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公开(公告)号：CN118571794A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410743121.9
申请日：2024-06-11
申请人： 青岛立昂晶电半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了基于图像处理的半导体自动清洗监测系统及方法，属于图像处理领域，本发明获取清洗子区域表面晶体管的数量导入清洗子区域重要度评估策略中进行清洗子区域重要度评估，获取图像异常评估结果和清洗子区域重要度评估结果进行半导体污浊程度的评估，根据半导体污浊程度进行自动清洗时间的判断，根据半导体晶圆的成品图像和表面晶体管的数量对半导体晶圆的污浊程度进行综合判断，进而进行清洗设备清洗时间的综合准确分析，提高了清洗效率的同时避免了清洗导致半导体晶圆的损伤。
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公开(公告)号：CN115565924A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211265595.4
申请日：2022-10-17
申请人： 青岛立昂晶电半导体科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种晶片滑动对位装置，涉及晶片滑动对位装置技术领域。检测盘位于底座的上方，大边对位线位于检测盘的轮廓线之外，在滑动对位机构中，滑动凹槽设置在底座上、位于检测盘的侧部，滑块立于滑动凹槽内，滑杆架设在滑动凹槽中且穿过滑块，滑块沿着滑杆移动且移动方向垂直于大边检测线，大边检测线与滑动凹槽靠近检测盘的侧面共面。与现有技术相比，本发明有以下技术优点：将晶片放置在检测盘上，通过滑动对位机构进行晶片对正；对正后滑块退出，在测量同一晶片不同位置时，只需转动装置上的检测盘，即可对晶片再次进行测量，不需要反复放入取出晶片。
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公开(公告)号：CN117393473B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311684951.0
申请日：2023-12-11
申请人： 青岛立昂晶电半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明涉及半导体领域，本发明公开了基于模型预测控制的磷化铟晶片智能清洗过程控制方法，包括：基于污染信息将待清洗晶片划分入N个待清洗晶片批次中；根据污染物集合与清洗液成分配比的预设关系，确定清洗液成分配比；获取晶片尺寸规格，基于晶片尺寸规格、污染物集合、污染程度系数、待清洗晶片的数量、清洗液成分配比和预配置第一参数控制预测模型，获取第一参数控制量；获取成分配比后清洗液的设定温度，基于清洗液的设定温度、污染程度系数、待清洗晶片的数量、第一参数控制量和预配置第二参数控制预测模型，获取第二参数控制量；本发明有利于提高清洗效率，节约清洗能耗。
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公开(公告)号：CN117259331A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311567071.5
申请日：2023-11-23
申请人： 青岛立昂晶电半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了用于磷化铟晶片自动清洗的包括流量控制的定量供给装置，涉及磷化铟晶片技术领域，包括清洗机构，其内部设有氮气处理室、超声波清洗室和DI水冲洗室，其在清洗机构的顶面设置有定量供给机构，定量供给机构通过旋转方式在氮气处理室、超声波清洗室和DI水冲洗室之间同时转运若干磷化铟晶片本体，在氮气处理室的外侧设有氮气供给机构，在DI水冲洗室的外侧设有DI水供给机构，氮气供给机构和DI水供给机构上均安装有流量控制喷头，分别向氮气处理室中的磷化铟晶片本体的顶面提供氮气和向DI水冲洗室中的磷化铟晶片本体的顶面提供DI水；大大提高了该定量供给装置处理磷化铟晶片本体的数量，保证了该定量供给装置的工作效率。
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公开(公告)号：CN117393473A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311684951.0
申请日：2023-12-11
