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公开(公告)号：CN110715964A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910929439.5
申请日：2019-09-27
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种差分型光寻址电位传感器，其特点是采用半导体器件作为参考子传感器，所述的半导体器件剖面结构为金属电极-敏感层-过渡层-半导体层-输出电极五层结构。测量时参考子传感器无需添加基准溶液，简化了测量步骤；参考子传感器与测量子传感器建立在互不相连的硅片上，方便差分型光寻址电位传感器的更换；参考子传感器由偏置电压与参考电压叠加控制，避免外界因素影响输出光电流，提高差分型光寻址电位传感器精度。
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公开(公告)号：CN106252019B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201610538539.1
申请日：2016-07-09
Applicant: 西北工业大学
IPC: H01F5/00
Abstract: 本发明公开了一种多层三维磁场发射线圈，用于宽量程的直流磁场跟踪定位系统。采用多层形状相同、直径不同、匝数不同的空心线圈同轴共心嵌套而成，每层线圈均由两两相互垂直且共心的三轴漆包线绕制在骨架上制成，由内到外，每层线圈半径依次增大，骨架用于缠绕线圈并固定每层相对位置。这样可以根据定位所需范围设计适当的线圈层数以及每层线圈的半径、匝数和激励电流大小。使其发射磁场在跟踪范围内，既可近似为磁偶极子模型，又可获得较大磁场强度，在便于计算的同时，又减小了测量误差。
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公开(公告)号：CN106647687A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610807485.4
申请日：2016-09-07
Applicant: 西北工业大学
IPC: G05B23/02
CPC classification number: G05B23/0213 , G05B2219/24065
Abstract: 本发明公开了一种无刷永磁电机驱动控制器的模拟加载测试方法。其特征在于利用共轴双绕组无刷永磁电机(含转子位置传感器及无位置传感器)作为驱动控制器的模拟加载单元，再配合加载可调电阻器、电功率计等，即可实现对无刷永磁电机驱动控制器的模拟加载并完成其输出性能测试。本发明无需无刷永磁电机必须采用传统的“联轴器－转速转矩传感器－测功机”等多环节组成的转速‑转矩试验台就能实现驱动控制器的性能测试且测试效率高、精度高、一致性好、测试成本低；同时杜绝了传统测试方法因高同轴度要求导致的安装、调试、维护等困难，改善了操作使用性和长期维护性；还提高了高转速旋转加载测试过程的安全性。可广泛应用于工业、航空航天等领域。
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公开(公告)号：CN106517305A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201611017280.2
申请日：2016-11-19
Applicant: 西北工业大学
IPC: C01G9/02
CPC classification number: C01G9/02 , C01P2004/03 , C01P2004/80
Abstract: 本发明提供了一种无催化剂条件下制备镁掺杂ZnO纳米线的方法，采用双温区化学气相沉积管式炉，低温区为镁源，温度460-960℃；高温区为锌源，温度800-1100℃；镁源为镁粉，锌源为氧化锌和碳粉混合物，将镁粉放置在低温区，氧化锌和碳粉放置在高温区，硅衬底置于管式炉中，调节升温速率20℃/min，通入由纯氮和纯氧组成的混合载气，当双温区达到各自的温度后，继续通氧，保温20-40min，在硅衬底上制备出镁掺杂ZnO纳米线。本发明通过用双温区气相沉积法制备纳米线，不需要提前制备催化层，完全是无催化剂条件，在20-40min内即可制备成功，实现了纳米线在无催化条件下的快速自生长，耗时短，操作简单。
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公开(公告)号：CN103336252B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310217695.4
申请日：2013-06-04
Applicant: 西北工业大学
IPC: G01R33/04
