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公开(公告)号：CN118794976A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202411281153.8
申请日：2024-09-13
申请人： 青岛华芯晶电科技有限公司 , 青岛立昂晶电半导体科技有限公司
IPC分类号： G01N23/2251 , G06T7/00 , G06V10/764
摘要： 本发明涉及晶体杂质检测技术领域，尤其涉及基于图像处理的磷化铟晶体杂质检测方法及系统，本发明将杂质分布特征数据导入杂质分布差异分析模型中，对磷化铟晶体的杂质分布差异进行分析；将杂质分布差异分析结果和生产流程控制数据导入生产流程差异分析模型中，对磷化铟晶体生产流程差异进行分析；将生产流程差异分析结果导入生产流程优化模型中对磷化铟晶体的生产流程进行优化；根据磷化铟晶体的生产流程优化结果，对磷化铟晶体生长产线的生产参数进行调整。通过根据不同杂质类别的特点，能够有针对性地优化晶体生长的生产参数，既能保证生产的高效性，又能最大化减少特定杂质的生成，从而提高磷化铟晶体的纯度和性能。
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公开(公告)号：CN117393473A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311684951.0
申请日：2023-12-11
申请人： 青岛立昂晶电半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明涉及半导体领域，本发明公开了基于模型预测控制的磷化铟晶片智能清洗过程控制方法，包括：基于污染信息将待清洗晶片划分入N个待清洗晶片批次中；根据污染物集合与清洗液成分配比的预设关系，确定清洗液成分配比；获取晶片尺寸规格，基于晶片尺寸规格、污染物集合、污染程度系数、待清洗晶片的数量、清洗液成分配比和预配置第一参数控制预测模型，获取第一参数控制量；获取成分配比后清洗液的设定温度，基于清洗液的设定温度、污染程度系数、待清洗晶片的数量、第一参数控制量和预配置第二参数控制预测模型，获取第二参数控制量；本发明有利于提高清洗效率，节约清洗能耗。
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公开(公告)号：CN118799325A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202411287937.1
申请日：2024-09-14
申请人： 青岛华芯晶电科技有限公司 , 青岛立昂晶电半导体科技有限公司
IPC分类号： G06T7/00 , G06V10/40 , G06V10/764
摘要： 本发明公开了基于特征分析的晶体缺陷识别系统及方法，属于特征分析领域，本发明将需要进行分析的晶体图像数据导入特征提取模型中进行缺陷特征的提取，将提取得到的缺陷特征导入构建的缺陷特征初步识别模型中进行缺陷特征的初步识别，将晶体生长过程中的环境数据导入环境影响分析模型中进行环境影响分析，将环境影响分析结果和缺陷特征的初步识别结果导入缺陷特征二次识别模型中进行缺陷种类识别，将得到的缺陷种类识别结果输出至用户端，本申请通过对晶体图像进行图像分析获取反应缺陷种类的多维图像隐含特征，同时与晶体生长过程环境数据综合分析以对缺陷特征进行准确识别的技术方案，实现了提高缺陷识别准确率和效率的技术效果。
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公开(公告)号：CN118756314A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411238287.1
申请日：2024-09-05
申请人： 青岛华芯晶电科技有限公司 , 青岛立昂晶电半导体科技有限公司
摘要： 本申请涉及反应炉控制技术领域，尤其涉及基于反应炉的气流扰动优化控制方法及系统，该方法的步骤包括：获取反应炉内的温度数据和反应炉容积数据，获取反应炉中石英反应管内的真空度数据，获取反应炉内的惰性气体控制参数；通过温度数据计算反应炉内的温度均匀系数；通过真空度数据计算石英反应管内的真空度波动系数；通过温度均匀系数和真空度波动系数计算反应炉内的气流扰动指数，并通过气流扰动指数结合反应炉容积数据调节惰性气体控制参数。本申请通过对反应炉内的气流扰动程度进行量化并针对性地调节惰性气体控制参数，提升了磷化铟材料的制备质量和效率。
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公开(公告)号：CN117259331B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311567071.5
申请日：2023-11-23
