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公开(公告)号:CN119050189A
公开(公告)日:2024-11-29
申请号:CN202411168542.X
申请日:2024-08-23
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/0232 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于表面修饰麦克烯等离激元增强的二维半导体基光电探测器及其制备方法,包括衬底、二维半导体层、麦克烯纳米片和电极;二维半导体层铺设在衬底顶面,电极按照光电探测器所需的图案设置在二维半导体材料顶面,二维半导体层顶面覆盖有麦克烯纳米片。借助等离激元形成的热电子效应,增加二维半导体材料的光吸收,使光电流增强,实现对光电探测器性能的提升。