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公开(公告)号:CN110715964A
公开(公告)日:2020-01-21
申请号:CN201910929439.5
申请日:2019-09-27
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种差分型光寻址电位传感器,其特点是采用半导体器件作为参考子传感器,所述的半导体器件剖面结构为金属电极-敏感层-过渡层-半导体层-输出电极五层结构。测量时参考子传感器无需添加基准溶液,简化了测量步骤;参考子传感器与测量子传感器建立在互不相连的硅片上,方便差分型光寻址电位传感器的更换;参考子传感器由偏置电压与参考电压叠加控制,避免外界因素影响输出光电流,提高差分型光寻址电位传感器精度。
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公开(公告)号:CN118243749A
公开(公告)日:2024-06-25
申请号:CN202311200553.7
申请日:2023-09-15
Applicant: 西北工业大学
IPC: G01N27/30 , G01N27/327
Abstract: 本发明公开了一种电荷门光寻址电位传感器,其特点是用一个含恒定直流分量的低频交流电压代替逐点改变的直流偏置电压,保证测量过程中传感器基片可以交替进入反型区、耗尽区和积累区,利用I‑V曲线上多点数据的同时实现快速检测。本发明的信号处理方法是,将工作电极输出的电流信号用带有选频功能的跨阻放大器转换成调幅电压信号,对该调幅信号解调后,分别用平均值电路、最大值电路和最小值电路求出解调后信号的平均值、最大值和最小值。传感器的输出信号等于解调后信号的平均值减去最大值的一半再减去最小值的一半。用积分电路对传感器输出信号积分后反馈给参比电极实现闭环系统,用积分器的输出信号表示被测生物化学量。
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公开(公告)号:CN115901910A
公开(公告)日:2023-04-04
申请号:CN202211676391.X
申请日:2022-12-26
Applicant: 西北工业大学
IPC: G01N27/48 , G01N27/327
Abstract: 本发明公开了一种基于饱和激励的EISCAP型生物化学传感器,用幅度恒定不变的直流偏置电压和幅度足够大且恒定不变的交流激励电压作为激励,交流激励幅度应保证MOS电容周期性进入积累区、耗尽区和反型区,用补偿交流信号、补偿电容和补偿电阻组成的补偿电路对流过MOS电容的电流背景信号进行补偿,用跨阻放大器、选频放大器、结构由测量参考点确定的整流器和低通滤波器对补偿后的信号进行处理,获得与被测量成线性关系的输出电压。这种传感器具有信噪比高、检测速度快和线性度好的特点。
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公开(公告)号:CN110715964B
公开(公告)日:2022-08-19
申请号:CN201910929439.5
申请日:2019-09-27
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种差分型光寻址电位传感器,其特点是采用半导体器件作为参考子传感器,所述的半导体器件剖面结构为金属电极‑敏感层‑过渡层‑半导体层‑输出电极五层结构。测量时参考子传感器无需添加基准溶液,简化了测量步骤;参考子传感器与测量子传感器建立在互不相连的硅片上,方便差分型光寻址电位传感器的更换;参考子传感器由偏置电压与参考电压叠加控制,避免外界因素影响输出光电流,提高差分型光寻址电位传感器精度。
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公开(公告)号:CN112763557A
公开(公告)日:2021-05-07
申请号:CN202011542569.2
申请日:2020-12-23
Applicant: 西北工业大学
IPC: G01N27/30
Abstract: 本发明公开了一种光寻址电位传感器蜂巢网状工作电极的制备方法。其特点是将微米级的聚苯乙烯胶体球自组装形成的单层膜转移到光寻址电位传感器的硅衬底,以聚苯乙烯胶体单层膜为模板在衬底上沉积金属,进而通过二甲苯浸泡剥离胶体球模板。由于采用微米球光刻技术,在光寻址电位传感器半导体衬底的透光区域制备了周期性有序的蜂巢网状工作电极,有效降低了衬底中光生载流子的横向扩散,提高了LAPS的空间分辨率。
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