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公开(公告)号：CN119876843A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411335394.6
申请日：2024-09-24
Applicant: 西安交通大学
IPC: C23C14/04 , C23C14/50 , C23C16/04 , C23C16/458
Abstract: 本发明公开了一种镂空掩模电极沉积样品架及方法，包括连接托盘、可移动样品台和掩模版夹；滑轨连接件底部与X直线滑轨在X方向上滑动连接，样品台底部与滑轨连接件顶部在Y方向上滑动连接；滑轨连接件设置有X向贯穿螺孔，X调节螺杆螺纹一端安装在滑轨连接件的X向贯穿螺孔中，另一端设置在X夹持装置中；样品台设置有Y向贯穿螺孔，Y调节螺杆螺纹一端安装在样品台的Y向贯穿螺孔中，另一端设置在Y夹持装置中；掩模版夹固定螺柱高于样品台，掩模版夹与掩模版夹固定螺柱顶部连接。以满足在利用免光刻工艺给转移单晶岛二维材料与生长单晶岛二维材料沉积电极时的精度要求。
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公开(公告)号：CN116359567A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310301684.8
申请日：2023-03-24
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种超高真空样品台与集成式低温输运测量台，包括适配真空旗形样品托传样的样品测量台、用于多端口电学测量的柔性微探针、防止超量驱动的进针凸轮机构；还包括用于一体集成的超高真空四通，密封连接有输出电信号的真空电连接机构、提供扭矩的探针驱动机构、真空外冷源和超高真空多维位移台输出端。本发明具有不遮挡样品核心区域、易对接超高真空系统并且适配多维位移的特点，可在真空原位实现探针与样品几乎无损、稳定的电连接，同时有效支持多场与多维度的协同调控。
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公开(公告)号：CN114686817B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202210320732.3
申请日：2022-03-29
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种超高真空原位薄膜多图案化装置，包括超高真空腔体、样品托、多位掩膜台和光学位移传感器；超高真空腔体内设置有水平通道，样品托位于水平通道顶部，样品位于样品托底部，多位掩膜台位于水平通道中，多位掩膜台在水平方向设置有多个镂空位，掩膜位于镂空位上，多位掩膜台分别连接有第一直线运动机构和第二直线运动机构，运动方向分别为水平方向和竖直方向；超高真空腔体底部设置有观察通道，观察通道连通样品托底部，观察通道内密封设置有石英观察窗，石英观察窗下方设置有光学位移传感器，光学位移传感器的测量端朝向样品托底部。能够调节掩膜和样品之间的间距，并且能够进行多图案化作业。
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公开(公告)号：CN114686817A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210320732.3
申请日：2022-03-29
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种超高真空原位薄膜多图案化装置，包括超高真空腔体、样品托、多位掩膜台和光学位移传感器；超高真空腔体内设置有水平通道，样品托位于水平通道顶部，样品位于样品托底部，多位掩膜台位于水平通道中，多位掩膜台在水平方向设置有多个镂空位，掩膜位于镂空位上，多位掩膜台分别连接有第一直线运动机构和第二直线运动机构，运动方向分别为水平方向和竖直方向；超高真空腔体底部设置有观察通道，观察通道连通样品托底部，观察通道内密封设置有石英观察窗，石英观察窗下方设置有光学位移传感器，光学位移传感器的测量端朝向样品托底部。能够调节掩膜和样品之间的间距，并且能够进行多图案化作业。
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公开(公告)号：CN119050189A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411168542.X
申请日：2024-08-23
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/0232 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于表面修饰麦克烯等离激元增强的二维半导体基光电探测器及其制备方法，包括衬底、二维半导体层、麦克烯纳米片和电极；二维半导体层铺设在衬底顶面，电极按照光电探测器所需的图案设置在二维半导体材料顶面，二维半导体层顶面覆盖有麦克烯纳米片。借助等离激元形成的热电子效应，增加二维半导体材料的光吸收，使光电流增强，实现对光电探测器性能的提升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114381696A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111450038.5
申请日：2021-11-30
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种微型多源金属超薄膜电极超高真空蒸镀装置及方法，包括置于超高真空腔体中能够进行旋转的蒸发器盘体、n个微型蒸发器和样品台支架，样品台支架上固定有m个样品台，在样品台上固定有放置衬底的样品托；通过控制超高真空腔体真空度和加载到微型蒸发器与样品台的电流，利用金属材料与加热丝间的点接触，实现金属单原子、纳米团簇及超薄膜的蒸镀。且由于蒸发器的加热功率较小，避免了对样品造成升温破坏；同时使用掩膜法可在避免样品污染的前提下实现蒸镀图案化原子层薄膜。
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公开(公告)号：CN119876861A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411374126.5
申请日：2024-09-29
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种超高真空多源共沉积装置及其工作方法，包括超高真空磁力杆、束源炉、样品托、样品架和接电座；样品架和接电座由上而下依次套在超高真空磁力杆上，样品架上设置有多个呈环形排布的样品托，每个样品托上设置一个束源炉，多个束源炉顶部朝样品架中心倾斜，朝向超高真空磁力杆顶端。在不增加真空腔体体积的同时，将多个蒸发源进行集成，提高了设备集成率和沉积效率。
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公开(公告)号：CN116603405A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310678870.3
申请日：2023-06-08
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种两级稀释的痕量气体混合装置及方法，混气腔包括第一混气腔以及第二混气腔，第一混气腔以及第二混气腔均连接有真空泵组；第一混气腔输出端与第二混气腔输入端连接，多路并联的微量气体通道输入端连接微量气体气源，输出端连接第一混气腔；一次稀释气体进气通道输入端连接稀释气体气源，输出端连接第一混气腔；二次稀释气体进气通道输入端连接稀释气体气源，输出端连接第二混气腔；混合气体输出通道输入端连接第二混气腔输出端，混合气体输出通道上设置有气体输出电磁阀。气体通道上均设置有电磁阀和质量流量控制器。实现了1～10‑10浓度范围内痕量气体的高效采集和稳定传输。
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公开(公告)号：CN116110997A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310067629.7
申请日：2023-01-29
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种宽波段快响应自驱动型光电探测器及其制备方法，包括衬底、二维过渡金属碲化物和两个金属电极；二维过渡金属碲化物位于衬底上方，两个金属电极位于二维过渡金属碲化物上方，两个金属电极位于二维过渡金属碲化物的顶面轴心线两侧，且电极的功函数非对称设置。制备方法为S1：提高衬底表面亲水性；S2：在衬底表面通过化学气相沉积法得到二维过渡金属碲化物；S3：在二维过渡金属碲化物表面蒸镀两个非对称设置的金属电极。提高二维过渡金属碲化物的制备效率，能够在衬底较大范围内获得连续均匀的二维过渡金属碲化物。
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公开(公告)号：CN114381696B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202111450038.5
申请日：2021-11-30
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种微型多源金属超薄膜电极超高真空蒸镀装置及方法，包括置于超高真空腔体中能够进行旋转的蒸发器盘体、n个微型蒸发器和样品台支架，样品台支架上固定有m个样品台，在样品台上固定有放置衬底的样品托；通过控制超高真空腔体真空度和加载到微型蒸发器与样品台的电流，利用金属材料与加热丝间的点接触，实现金属单原子、纳米团簇及超薄膜的蒸镀。且由于蒸发器的加热功率较小，避免了对样品造成升温破坏；同时使用掩膜法可在避免样品污染的前提下实现蒸镀图案化原子层薄膜。
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