申请人： 青岛立昂晶电半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明涉及半导体领域，本发明公开了基于模型预测控制的磷化铟晶片智能清洗过程控制方法，包括：基于污染信息将待清洗晶片划分入N个待清洗晶片批次中；根据污染物集合与清洗液成分配比的预设关系，确定清洗液成分配比；获取晶片尺寸规格，基于晶片尺寸规格、污染物集合、污染程度系数、待清洗晶片的数量、清洗液成分配比和预配置第一参数控制预测模型，获取第一参数控制量；获取成分配比后清洗液的设定温度，基于清洗液的设定温度、污染程度系数、待清洗晶片的数量、第一参数控制量和预配置第二参数控制预测模型，获取第二参数控制量；本发明有利于提高清洗效率，节约清洗能耗。
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公开(公告)号：CN118814274A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202411024994.0
申请日：2024-07-29
申请人： 青岛立昂晶电半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种磷化铟单晶生长炉以及生长方法，属于一般的控制系统领域，本发明获取生长过程中的生长气氛和生长环境数据导入生长环境分析策略中进行生长环境数据分析，将获取的生长特征数据分析结果和生长环境数据分析结果导入生长过程分析策略中进行生长质量分析，根据得到的生长质量分析结果进行调节量的计算，并进行生长环境的控制，通过对磷化铟单晶生长过程中的生长特征数据、生长气氛和生长环境数据进行准确分析，对磷化铟单晶生长质量进行预估，从而对生长环境进行准确控制，以使磷化铟单晶处于适宜的生长环境中，极大的促进了磷化铟单晶的生长质量。
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公开(公告)号：CN117259331B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311567071.5
申请日：2023-11-23
申请人： 青岛立昂晶电半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了用于磷化铟晶片自动清洗的包括流量控制的定量供给装置，涉及磷化铟晶片技术领域，包括清洗机构，其内部设有氮气处理室、超声波清洗室和DI水冲洗室，其在清洗机构的顶面设置有定量供给机构，定量供给机构通过旋转方式在氮气处理室、超声波清洗室和DI水冲洗室之间同时转运若干磷化铟晶片本体，在氮气处理室的外侧设有氮气供给机构，在DI水冲洗室的外侧设有DI水供给机构，氮气供给机构和DI水供给机构上均安装有流量控制喷头，分别向氮气处理室中的磷化铟晶片本体的顶面提供氮气和向DI水冲洗室中的磷化铟晶片本体的顶面提供DI水；大大提高了该定量供给装置处理磷化铟晶片本体的数量，保证了该定量供给装置的工作效率。
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公开(公告)号：CN115642100A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211270918.9
申请日：2022-10-17
申请人： 青岛立昂晶电半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明提供了一种晶片检测台及检测方法，涉及晶片检测台技术领域。包括：底盒和用于承载待检晶片的检测盘，检测盘位于底盒的上方，对正机构安装在底盒上，用于将检测盘上的待检晶片对正放置，驱动机构安装在底盒上并与检测盘传动连接，驱动机构能够使检测盘转动，固定机构用于将晶片固定在检测盘上。与现有技术相比，本发明有以下技术优点：在测量同一晶片不同位置时，只需转动装置上的手摇转盘即可使伞型齿轮带动检测盘进行转动，对晶片不同位置进行测量，不需要反复放入取出晶片，在提高生产效率、节省人力成本的同时也极大的减少了晶片表面与检测平台的反复接触摩擦造成的表面划伤现象，有利于节约生产成本。
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公开(公告)号：CN221262326U
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202322733810.5
申请日：2023-10-12
申请人： 青岛立昂晶电半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/677
摘要： 本实用新型涉及晶片加工技术领域，公开了一种晶片转移装置，所述支撑立架的支架前侧安装有第二升降机构，且第二升降机构中第二升降滑台的台架前侧安装有置料箱架，每组置料腔的腔室内部均贯通插合有升降推柄，所述升降推柄的臂杆底端安装有升降底板，所述置料箱架的箱体两侧呈对称形式安装有与升降底板相适配的第一升降机构。本实用新型通过利用第二升降机构的升降调节，能够推动置料箱架升降位移，便于不同的工作人员操控使用，且通过利用第一升降机构推动升降推柄与升降推块组合的升降位移，能够对装载入置料箱架中置料腔内部的晶片进行依次平置堆放工作，使且在晶片转移完毕后，能够将晶片依次上移推出，便于有序的取放。
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