申请人： 青岛立昂晶电半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了用于磷化铟晶片自动清洗的包括流量控制的定量供给装置，涉及磷化铟晶片技术领域，包括清洗机构，其内部设有氮气处理室、超声波清洗室和DI水冲洗室，其在清洗机构的顶面设置有定量供给机构，定量供给机构通过旋转方式在氮气处理室、超声波清洗室和DI水冲洗室之间同时转运若干磷化铟晶片本体，在氮气处理室的外侧设有氮气供给机构，在DI水冲洗室的外侧设有DI水供给机构，氮气供给机构和DI水供给机构上均安装有流量控制喷头，分别向氮气处理室中的磷化铟晶片本体的顶面提供氮气和向DI水冲洗室中的磷化铟晶片本体的顶面提供DI水；大大提高了该定量供给装置处理磷化铟晶片本体的数量，保证了该定量供给装置的工作效率。
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公开(公告)号：CN118782460A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202411251947.X
申请日：2024-09-09
申请人： 青岛华芯晶电科技有限公司 , 青岛立昂晶电半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种用于磷化铟晶片自动清洗用喷淋控制系统及方法，该方法的步骤包括：基于晶片表面缺陷图像评估晶片易损性，得到晶片易损系数；基于晶片表面污染物颗粒信息评估晶片污染程度，得到晶片污染系数；基于所述晶片易损系数和所述晶片污染系数确定最佳喷淋压力；基于所述最佳喷淋压力对喷淋装置进行控制，完成晶片清洗。本发明通过量化晶片易损性和晶片污染程度并针对性地控制喷淋压力，在保证晶片清洗效果的同时减少了晶片损伤。
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公开(公告)号：CN117393473B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311684951.0
申请日：2023-12-11
申请人： 青岛立昂晶电半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明涉及半导体领域，本发明公开了基于模型预测控制的磷化铟晶片智能清洗过程控制方法，包括：基于污染信息将待清洗晶片划分入N个待清洗晶片批次中；根据污染物集合与清洗液成分配比的预设关系，确定清洗液成分配比；获取晶片尺寸规格，基于晶片尺寸规格、污染物集合、污染程度系数、待清洗晶片的数量、清洗液成分配比和预配置第一参数控制预测模型，获取第一参数控制量；获取成分配比后清洗液的设定温度，基于清洗液的设定温度、污染程度系数、待清洗晶片的数量、第一参数控制量和预配置第二参数控制预测模型，获取第二参数控制量；本发明有利于提高清洗效率，节约清洗能耗。
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公开(公告)号：CN117259331A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311567071.5
申请日：2023-11-23
申请人： 青岛立昂晶电半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了用于磷化铟晶片自动清洗的包括流量控制的定量供给装置，涉及磷化铟晶片技术领域，包括清洗机构，其内部设有氮气处理室、超声波清洗室和DI水冲洗室，其在清洗机构的顶面设置有定量供给机构，定量供给机构通过旋转方式在氮气处理室、超声波清洗室和DI水冲洗室之间同时转运若干磷化铟晶片本体，在氮气处理室的外侧设有氮气供给机构，在DI水冲洗室的外侧设有DI水供给机构，氮气供给机构和DI水供给机构上均安装有流量控制喷头，分别向氮气处理室中的磷化铟晶片本体的顶面提供氮气和向DI水冲洗室中的磷化铟晶片本体的顶面提供DI水；大大提高了该定量供给装置处理磷化铟晶片本体的数量，保证了该定量供给装置的工作效率。
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公开(公告)号：CN219640545U
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202320535731.0
申请日：2023-03-20
申请人： 青岛立昂晶电半导体科技有限公司
摘要： 本实用新型涉及磷化铟加工技术领域，公开了一种磷化铟加工用烘烤装置，所述烘烤罐的内壁盘绕设置有加热盘管，且烘烤罐的内部设置有旋转烘烤机构，所述烘烤罐的罐体后侧设置有端盖启闭机构，所述支撑底板的板架上方堆叠放置有多组烘烤料箱。本实用新型通过手摇式的端盖启闭机构对烘烤罐的旋转启闭，能够轻松、便捷的将烘烤罐的罐口启闭开合，而后在堆叠放置形式的旋转烘烤机构中的集料箱体对磷化铟的堆叠放置下，能够以相互堆叠组装的形式，将磷化铟装入烘烤罐内进行烘烤工作，其方面具有简单、便捷的上料、取料性能，能够便于工作人员对磷化铟进行上下料，降低操作强度，另一方面能够提高上下料高效性，节省劳动时长。
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