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公开(公告)号：CN118799325A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202411287937.1
申请日：2024-09-14
申请人： 青岛华芯晶电科技有限公司 , 青岛立昂晶电半导体科技有限公司
IPC分类号： G06T7/00 , G06V10/40 , G06V10/764
摘要： 本发明公开了基于特征分析的晶体缺陷识别系统及方法，属于特征分析领域，本发明将需要进行分析的晶体图像数据导入特征提取模型中进行缺陷特征的提取，将提取得到的缺陷特征导入构建的缺陷特征初步识别模型中进行缺陷特征的初步识别，将晶体生长过程中的环境数据导入环境影响分析模型中进行环境影响分析，将环境影响分析结果和缺陷特征的初步识别结果导入缺陷特征二次识别模型中进行缺陷种类识别，将得到的缺陷种类识别结果输出至用户端，本申请通过对晶体图像进行图像分析获取反应缺陷种类的多维图像隐含特征，同时与晶体生长过程环境数据综合分析以对缺陷特征进行准确识别的技术方案，实现了提高缺陷识别准确率和效率的技术效果。
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公开(公告)号：CN118880443A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410941199.1
申请日：2024-07-15
申请人： 青岛华芯晶电科技有限公司
摘要： 本发明属于半导体材料制备技术领域，尤其为一种导模法动态调控生长工艺制备高质量抗挥发抗腐蚀氧化镓晶体的方法，包括以下步骤：S1、选择高纯度的氧化镓原料，经过精细研磨和筛分，然后根据目标晶体的形状和尺寸，设计具有毛细管狭缝的耐熔金属模具；S2、将多温区控制的单晶炉预热至设定温度，确保炉内温度分布均匀；本发明通过原料的严格筛选与预处理、模具设计的优化以及生长过程的精细控制，特别是收颈、放肩和等径生长阶段的智能化调整，显著提高了氧化镓晶体的结晶质量和纯度；这不仅减少了晶体内部的缺陷和杂质，还确保了晶体生长的均匀性和定向性，为后续的应用提供了更高质量的材料基础。
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公开(公告)号：CN117187946A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311168957.2
申请日：2023-09-12
申请人： 青岛华芯晶电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种六边形氧化镓导模生长模具及其使用方法，涉及晶体生长技术领域，现有采用片状导模法在生产β‑Ga2O3时，采用两片模具加紧形成毛细通道，为便于加工制造和实现模具表面规整，常采用四边形模具，其成为许多实验室和工业应用中常用的选择。但是四边形的模具仅能实现某一主面的片状氧化镓晶体制备，如需制备其它晶面的片状晶体，需要通过多次的晶体生长，且要调整籽晶方向。因此，难以通过一次晶体生长获得不同晶面衬底，生产效率低。所述六边形氧化镓模具截面为非正六边形，所述六边形氧化镓模具具有三条狭缝。氧化镓熔体在毛细作用下通过三条狭缝上升至模具上表面，通过模具对氧化镓晶体进行定型，生成六边形柱状氧化镓晶体。
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公开(公告)号：CN220508101U
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202321722620.7
申请日：2023-07-04
申请人： 青岛华芯晶电科技有限公司
摘要： 本实用新型涉及技术领域，公开了一种导模法氧化镓单晶生长的测温及观察系统，所述升降调节机构拧接安装于支座机构的支座端，且监测机构贯通插合于升降调节机构的套筒端。本实用新型通过利用红外测温枪、摄像探头一体化形式的监测机构，能够将氧化镓单晶生长监控的测温及观察系统合并为一体结构，其节省安装强度的同时，又能够进行一体化方向的测温、观察监控工作，且在安装使用的同时，通过利用支座机构的万向轴特性，能够对其监控方向进行任意角度的调节，同时通过利用升降调节机构的升降调节，能够对其监控高低方位进行灵活调节，使其适应不同的装配场合。
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公开(公告)号：CN219905431U
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202320872971.X
申请日：2023-04-19
申请人： 青岛华芯晶电科技有限公司
