公开(公告)号：CN115579293A

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN202211227897.2

申请日：2022-10-09

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 潘毅 ,  王栋立 ,  张一诺 ,  李宇昂

IPC: H01L21/363 ,  C30B25/16 ,  C30B25/18 ,  C30B29/46

Abstract: 本发明公开了一种晶圆尺寸2H‑MoTe2及分子束外延制备方法，在GaN衬底上，通过预先沉积Te缓冲层，并保持衬底温度和腔体真空度，立即向生长有Te缓冲层的GaN衬底沉积Te和Mo生长MoTe2，分别控制Te蒸发源在Te缓冲层上生长MoTe2的蒸发温度和Mo蒸发源的功率，来精确调控Te蒸发源和Mo蒸发源的蒸发速率，实现了晶圆尺寸、原子级平整、厚度均匀可控的外延二维半导体2H‑MoTe2的制备。本发明能够实现对2H‑MoTe2层厚的精准控制，克服了传统制备方法的样品尺寸小、纯净度低和多相混合及层厚难以调控的缺点，满足了芯片领域的器件阵列化和集成化的基本要求。

公开(公告)号：CN115966632A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202310060579.X

申请日：2023-01-18

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 潘毅 ,  李雪妍 ,  张一诺 ,  王栋立 ,  林煜楠

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/109 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明公开了一种双异质结自驱动紫外光电探测器及其制备方法，取p型或n型GaN衬底；沿p型或n型GaN衬底和生长的2H‑MoTe2薄膜上表面遮挡钽片；在未遮挡钽片的p型或n型GaN衬底生长连续的2H‑MoTe2薄膜形成2D/3D异质结；在未遮挡钽片的2H‑MoTe2薄膜上表面生长第三层2D vdw半导体材料，形成2D/2D异质结；在三层材料上表面附上镂空掩模版，分别在镂空掩模版上镀Au电极，得到双异质结自驱动紫外光电探测器。光电探测器有更高的载流子迁移率，有较高的开关比和自驱动现象；并且可以调整光生载流子的输运路径，促进了光生载流子的分离、延长光生载流子寿命、提升光电探测器探测的光强范围。

公开(公告)号：CN116110997A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202310067629.7

申请日：2023-01-29

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 潘毅 ,  林煜楠 ,  胡永琪 ,  毛家彤 ,  张又麒 ,  张一诺 ,  王栋立

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明公开了一种宽波段快响应自驱动型光电探测器及其制备方法，包括衬底、二维过渡金属碲化物和两个金属电极；二维过渡金属碲化物位于衬底上方，两个金属电极位于二维过渡金属碲化物上方，两个金属电极位于二维过渡金属碲化物的顶面轴心线两侧，且电极的功函数非对称设置。制备方法为S1：提高衬底表面亲水性；S2：在衬底表面通过化学气相沉积法得到二维过渡金属碲化物；S3：在二维过渡金属碲化物表面蒸镀两个非对称设置的金属电极。提高二维过渡金属碲化物的制备效率，能够在衬底较大范围内获得连续均匀的二维过渡金属碲化物。