公开(公告)号：CN1200499A

公开(公告)日：1998-12-02

申请号：CN97111054.9

申请日：1997-05-23

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 杉本克弓 ,  福家宪司 ,  东内惠子 ,  吉田浩明 ,  户野本好弘 ,  铃木英司 ,  田中知明 ,  岛津胜也 ,  若林泰浩

IPC: G03G15/08

Abstract: 一种用显影剂使一个形成在潜影载体上的潜影显影的显影设备。该显影设备包括一个显影装置,该显影装置有一个给所说潜影载体提供显影剂,使该潜影载体上的潜影显影的装置,和一个存放该显影剂的显影剂箱。一个储存那种要供给该显影装置的显影剂的显影剂储存盒。显影剂储存盒可拆卸地安装在显影装置上,并具有与一种能存放在显影装置的显影剂箱中的显影剂的体积基本相同的体积。显影剂储存盒中的显影剂提供给该显影装置。

公开(公告)号：CN101046972A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200710091409.9

申请日：2007-03-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 远藤浩 ,  若林泰浩 ,  江口伸 ,  山本保 ,  矢野映

IPC: G11B5/39 ,  G11B5/31

CPC classification number: G11B5/3169 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3903 ,  Y10T29/49021 ,  Y10T29/49043 ,  Y10T29/49044 ,  Y10T29/49048

Abstract: 本发明公开一种制造磁头的方法，包括步骤：在下电极的第一区域上方形成磁阻效应膜，该磁阻效应膜的上表面上方形成有第一抗抛光膜，该第一抗抛光膜对于磁性材料具有抛光选择性；在下电极的包括第一区域的整个表面上方形成磁畴控制膜；利用第一抗抛光膜作为阻挡层，通过抛光去除磁阻效应膜上方的磁畴控制膜，以选择性地将磁畴控制膜保留在与第一区域相邻的第二区域中；去除第一抗抛光膜；以及在已去除第一抗抛光膜的磁阻效应膜上方形成上电极。