公开(公告)号：CN100398583C

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200380102613.6

申请日：2003-10-27

Applicant: 触媒化成工业株式会社 ,  富士通株式会社

Inventor： 中岛昭 ,  江上美纪 ,  小松通郎 ,  中田义弘 ,  矢野映 ,  铃木克己

IPC: C08G77/08 ,  C09D183/04 ,  C09D183/02 ,  C09D5/25 ,  H01L21/31 ,  C01B33/12

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C08G77/08 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/316

Abstract: 本发明提供一种用于形成具有2.5或2.5以下较小的介电常数、杨氏模量为6.0GPa或6.0GPa以上、且疏水性优良的低介电常数无定形二氧化硅类被膜的涂布液及其配制方法。该涂布液为含有以如下方法获得的硅化合物的溶液：将原硅酸四烷基酯(TAOS)及特定烷氧基硅烷(AS)在氢氧化四烷基铵(TAAOH)的存在下水解而得到硅化合物；或使原硅酸四烷基酯(TAOS)在氢氧化四烷基铵(TAAOH)的存在下水解或部分水解后，与特定烷氧基硅烷(AS)或其水解产物或部分水解产物混合，再根据需要使其部分或全部水解而得到硅化合物。另外，该涂布液是将上述成分按特定比例混合，并在特定的操作条件下进行配制的。

公开(公告)号：CN1708563A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200380102613.6

申请日：2003-10-27

Applicant: 触媒化成工业株式会社 ,  富士通株式会社

Inventor： 中岛昭 ,  江上美纪 ,  小松通郎 ,  中田义弘 ,  矢野映 ,  铃木克己

IPC: C09D183/04 ,  C09D183/02 ,  C09D5/25 ,  C01B33/12

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C08G77/08 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/316

Abstract: 本发明提供一种用于形成具有2.5或2.5以下较小的介电常数、杨氏模量为6.0GPa或6.0GPa以上、且疏水性优良的低介电常数无定形二氧化硅类被膜的涂布液及其配制方法。该涂布液为含有以如下方法获得的硅化合物的溶液：将原硅酸四烷基酯(TAOS)及特定烷氧基硅烷(AS)在氢氧化四烷基铵(TAAOH)的存在下水解而得到硅化合物；或使原硅酸四烷基酯(TAOS)在氢氧化四烷基铵(TAAOH)的存在下水解或部分水解后，与特定烷氧基硅烷(AS)或其水解产物或部分水解产物混合，再根据需要使其部分或全部水解而得到硅化合物。另外，该涂布液是将上述成分按特定比例混合，并在特定的操作条件下进行配制的。

公开(公告)号：CN100380608C

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200380102612.1

申请日：2003-10-27

Applicant: 触媒化成工业株式会社 ,  富士通株式会社

Inventor： 中岛昭 ,  江上美纪 ,  小松通郎 ,  中田义弘 ,  矢野映 ,  铃木克己

IPC: H01L21/312 ,  C09D183/02 ,  C09D183/04 ,  H01L21/316

CPC classification number: C09D183/02 ,  C08G77/08 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31695

Abstract: 本发明提供一种具有低至2.5或2.5以下的介电常数、杨氏模量为6.0GPa或6.0GPa以上、且疏水性优良的低介电常数无定形二氧化硅类被膜及其形成方法。使原硅酸四烷基酯(TAOS)及特定烷氧基硅烷(AS)在氢氧化四烷基铵(TAAOH)的存在下水解而得到硅化合物，配制含有所得硅化合物的液态组合物。然后，将该液态组合物涂布在基板上，进行加热处理及烧制处理，得到被膜。以上述方法得到的被膜表面平滑，且其内部具有特定的微孔。

公开(公告)号：CN1708839A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200380102612.1

申请日：2003-10-27

Applicant: 触媒化成工业株式会社 ,  富士通株式会社

Inventor： 中岛昭 ,  江上美纪 ,  小松通郎 ,  中田义弘 ,  矢野映 ,  铃木克己

IPC: H01L21/312 ,  C09D183/02 ,  C09D183/04 ,  H01L21/316

CPC classification number: C09D183/02 ,  C08G77/08 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31695

Abstract: 本发明提供一种具有低至2.5或2.5以下的介电常数、杨氏模量为6.0GPa或6.0GPa以上、且疏水性优良的低介电常数无定形二氧化硅类被膜及其形成方法。使原硅酸四烷基酯(TAOS)及特定烷氧基硅烷(AS)在氢氧化四烷基铵(TAAOH)的存在下水解而得到硅化合物，配制含有所得硅化合物的液态组合物。然后，将该液态组合物涂布在基板上，进行加热处理及烧制处理，得到被膜。以上述方法得到的被膜表面平滑，且其内部具有特定的微孔。