摘要： 本实用新型涉及磷化铟晶片加工技术领域，公开了一种磷化铟晶片加工用存储装置，所述存储盒的盒体内侧位于中部位置处开设有干燥腔，且存储盒的盒体内侧正对于干燥腔的前后两侧对称开设有两组存储腔，所述干燥腔的腔体内部插合有干燥盒，所述存储腔的腔体内部排布设置有多组堆叠收纳机构，且存储腔的腔口插合有启闭门。本实用新型通过利用存储腔内堆叠收纳机构中启闭料板的相互堆叠设置，能够对磷化铟晶片进行相互堆叠形式的存储工作，其一方面能够提高磷化铟晶片的存储数量，另一方面能够确保堆叠存储放置的紧凑性、稳定性，且通过在干燥腔内干燥盒内放入干燥剂，能够对存储的磷化铟晶片进行防潮、干燥保护处理。
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公开(公告)号：CN219658222U
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202321263928.X
申请日：2023-05-22
申请人： 青岛华芯晶电科技有限公司
摘要： 本实用新型公开了单研用金刚石液桶防空吸报警装置，涉及自动化生产加工技术领域，包括储料罐，所述储料罐的底部固定连接有装置底座，所述储料罐的外壁固定连接有第一输料管，所述第一输料管的一端固定连接有防空吸罐，所述防空吸罐的一侧固定连接有第二输料管，所述第二输料管的一端固定连接有水泵，所述水泵的顶部固定连接有第三输料管。本实用新型通过液位感应警报器预防桶内单研用金刚石液量过低，在会致使空吸状况的发生之前发出警报，有效避免了空吸状况的出现，开启上阀门与下阀门，防空吸罐内的单研用金刚石液就会有由于连通器原理一部分流入液位显示管中，此时就可以直观地看到桶内液体所剩余的高度。
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公开(公告)号：CN219914310U
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202321263954.2
申请日：2023-05-22
申请人： 青岛华芯晶电科技有限公司
摘要： 本实用新型公开了快速测量大尺寸晶片平坦度装置，涉及测量平坦度技术领域，包括支撑座结构，所述支撑座结构的顶部固定连接有测量结构，所述支撑座结构的内部设置有吹风结构。本实用新型通过伸缩杆三底部固定连接的测量探头来对晶片的厚度进行测量，多组测量探头的设置可以一次测量多个点，同时将测量数据传输至千分表进行显示，在进行测量大尺寸晶片时，可通过调节伸缩杆三使多组测量探头之间的间隔增大，便于测量大尺寸晶片，解决了在对晶片进行测量时，通常为使用多次测量不同位置的方式来减小测量误差，但是在进行测量时，多次测量需要时间过长，同时多次手动测量操作繁琐，不利于测量人员进行快速测量的工作的问题。
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公开(公告)号：CN219886242U
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202321348689.8
申请日：2023-05-31
申请人： 青岛华芯晶电科技有限公司
摘要： 本实用新型涉及磷化铟晶片加工技术领域，具体为一种磷化铟晶片加工用退火装置，所述固定架的顶部安装有退火组件，所述固定架的上部对应退火组件位置处设置有传输组件，所述退火组件包括安装于固定架上部的加热仓，所述加热仓的顶部安装有退火炉，所述传输组件包括安装于固定架上部的传输机，且传输机设置在加热仓的内侧，所述固定架的外部固定安装有传动电机，且传动电机的输出轴与传输机的输入端连接，所述固定架的上部对应传输机位置处安装有调节连接架。本实用新型所述的一种磷化铟晶片加工用退火装置，能够使得整体装置实现更便捷的上料，提高加工时效果和安全性，提高整体装置的实用性，带来更好的使用前景。
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公开(公告)号：CN220597689U
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202321668233.X
申请日：2023-06-29
申请人： 青岛华芯晶电科技有限公司
摘要： 本实用新型涉及氧化镓单晶生产技术领域，公开了一种片状氧化镓单晶生长专用装置，所述支撑平台的平台上方放置有晶体生长机构，所述对夹固定机构通过定位夹套与晶体生长机构对夹固定，所述籽晶杆机构中籽晶杆正对于晶体生长机构的中心位置处。本实用新型通过将装有氧化镓原料的晶体生长机构平放于支撑平台上，利用对夹固定机构对其进行对夹固定，而后利用晶体生长机构的热熔以及籽晶杆机构的拉晶引晶，将氧化镓原料形成单晶锭，而后通过将装载有氧化镓单晶锭的晶体生长机构取下，放入装有氧化镓原料的晶体生长机构，可进行无缝衔接生产工作，且已经成型的单晶锭，可在晶体生长机构内温度下降后，对其进行安全取晶工作。
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