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公开(公告)号：CN103336252B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310217695.4
申请日：2013-06-04
Applicant: 西北工业大学
IPC: G01R33/04
Abstract: 本发明公开了一种迟滞时间差型磁通门传感器信号检测方法，用于解决现有磁通门传感器信号检测方法依赖阈值选取致使检测精度难以保证的技术问题。技术方案是获取RTD磁通门传感器信号，对RTD信号正脉冲最大值附近的N1个数据进行曲线拟合，对RTD信号负脉冲最小值附近的N2个数据进行曲线拟合；根据相邻的三个峰值点的时间计算迟滞时间差；根据迟滞时间差计算出外磁场。由于该方法通过寻找RTD信号正脉冲峰值与负脉冲峰值在时间轴上的位置计算迟滞时间差，从而计算被测磁场强度。本方法无需考虑阈值设置的大小对传感器输出性能的影响，测量结果与阈值无关，提高了磁通门传感器信号的检测精度。
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公开(公告)号：CN103336252A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310217695.4
申请日：2013-06-04
Applicant: 西北工业大学
IPC: G01R33/04
Abstract: 本发明公开了一种迟滞时间差型磁通门传感器信号检测方法，用于解决现有磁通门传感器信号检测方法依赖阈值选取致使检测精度难以保证的技术问题。技术方案是获取RTD磁通门传感器信号，对RTD信号正脉冲最大值附近的N1个数据进行曲线拟合，对RTD信号负脉冲最小值附近的N2个数据进行曲线拟合；根据相邻的三个峰值点的时间计算迟滞时间差；根据迟滞时间差计算出外磁场。由于该方法通过寻找RTD信号正脉冲峰值与负脉冲峰值在时间轴上的位置计算迟滞时间差，从而计算被测磁场强度。本方法无需考虑阈值设置的大小对传感器输出性能的影响，测量结果与阈值无关，提高了磁通门传感器信号的检测精度。
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公开(公告)号：CN101220514B
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200710018784.0
申请日：2007-09-30
Applicant: 西北工业大学
IPC: C30B29/48
Abstract: 本发明公开了一种高电阻率碲锌镉晶体的制备方法，其特点是包括以下步骤：按照化学计量配比将满足Cd0.9Zn0.1Te的纯度为7个9的原料装入高纯石英坩埚内部，加入原料质量百分数为0.5～2％的过量Te，和体积浓度为(1～6)×1018cm-3的In；对石英坩埚内部抽真空并封接石英坩埚；将坩埚放入合成炉中进行原料合成；将坩埚放入五段式晶体生长炉中采用下降式垂直布里奇曼法进行晶体生长。由于采用五段式常压单晶生长炉，在晶体生长过程加入了过量的Te，为Cd1-xZnxTe晶体生长提供足够多的深能级TeCd2+，降低了生产成本，得到了稳定高电阻率的Cd1-xZnxTe晶体。同时Cd0.9Zn0.1Te晶锭中In的分凝因数更趋近于1，使得整个Cd0.9Zn0.1Te晶锭电阻率变化较小，提高了Cd0.9Zn0.1Te晶体均匀性和利用率。
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公开(公告)号：CN101220514A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710018784.0
申请日：2007-09-30
Applicant: 西北工业大学
IPC: C30B29/48
Abstract: 本发明公开了一种高电阻率碲锌镉晶体的制备方法，其特点是包括以下步骤：按照化学计量配比将满足Cd0.9Zn0.1Te的纯度为7个9的原料装入高纯石英坩埚内部，加入原料质量百分数为0.5～2％的过量Te，和体积浓度为(1～6)×1018cm－3的In；对石英坩埚内部抽真空并封接石英坩埚；将坩埚放入合成炉中进行原料合成；将坩埚放入五段式晶体生长炉中采用下降式垂直布里奇曼法进行晶体生长。由于采用五段式常压单晶生长炉，在晶体生长过程加入了过量的Te，为Cd1－xZnxTe晶体生长提供足够多的深能级TeCd2+，降低了生产成本，得到了稳定高电阻率的Cd1－xZnxTe晶体。同时Cd0.9Zn0.1Te晶锭中In的分凝因数更趋近于1，使得整个Cd0.9Zn0.1Te晶锭电阻率变化较小，提高了Cd0.9Zn0.1Te晶体均匀性和利用率。
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