公开(公告)号：CN101649053B

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN200810129731.0

申请日：2008-08-11

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎史朗 ,  中田义弘 ,  矢野映

IPC: C08G77/60 ,  C08G77/62 ,  C08L83/16 ,  H01L21/31 ,  H01L21/768

CPC classification number: C08G77/62 ,  C08G77/60 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3125 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835

Abstract: 本发明提供了一种硅化合物、多层布线装置及其制造方法。在基板表面形成的多孔绝缘膜前体层；然后在其上形成的特定的硅化合物层；需要时，将该硅化合物层预固化；通过硅化合物层或预固化层将所述多孔绝缘膜前体在UV下曝光。

公开(公告)号：CN101047164A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200710089088.9

申请日：2007-03-29

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今田忠纮 ,  中田义弘 ,  矢野映

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/768 ,  C08G77/04

Abstract: 本发明提供获得TDDB耐性高和泄漏电流小的布线层的技术，并因此，提供制造高度可靠的低耗电量半导体器件的技术，其中形成一种界面粗糙度降低膜，其与绝缘体膜接触，还在其另一面的表面与布线接触，而且布线和界面粗糙度降低膜之间的界面粗糙度比绝缘体膜和界面粗糙度降低膜之间的界面粗糙度小。

公开(公告)号：CN1421743A

公开(公告)日：2003-06-04

申请号：CN02124689.0

申请日：2002-03-29

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 野崎耕司 ,  小澤美和 ,  並木崇久 ,  今纯一 ,  矢野映

IPC: G03F7/038 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L27/11526 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/40 ,  G11B5/17 ,  G11B5/313 ,  G11B5/3163 ,  H01L21/0273 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11543

Abstract: 抗蚀剂图形增厚材料含有树脂、交联剂和水溶性芳香化合物。抗蚀剂图形包括在下层抗蚀剂图形上的上层，下层抗蚀剂图形与上层的腐蚀率(/s)的比(下层抗蚀剂图形/上层)为1.1或更高，或包括在下层抗蚀剂图形上的含有芳香化合物的上层。形成抗蚀剂图形的方法包括在形成下层抗蚀剂图形之后在图形的表面涂覆抗蚀剂图形增厚材料。半导体器件包括由抗蚀剂图形形成的图形。半导体器件的制造方法包括在底层上形成下层抗蚀剂图形之后，在图形的表面涂覆抗蚀剂图形增厚材料以增厚图形，并通过采用图形作为掩模进行腐蚀以构图底层。

公开(公告)号：CN100478780C

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN02152770.9

申请日：2002-11-27

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小泽美和 ,  野崎耕司 ,  並木崇久 ,  今纯一 ,  矢野映

IPC: G03F7/095 ,  G03F7/038 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 抗蚀图增厚材料含有树脂、交联剂和具有环状结构的化合物或部分具有环状结构的树脂。抗蚀图包括在要增厚的抗蚀图上的表面层，在相同条件下，要增厚的抗蚀图与表面层的腐蚀率(nm/s)之比(要增厚的抗蚀图/表面层)为1.1或更大，或包括在要增厚的抗蚀图上的表面层。形成抗蚀图的工艺包括在形成要增厚的抗蚀图之后在表面涂覆抗蚀图增厚材料。半导体器件包括由抗蚀图形成的图形。半导体器件的制造工艺包括在底层上形成要增厚的抗蚀图之后，在图形的表面涂覆增厚材料来增厚，并通过采用图形作为掩模进行腐蚀以构图底层。

公开(公告)号：CN101046972A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200710091409.9

申请日：2007-03-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 远藤浩 ,  若林泰浩 ,  江口伸 ,  山本保 ,  矢野映

IPC: G11B5/39 ,  G11B5/31

CPC classification number: G11B5/3169 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3903 ,  Y10T29/49021 ,  Y10T29/49043 ,  Y10T29/49044 ,  Y10T29/49048

Abstract: 本发明公开一种制造磁头的方法，包括步骤：在下电极的第一区域上方形成磁阻效应膜，该磁阻效应膜的上表面上方形成有第一抗抛光膜，该第一抗抛光膜对于磁性材料具有抛光选择性；在下电极的包括第一区域的整个表面上方形成磁畴控制膜；利用第一抗抛光膜作为阻挡层，通过抛光去除磁阻效应膜上方的磁畴控制膜，以选择性地将磁畴控制膜保留在与第一区域相邻的第二区域中；去除第一抗抛光膜；以及在已去除第一抗抛光膜的磁阻效应膜上方形成上电极。

公开(公告)号：CN1891757A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200510128973.4

申请日：2005-12-02

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中田义弘 ,  矢野映

IPC: C08L83/04 ,  H01L21/32

CPC classification number: H01L21/3122 ,  C09D183/14 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/76801 ,  Y10T428/31663

Abstract: 一种包含硅酮聚合物的二氧化硅膜形成材料，该硅酮聚合物包括作为聚合物部分结构的CHx，Si－O－Si键，Si－CH3键和Si－CHx－键，其中x代表0－2的整数。