请人： 青岛华芯晶电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , B24B51/00 , B24B1/00 , H01L21/683
摘要： 本发明属于负压控制技术领域，本发明公开了氧化镓晶片蚀刻抛光过程中负压控制的方法；采集m组历史负压控制数据，历史负压控制数据包括晶片数据、吸盘数据、环境数据以及抛光液数据；计算m组历史负压控制数据对应的晶片系数、吸盘系数、环境系数以及抛光液系数；计算m组历史负压控制数据对应的负压控制系数；设置负压映射表，实时采集负压控制数据，计算负压控制系数，根据负压控制系数以及负压映射表，获取对应的负压数值；计算蚀刻抛光设备的折旧系数，根据蚀刻抛光设备的折旧系数计算工作负压数值，控制吸盘吸附晶片的负压调节为工作负压数值；确保吸盘吸附晶片的负压数值稳定，避免晶片因负压数值太大变形以及负压数值太小脱落。
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公开(公告)号：CN117293016A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311577245.6
申请日：2023-11-24
申请人： 青岛华芯晶电科技有限公司
摘要： 本发明公开了磷化铟晶片自动清洗过程中流动硫酸用量控制的方法，涉及磷化铟晶片自动清洗控制技术领域，通过预先收集晶片样品图像数据，收集清洗样本特征数据、清洗速度标签数据以及反应速度标签数据，再训练预测清洗速度的清洗速度预测模型，以及训练预测清洗反应速度的反应速度预测模型，在生产环境中，实时收集实时清洗特征数据、实时清洗速度以及实时反应速度，计算实际的奖励值，基于实际的奖励值，使用Actor‑Critic网络模型中的Actor网络输出预期流速和预期剂量，并通过实际的奖励值对Actor‑Critic网络模型进行训练；实现了对磷化铟晶片的自动化清洗，保证了清洗速度和反应速度的平衡性。
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公开(公告)号：CN118053804A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410201633.2
申请日：2024-02-23
申请人： 青岛华芯晶电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/68 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及双极性器件衬底剥离技术领域，且公开了一种双极性器件衬底优化测试剥离装置，包括：固定板，剥离组件，还包括：滑槽，开设在所述固定板上表面；滑块，滑动连接在所述滑槽内部，且对称设置有两组；固定框，设置在所述固定板上方，且位于两侧所述滑块之间；放置块，固定连接在所述固定框上表面，且与所述固定框连通；凸轮带动配合杆向下移动，由于夹持板与延伸块滑动连接，使得夹持板因延伸块的限位，使其只能相对移动，从而对双极性器件的两侧进行夹持，通过采用吸附固定与夹持固定，两种固定方式，提高了夹持后的稳定性，防止在剥离时双极性器件出现晃动的情况，同时提高了剥离中双极性器件的稳定性。
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