公开(公告)号：CN109742232B

公开(公告)日：2020-09-25

申请号：CN201811410331.7

申请日：2018-11-23

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 汪瑛 ,  李萌 ,  敖金平 ,  张进成 ,  刘诗斌 ,  周德云 ,  郝跃

IPC: H01L47/02 ,  H01L47/00

Abstract: 本发明涉及一种凹槽阳极平面耿氏二极管，包括：衬底；成核层，位于衬底上；背势垒层，位于成核层上；沟道层，位于背势垒层上；势垒层，位于沟道层上；势垒层和沟道层上设置有凹槽，凹槽将沟道层和势垒层形成的2DEG沟分割为第一2DEG沟道和第二2DEG沟道；阳极，位于凹槽中和势垒层上；阴极，位于背势垒层上；介质层，位于势垒层上。本发明实施例利用凹槽形成两个并联的平面耿氏二极管，通过改变两个沟道的长度来改变沟道中电子畴的运动，实现器件工作频率和输出功率的自由调控，对提高器件工作频率和输出功率的研究具有重要意义。

公开(公告)号：CN109742232A

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201811410331.7

申请日：2018-11-23

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 汪瑛 ,  李萌 ,  敖金平 ,  张进成 ,  刘诗斌 ,  周德云 ,  郝跃

IPC: H01L47/02 ,  H01L47/00

Abstract: 本发明涉及一种凹槽阳极平面耿氏二极管，包括：衬底；成核层，位于衬底上；背势垒层，位于成核层上；沟道层，位于背势垒层上；势垒层，位于沟道层上；势垒层和沟道层上设置有凹槽，凹槽将沟道层和势垒层形成的2DEG沟分割为第一2DEG沟道和第二2DEG沟道；阳极，位于凹槽中和势垒层上；阴极，位于背势垒层上；介质层，位于势垒层上。本发明实施例利用凹槽形成两个并联的平面耿氏二极管，通过改变两个沟道的长度来改变沟道中电子畴的运动，实现器件工作频率和输出功率的自由调控，对提高器件工作频率和输出功率的研究具有重要意义。