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公开(公告)号：CN111180454B
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202010001944.6
申请日：2020-01-02
申请人： 长江存储科技有限责任公司
摘要： 本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。该制造方法包括：在衬底上形成第一叠层结构，包括交替堆叠的多个层间绝缘层与栅极导体层，第一叠层结构具有第一台阶结构；形成覆盖第一台阶结构与衬底的第一填充层；形成覆盖第一叠层结构的第二叠层结构，包括交替堆叠的多个层间绝缘层与栅极导体层，第二叠层结构具有第二台阶结构；形成多个第一虚拟沟道柱，第一虚拟沟道柱的至少部分位于第二台阶结构中，至少一个第一虚拟沟道柱的顶面为第二台阶结构的台阶面。该制造方法通过将虚拟沟道柱的顶面与台阶结构的台阶面共面，解决了器件平整度差的问题。
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公开(公告)号：CN114141781A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111451410.4
申请日：2019-01-31
申请人： 长江存储科技有限责任公司
发明人： 周玉婷
IPC分类号： H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/11575 , H01L27/11582
摘要： 一种用于形成3D存储器的阶梯结构的方法，包括：形成交替层堆叠体，所述交替层堆叠体包括设置在衬底上方的多个电介质层对；在所述交替层堆叠体上方形成第一掩模堆叠体；使用光刻工艺图案化第一掩模堆叠体以限定阶梯区域，所述阶梯区域包括在所述交替层堆叠体上方的N个子阶梯区域，其中N大于1；在所述阶梯区域上方形成第一阶梯结构，所述第一阶梯结构在每个阶梯区域处具有M个台阶，其中M大于1；并且在所述第一阶梯结构上形成第二阶梯结构，所述第二阶梯结构在阶梯区域处具有2*N*M个台阶。
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公开(公告)号：CN111564450B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202010428927.0
申请日：2018-07-27
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L27/11578 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11582 , H01L23/532 , H01L21/033 , H01L21/308
摘要： 公开了三维存储器件的方法和结构。在示例中，存储器件包括衬底和多堆叠层阶梯结构。多堆叠层阶梯结构可包括堆叠在衬底之上的多个阶梯结构。多个阶梯结构中的每一个可包括多个导体层，每个导体层位于两个绝缘层之间。存储器件还可以包括在多堆叠层阶梯结构之上的填充结构、延伸穿过多堆叠层阶梯结构的半导体沟道、以及延伸穿过多堆叠层阶梯结构和填充结构的支撑柱。半导体沟道可包括未对准的侧壁表面，并且支撑柱可包括对准的侧壁表面。
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公开(公告)号：CN112259538A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011136209.2
申请日：2020-10-22
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L27/11519 , H01L27/11524 , H01L27/11551 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11578
摘要： 本申请公开了一种半导体器件及其制作方法，半导体器件包括核心区和阶梯区，阶梯区具有顶部选择区和分区阶梯结构区；顶部选择区具有沿第一方向逐级延伸的第一阶梯组和沿第二方向逐级延伸的第二阶梯组，第二方向与第一方向垂直设置；分区阶梯结构区具有沿第二方向逐级延伸的第三阶梯组；第一阶梯组、第二阶梯组和第三阶梯组的阶梯级数相同，且同一级的阶梯的厚度相同；第一阶梯组中的阶梯与第二阶梯组中的阶梯一一对应连接，形成“L”形阶梯；第二阶梯组中的阶梯和第三阶梯组中的阶梯在所述第一方向上对齐设置。本申请可以在形成阶梯区时减少光掩模的数量，有利于简化半导体器件的制作工艺并节约生产成本。
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公开(公告)号：CN111180454A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN202010001944.6
申请日：2020-01-02
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L27/11524 , H01L27/11529 , H01L27/11531 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11582
摘要： 本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。该制造方法包括：在衬底上形成第一叠层结构，包括交替堆叠的多个层间绝缘层与栅极导体层，第一叠层结构具有第一台阶结构；形成覆盖第一台阶结构与衬底的第一填充层；形成覆盖第一叠层结构的第二叠层结构，包括交替堆叠的多个层间绝缘层与栅极导体层，第二叠层结构具有第二台阶结构；形成多个第一虚拟沟道柱，第一虚拟沟道柱的至少部分位于第二台阶结构中，至少一个第一虚拟沟道柱的顶面为第二台阶结构的台阶面。该制造方法通过将虚拟沟道柱的顶面与台阶结构的台阶面共面，解决了器件平整度差的问题。
