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公开(公告)号:CN119876843A
公开(公告)日:2025-04-25
申请号:CN202411335394.6
申请日:2024-09-24
Applicant: 西安交通大学
IPC: C23C14/04 , C23C14/50 , C23C16/04 , C23C16/458
Abstract: 本发明公开了一种镂空掩模电极沉积样品架及方法,包括连接托盘、可移动样品台和掩模版夹;滑轨连接件底部与X直线滑轨在X方向上滑动连接,样品台底部与滑轨连接件顶部在Y方向上滑动连接;滑轨连接件设置有X向贯穿螺孔,X调节螺杆螺纹一端安装在滑轨连接件的X向贯穿螺孔中,另一端设置在X夹持装置中;样品台设置有Y向贯穿螺孔,Y调节螺杆螺纹一端安装在样品台的Y向贯穿螺孔中,另一端设置在Y夹持装置中;掩模版夹固定螺柱高于样品台,掩模版夹与掩模版夹固定螺柱顶部连接。以满足在利用免光刻工艺给转移单晶岛二维材料与生长单晶岛二维材料沉积电极时的精度要求。
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公开(公告)号:CN119050189A
公开(公告)日:2024-11-29
申请号:CN202411168542.X
申请日:2024-08-23
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/0232 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于表面修饰麦克烯等离激元增强的二维半导体基光电探测器及其制备方法,包括衬底、二维半导体层、麦克烯纳米片和电极;二维半导体层铺设在衬底顶面,电极按照光电探测器所需的图案设置在二维半导体材料顶面,二维半导体层顶面覆盖有麦克烯纳米片。借助等离激元形成的热电子效应,增加二维半导体材料的光吸收,使光电流增强,实现对光电探测器性能的提升。
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