公开(公告)号：CN115966632A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202310060579.X

申请日：2023-01-18

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 潘毅 ,  李雪妍 ,  张一诺 ,  王栋立 ,  林煜楠

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/109 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明公开了一种双异质结自驱动紫外光电探测器及其制备方法，取p型或n型GaN衬底；沿p型或n型GaN衬底和生长的2H‑MoTe2薄膜上表面遮挡钽片；在未遮挡钽片的p型或n型GaN衬底生长连续的2H‑MoTe2薄膜形成2D/3D异质结；在未遮挡钽片的2H‑MoTe2薄膜上表面生长第三层2D vdw半导体材料，形成2D/2D异质结；在三层材料上表面附上镂空掩模版，分别在镂空掩模版上镀Au电极，得到双异质结自驱动紫外光电探测器。光电探测器有更高的载流子迁移率，有较高的开关比和自驱动现象；并且可以调整光生载流子的输运路径，促进了光生载流子的分离、延长光生载流子寿命、提升光电探测器探测的光强范围。

公开(公告)号：CN116110997A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202310067629.7

申请日：2023-01-29

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 潘毅 ,  林煜楠 ,  胡永琪 ,  毛家彤 ,  张又麒 ,  张一诺 ,  王栋立

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明公开了一种宽波段快响应自驱动型光电探测器及其制备方法，包括衬底、二维过渡金属碲化物和两个金属电极；二维过渡金属碲化物位于衬底上方，两个金属电极位于二维过渡金属碲化物上方，两个金属电极位于二维过渡金属碲化物的顶面轴心线两侧，且电极的功函数非对称设置。制备方法为S1：提高衬底表面亲水性；S2：在衬底表面通过化学气相沉积法得到二维过渡金属碲化物；S3：在二维过渡金属碲化物表面蒸镀两个非对称设置的金属电极。提高二维过渡金属碲化物的制备效率，能够在衬底较大范围内获得连续均匀的二维过渡金属碲化物。

公开(公告)号：CN117331531A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202311206594.7

申请日：2023-09-18

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 潘毅 ,  林煜楠 ,  李宇昂 ,  李雪妍 ,  张一诺

IPC: G06F7/58 ,  G06N10/40 ,  H01L29/41 ,  H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明公开了一种单原子荷电双稳态真随机数发生器、发生和制备方法。该随机数发生器利用半导体衬底(111)面量子隧穿结之间掺杂的稀土元素原子的荷电状态发生随机的改变导致的不同隧穿电导引起的二值随机隧穿电流作为真随机数来源。该真随机数发生器的随机数发生模块包括III‑V族半导体衬底；衬底表面单分散的稀土元素掺杂原子；以及基于扫描探针原子操纵技术的原子制造工艺制备的源极、漏极、调控栅极、设置栅极。本发明提供的真随机数发生器基于荷电双稳态的量子随机效应，集成度高、随机性好、能耗低且输出序列可调节，作为单原子器件则能够突破当今工艺线宽的极限，使制备单原子精度量子器件成为可能。