公开(公告)号：CN102214586A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN201110157732.8

申请日：2011-06-13

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 李尊朝 ,  尤一龙 ,  李昕怡 ,  黎相孟 ,  崔吾元

IPC: H01L21/336 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及微电子器件制造领域，公开了一种垂直硅纳米线围栅场效应晶体管自上而下的制备方法。该垂直纳米线场效应晶体管包括：半导体衬底，垂直设置在半导体衬底上的纳米线沟道区，沟道外是环状的栅导电层。所述纳米线沟道区上设置有源导电层，上部掺n杂质作为源端n区，与漏导电层底部接触的半导体衬底掺n杂质作为漏端n区，在源端与沟道之间增加一个非对称Halo掺杂结构p+区。本发明提出的制备垂直硅纳米线围栅场效应晶体管的方法可以很好的控制纳米线的位置和尺度一致性，简化了制作工艺，降低了制作成本。

公开(公告)号：CN103887178A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201410119735.6

申请日：2014-03-27

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 李尊朝 ,  苗治聪 ,  李昕怡 ,  张亮亮

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L29/66666 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/7843

Abstract: 一种应变垂直MOS器件的制造方法，在衬底上完成图形转移，再形成金属掩膜，通过进行刻蚀形成硅柱，减小硅柱直径，制备硅纳米线，并生长栅氧化层；淀积多晶硅、掺杂并激活杂质离子，形成环状栅极；在栅极外淀积应力氮化硅薄膜，形成应力衬垫层；进行离子注入，形成漏端n-掺杂区；对衬底的外围环状区域进行离子注入，形成漏端n+掺杂区；对硅纳米线上部进行P+离子注入，形成Halo掺杂结构，进行n型离子注入形成源端；淀积金属和合金。本发明提高纳米结点集成电路中器件的栅控能力，抑制短沟道效应和热载流子效应，提高载流子迁移率，增强电流驱动能力，在不降低器件性能的前提下缩小器件尺寸，以实现器件微型化的要求。

公开(公告)号：CN102214586B

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201110157732.8

申请日：2011-06-13

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 李尊朝 ,  尤一龙 ,  李昕怡 ,  黎相孟 ,  崔吾元

IPC: H01L21/336 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及微电子器件制造领域，公开了一种垂直硅纳米线围栅场效应晶体管自上而下的制备方法。该垂直纳米线场效应晶体管包括：半导体衬底，垂直设置在半导体衬底上的纳米线沟道区，沟道外是环状的栅导电层。所述纳米线沟道区上设置有源导电层，上部掺n杂质作为源端n区，与漏导电层底部接触的半导体衬底掺n杂质作为漏端n区，在源端与沟道之间增加一个非对称Halo掺杂结构p+区。本发明提出的制备垂直硅纳米线围栅场效应晶体管的方法可以很好的控制纳米线的位置和尺度一致性，简化了制作工艺，降低了制作成本。

公开(公告)号：CN116603405A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202310678870.3

申请日：2023-06-08

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 潘毅 ,  冯尧 ,  张又麒 ,  刘逸凡 ,  孙佳鑫 ,  李昕怡 ,  郑汉宁

IPC: B01F23/10 ,  B01F33/70 ,  B01F35/221 ,  B01F35/83 ,  B01F35/92 ,  B01F35/21

Abstract: 本发明公开了一种两级稀释的痕量气体混合装置及方法，混气腔包括第一混气腔以及第二混气腔，第一混气腔以及第二混气腔均连接有真空泵组；第一混气腔输出端与第二混气腔输入端连接，多路并联的微量气体通道输入端连接微量气体气源，输出端连接第一混气腔；一次稀释气体进气通道输入端连接稀释气体气源，输出端连接第一混气腔；二次稀释气体进气通道输入端连接稀释气体气源，输出端连接第二混气腔；混合气体输出通道输入端连接第二混气腔输出端，混合气体输出通道上设置有气体输出电磁阀。气体通道上均设置有电磁阀和质量流量控制器。实现了1～10‑10浓度范围内痕量气体的高效采集和稳定传输。

公开(公告)号：CN103887178B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201410119735.6

申请日：2014-03-27

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 李尊朝 ,  苗治聪 ,  李昕怡 ,  张亮亮

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  B82Y10/00

Abstract: 一种应变垂直MOS器件的制造方法，在衬底上完成图形转移，再形成金属掩膜，通过进行刻蚀形成硅柱，减小硅柱直径，制备硅纳米线，并生长栅氧化层；淀积多晶硅、掺杂并激活杂质离子，形成环状栅极；在栅极外淀积应力氮化硅薄膜，形成应力衬垫层；进行离子注入，形成漏端n-掺杂区；对衬底的外围环状区域进行离子注入，形成漏端n+掺杂区；对硅纳米线上部进行P+离子注入，形成Halo掺杂结构，进行n型离子注入形成源端；淀积金属和合金。本发明提高纳米结点集成电路中器件的栅控能力，抑制短沟道效应和热载流子效应，提高载流子迁移率，增强电流驱动能力，在不降低器件性能的前提下缩小器件尺寸，以实现器件微型化的要求。