Abstract: 本发明公开了一种迟滞时间差型磁通门传感器信号检测方法，用于解决现有磁通门传感器信号检测方法依赖阈值选取致使检测精度难以保证的技术问题。技术方案是获取RTD磁通门传感器信号，对RTD信号正脉冲最大值附近的N1个数据进行曲线拟合，对RTD信号负脉冲最小值附近的N2个数据进行曲线拟合；根据相邻的三个峰值点的时间计算迟滞时间差；根据迟滞时间差计算出外磁场。由于该方法通过寻找RTD信号正脉冲峰值与负脉冲峰值在时间轴上的位置计算迟滞时间差，从而计算被测磁场强度。本方法无需考虑阈值设置的大小对传感器输出性能的影响，测量结果与阈值无关，提高了磁通门传感器信号的检测精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103336252A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310217695.4
申请日：2013-06-04
Applicant: 西北工业大学
IPC: G01R33/04
Abstract: 本发明公开了一种迟滞时间差型磁通门传感器信号检测方法，用于解决现有磁通门传感器信号检测方法依赖阈值选取致使检测精度难以保证的技术问题。技术方案是获取RTD磁通门传感器信号，对RTD信号正脉冲最大值附近的N1个数据进行曲线拟合，对RTD信号负脉冲最小值附近的N2个数据进行曲线拟合；根据相邻的三个峰值点的时间计算迟滞时间差；根据迟滞时间差计算出外磁场。由于该方法通过寻找RTD信号正脉冲峰值与负脉冲峰值在时间轴上的位置计算迟滞时间差，从而计算被测磁场强度。本方法无需考虑阈值设置的大小对传感器输出性能的影响，测量结果与阈值无关，提高了磁通门传感器信号的检测精度。
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公开(公告)号：CN102012491B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201010556481.6
申请日：2010-11-22
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种单铁芯磁通门以及磁通门双轴传感器，用于解决现有的双轴磁通门传感器绕线困难的技术问题。技术方案是磁通门的铁芯是长条形，加工绕线更加方便，更能保证测量轴与安装轴的一致。磁通门与传感器支架分离，降低铁芯、线圈的加工、绕线和装配的复杂程度，保证了两个轴之间的相互垂直和测量轴与外壳的一致性，提高了磁通门双轴传感器的可靠性和可维修性；电路板的橡胶垫和顶丝上的橡胶垫以及柔性套管减小了铁芯所受的应力，提高了磁通门铁芯抗冲击能力。
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公开(公告)号：CN109742232A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201811410331.7
申请日：2018-11-23
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种凹槽阳极平面耿氏二极管，包括：衬底；成核层，位于衬底上；背势垒层，位于成核层上；沟道层，位于背势垒层上；势垒层，位于沟道层上；势垒层和沟道层上设置有凹槽，凹槽将沟道层和势垒层形成的2DEG沟分割为第一2DEG沟道和第二2DEG沟道；阳极，位于凹槽中和势垒层上；阴极，位于背势垒层上；介质层，位于势垒层上。本发明实施例利用凹槽形成两个并联的平面耿氏二极管，通过改变两个沟道的长度来改变沟道中电子畴的运动，实现器件工作频率和输出功率的自由调控，对提高器件工作频率和输出功率的研究具有重要意义。
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公开(公告)号：CN104808157B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201510182640.3
申请日：2015-04-11
Applicant: 西北工业大学
IPC: G01R33/04
Abstract: 本发明公开了一种印制电路板正交磁通门传感器，采用S形软磁材料铁芯，铁芯两端通电用于产生激励磁场，用印制电路板制作骨架，感应线圈直接缠绕在骨架外部，铁芯和感应线圈通过相应焊盘引出。该正交磁通门传感器的S形铁芯结构可以方便调整铁芯直线段的数量和长度，从而调整传感器的测量范围和灵敏度；以铁芯作为激励线，简化了传感器结构和制作工艺；印制电路板骨架易于加工，成本低；感应线圈在骨架外部绕制，绕线方便，可通过增加绕制匝数提高传感器的灵敏度，降低传感器的噪声。
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公开(公告)号：CN104977548B
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201410141850.3
申请日：2014-04-02
Applicant: 西北工业大学
IPC: G01R33/04
Abstract: 本发明公开了一种采用多孔铁芯的微型磁通门传感器。硅基底(1)作为衬底支撑层；激励线圈(2)和感应线圈(3)采用三维螺线管结构，由两端通孔(4)连通上下层；铁芯(5)采用软磁材料、多孔结构，铁芯上的孔将铁芯分割形成多组局部变截面积结构；聚酰亚胺(6)作为各层之间的绝缘层；激励线圈对应“无孔”位置，感应线圈对应“有孔”位置，交替缠绕；激励线和感应线圈通过焊盘(7、8)引出。本发明所涉及的微型磁通门传感器能有效降低微型磁通门功耗，提高灵敏度。
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