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公开(公告)号：CN109196644B
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201880000497.3
申请日：2018-04-18
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L27/11578 , H01L27/11568
摘要： 公开了用于形成三维存储器设备的阶梯结构的方法的实施例。该方法包括：(i)形成交替堆叠结构，所述交替堆叠结构包括沿着垂直方向布置在衬底上的多个层；(ii)去除所述交替堆叠结构的一部分以在所述交替堆叠结构的阶梯区域中形成多个台阶平台；(iii)形成硬掩模层以覆盖所述台阶平台的顶表面；(iv)在所述硬掩模层中形成多个开口以暴露所述台阶平台中的每个台阶平台的一部分；(v)形成光致抗蚀剂层以覆盖所述硬掩模层和所述台阶平台的顶表面；(vi)使用一组相同的修整‑蚀刻工艺来图案化所述光致抗蚀剂层以在所述台阶平台中的每个台阶平台上形成一组阶梯；(vii)去除所述光致抗蚀剂层和所述硬掩模层；并且依次重复(iii)，(iv)，(v)，(vi)和(vii)。
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公开(公告)号：CN109952644A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201980000263.3
申请日：2019-01-31
申请人： 长江存储科技有限责任公司
发明人： 周玉婷
IPC分类号： H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582
摘要： 一种用于形成3D存储器的阶梯结构的方法，包括：形成交替层堆叠体，所述交替层堆叠体包括设置在衬底上方的多个电介质层对；在所述交替层堆叠体上方形成第一掩模堆叠体；使用光刻工艺图案化第一掩模堆叠体以限定阶梯区域，所述阶梯区域包括在所述交替层堆叠体上方的N个子阶梯区域，其中N大于1；在所述阶梯区域上方形成第一阶梯结构，所述第一阶梯结构在每个阶梯区域处具有M个台阶，其中M大于1；并且在所述第一阶梯结构上形成第二阶梯结构，所述第二阶梯结构在阶梯区域处具有2*N*M个台阶。
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公开(公告)号：CN109935595A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910252214.0
申请日：2019-03-29
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L27/11556 , H01L27/11582
摘要： 本发明提供一种3D NAND存储器件及其制造方法，衬底上形成有堆叠层，堆叠层包括核心存储区和台阶区，核心存储区中形成有存储单元串，台阶区形成有分区台阶，且沿核心存储区延伸的方向，分区台阶中的台阶长度呈渐进变化。这样，可以降低接触塞无法可靠形成于台阶上的风险，保证栅线正常引出。
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公开(公告)号：CN108511358B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201810270774.4
申请日：2018-03-29
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明涉及一种3D NAND测试结构及其形成方法，该形成方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底表面形成有堆叠结构介质层，所述堆叠结构由牺牲层和隔离层堆叠而成，包括核心区域和围绕所述核心区域的阶梯区域，所述介质层覆盖所述堆叠结构；形成贯穿所述核心区域至半导体衬底表面的共源极沟槽；沿所述共源极沟槽去除所述牺牲层，在隔离层之间形成开口；形成填充满所述开口的控制栅极以及覆盖共源极沟槽侧壁与控制栅极连接的导电侧墙。上述方法形成的3D NAND测试结构通过共源极沟槽侧壁的导电侧墙，将所有控制栅极之间短路连接，从而仅通过与顶层控制栅连接的金属插塞就可以对所有存储单元进行测试。
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公开(公告)号：CN109196644A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201880000497.3
申请日：2018-04-18
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L27/11578 , H01L27/11568
摘要： 公开了用于形成三维存储器设备的阶梯结构的方法的实施例。该方法包括：(i)形成交替堆叠结构，所述交替堆叠结构包括沿着垂直方向布置在衬底上的多个层；(ii)去除所述交替堆叠结构的一部分以在所述交替堆叠结构的阶梯区域中形成多个台阶平台；(iii)形成硬掩模层以覆盖所述台阶平台的顶表面；(iv)在所述硬掩模层中形成多个开口以暴露所述台阶平台中的每个台阶平台的一部分；(v)形成光致抗蚀剂层以覆盖所述硬掩模层和所述台阶平台的顶表面；(vi)使用一组相同的修整-蚀刻工艺来图案化所述光致抗蚀剂层以在所述台阶平台中的每个台阶平台上形成一组阶梯；(vii)去除所述光致抗蚀剂层和所述硬掩模层；并且依次重复(iii)，(iv)，(v)，(vi)和(vii)。
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