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公开(公告)号：CN104977548B
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201410141850.3
申请日：2014-04-02
Applicant: 西北工业大学
IPC: G01R33/04
Abstract: 本发明公开了一种采用多孔铁芯的微型磁通门传感器。硅基底(1)作为衬底支撑层；激励线圈(2)和感应线圈(3)采用三维螺线管结构，由两端通孔(4)连通上下层；铁芯(5)采用软磁材料、多孔结构，铁芯上的孔将铁芯分割形成多组局部变截面积结构；聚酰亚胺(6)作为各层之间的绝缘层；激励线圈对应“无孔”位置，感应线圈对应“有孔”位置，交替缠绕；激励线和感应线圈通过焊盘(7、8)引出。本发明所涉及的微型磁通门传感器能有效降低微型磁通门功耗，提高灵敏度。
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公开(公告)号：CN104979094B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201410141849.0
申请日：2014-04-02
Applicant: 西北工业大学
IPC: H01F41/30
Abstract: 本发明公开了一种多孔薄膜铁芯的制备方法，其特点是包括以下步骤：(a)用丙酮对Si超声清洗，用去离子水反复冲洗，干燥后将硅基片置于衬底台上；(b)将沉积系统抽真空后加热衬底，使硅基片温度升至200～300℃，并维持真空室压强；(c)在硅基片上溅射铜层40～60min，然后溅射铝层100～150min；(d)采用阳极化法将铝层氧化为多孔结构的氧化铝层；(e)除去氧化铝的阻挡层；(f)样片电镀铜后，除去氧化铝层，得到铜纳米线阵列；(g)在铜纳米线阵列上电镀铁镍，得到多孔薄膜铁芯。由于铁镍层中有铜纳米线，制备出的薄膜铁芯的饱和磁场强度由现有技术的3000A/m减小到2000A/m。(111)单晶进行超声清洗，然后用无水乙醇再次
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公开(公告)号：CN104977548A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201410141850.3
申请日：2014-04-02
Applicant: 西北工业大学
IPC: G01R33/04
Abstract: 本发明公开了一种采用多孔铁芯的微型磁通门传感器。硅基底(1)作为衬底支撑层；激励线圈(2)和感应线圈(3)采用三维螺线管结构，由两端通孔(4)连通上下层；铁芯(5)采用软磁材料、多孔结构，铁芯上的孔将铁芯分割形成多组局部变截面积结构；聚酰亚胺(6)作为各层之间的绝缘层；激励线圈对应“无孔”位置，感应线圈对应“有孔”位置，交替缠绕；激励线和感应线圈通过焊盘(7、8)引出。本发明所涉及的微型磁通门传感器能有效降低微型磁通门功耗，提高灵敏度。
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公开(公告)号：CN104979094A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201410141849.0
申请日：2014-04-02
Applicant: 西北工业大学
IPC: H01F41/30
Abstract: 本发明公开了一种多孔薄膜铁芯的制备方法，其特点是包括以下步骤：(a)用丙酮对Si(111)单晶进行超声清洗，然后用无水乙醇再次超声清洗，用去离子水反复冲洗，干燥后将硅基片置于衬底台上；(b)将沉积系统抽真空后加热衬底，使硅基片温度升至200～300℃，并维持真空室压强；(c)在硅基片上溅射铜层40～60min，然后溅射铝层100～150min；(d)采用阳极化法将铝层氧化为多孔结构的氧化铝层；(e)除去氧化铝的阻挡层；(f)样片电镀铜后，除去氧化铝层，得到铜纳米线阵列；(g)在铜纳米线阵列上电镀铁镍，得到多孔薄膜铁芯。由于铁镍层中有铜纳米线，制备出的薄膜铁芯的饱和磁场强度由现有技术的3000A/m减小到2000A/m。
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