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公开(公告)号：CN114686817B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202210320732.3
申请日：2022-03-29
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种超高真空原位薄膜多图案化装置，包括超高真空腔体、样品托、多位掩膜台和光学位移传感器；超高真空腔体内设置有水平通道，样品托位于水平通道顶部，样品位于样品托底部，多位掩膜台位于水平通道中，多位掩膜台在水平方向设置有多个镂空位，掩膜位于镂空位上，多位掩膜台分别连接有第一直线运动机构和第二直线运动机构，运动方向分别为水平方向和竖直方向；超高真空腔体底部设置有观察通道，观察通道连通样品托底部，观察通道内密封设置有石英观察窗，石英观察窗下方设置有光学位移传感器，光学位移传感器的测量端朝向样品托底部。能够调节掩膜和样品之间的间距，并且能够进行多图案化作业。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114686817A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210320732.3
申请日：2022-03-29
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种超高真空原位薄膜多图案化装置，包括超高真空腔体、样品托、多位掩膜台和光学位移传感器；超高真空腔体内设置有水平通道，样品托位于水平通道顶部，样品位于样品托底部，多位掩膜台位于水平通道中，多位掩膜台在水平方向设置有多个镂空位，掩膜位于镂空位上，多位掩膜台分别连接有第一直线运动机构和第二直线运动机构，运动方向分别为水平方向和竖直方向；超高真空腔体底部设置有观察通道，观察通道连通样品托底部，观察通道内密封设置有石英观察窗，石英观察窗下方设置有光学位移传感器，光学位移传感器的测量端朝向样品托底部。能够调节掩膜和样品之间的间距，并且能够进行多图案化作业。
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公开(公告)号：CN114672782B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210390382.8
申请日：2022-04-14
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种薄膜沉积与连续膜生长监测一体化样品台装置及监测方法，包括两组适配旗形样品托的样品卡槽组件；衬底加热及控温组件、蒸发源加热及控温组件；用于原位电学监测的电极加热及控温组件；含电极旗形样品托和微型蒸发源组件。该装置在超高真空腔体内实现衬底热处理、薄膜沉积并借助于真空原位电输运测量的方式监测连续膜生长状况，并获得沉积速率、掺杂量和衬底温度等工艺参数对薄膜电学指标的影响。该装置通过一体化设计，不仅用于薄膜生长，且实现了样品工艺指标的真空环境原位实时监测，极大提高了大尺寸连续膜生长的工艺参数的迭代优化效率和精度。
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公开(公告)号：CN114381696B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202111450038.5
申请日：2021-11-30
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种微型多源金属超薄膜电极超高真空蒸镀装置及方法，包括置于超高真空腔体中能够进行旋转的蒸发器盘体、n个微型蒸发器和样品台支架，样品台支架上固定有m个样品台，在样品台上固定有放置衬底的样品托；通过控制超高真空腔体真空度和加载到微型蒸发器与样品台的电流，利用金属材料与加热丝间的点接触，实现金属单原子、纳米团簇及超薄膜的蒸镀。且由于蒸发器的加热功率较小，避免了对样品造成升温破坏；同时使用掩膜法可在避免样品污染的前提下实现蒸镀图案化原子层薄膜。
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公开(公告)号：CN114672782A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210390382.8
申请日：2022-04-14
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种薄膜沉积与连续膜生长监测一体化样品台装置及监测方法，包括两组适配旗形样品托的样品卡槽组件；衬底加热及控温组件、蒸发源加热及控温组件；用于原位电学监测的电极加热及控温组件；含电极旗形样品托和微型蒸发源组件。该装置在超高真空腔体内实现衬底热处理、薄膜沉积并借助于真空原位电输运测量的方式监测连续膜生长状况，并获得沉积速率、掺杂量和衬底温度等工艺参数对薄膜电学指标的影响。该装置通过一体化设计，不仅用于薄膜生长，且实现了样品工艺指标的真空环境原位实时监测，极大提高了大尺寸连续膜生长的工艺参数的迭代优化效率和精度。
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公开(公告)号：CN114381696A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111450038.5
申请日：2021-11-30
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种微型多源金属超薄膜电极超高真空蒸镀装置及方法，包括置于超高真空腔体中能够进行旋转的蒸发器盘体、n个微型蒸发器和样品台支架，样品台支架上固定有m个样品台，在样品台上固定有放置衬底的样品托；通过控制超高真空腔体真空度和加载到微型蒸发器与样品台的电流，利用金属材料与加热丝间的点接触，实现金属单原子、纳米团簇及超薄膜的蒸镀。且由于蒸发器的加热功率较小，避免了对样品造成升温破坏；同时使用掩膜法可在避免样品污染的前提下实现蒸镀图案化原子层薄膜。
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