公开(公告)号：CN102063931B

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201010566734.8

申请日：2007-03-29

申请人： 莫塞德技术公司

发明人： 金镇祺

IPC分类号： G11C7/10 ,  G11C16/12

CPC分类号： G11C7/1042 ,  G06F12/0246 ,  G06F2212/1036 ,  G06F2212/7211 ,  G11C7/1021 ,  G11C16/10 ,  G11C16/32 ,  G11C2216/22 ,  G11C2216/24

摘要： 一种闪烁存储器系统结构，具有串联的闪烁存储器设备用于获取数据的高速编程。通过数据页面的交错编程到系统中的存储器设备来实现数据的高速编程，使得不同页面的数据存储在不同的存储器设备。存储器控制器发出编程命令用于每一存储器设备。当每一存储器设备接收到编程命令，其开始编程操作或者将命令传输到下一个存储器设备。因此，闪烁系统中的存储器设备一个接一个地顺序编程页面数据，使得编程每一页面数据到闪烁存储器系统的延迟最小化。存储器控制器可以执行耗损平衡算法用于最大化每一存储设备的耐久性或者对于任意尺寸数据来优化编程性能和耐久性。

公开(公告)号：CN101617371B

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN200880005233.3

申请日：2008-02-12

申请人： 莫塞德技术公司

发明人： 金镇祺 ,  P·吉利厄姆

IPC分类号： G11C16/02 ,  G11C16/14 ,  G11C16/26 ,  G11C16/30 ,  G11C5/14 ,  G11C7/10

CPC分类号： G06F3/061 ,  G06F3/0655 ,  G06F3/0688 ,  G06F13/1694 ,  G11C7/1045 ,  G11C7/1078 ,  G11C7/1093 ,  G11C7/22 ,  G11C14/0018 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/10 ,  G11C16/28 ,  G11C16/32 ,  H03K2005/00247 ,  Y02D10/14

摘要： 一种存储器装置包括用于保存数据的核心存储器，例如闪速存储器。该存储器装置包括第一功率输入端以接收用于给该闪速存储器提供功率的第一电压。另外，该存储器装置包括第二功率输入端以接收第二电压。该存储器装置包括功率管理电路，其被配置成接收该第二电压和获得一个或多个内部电压。该功率管理电路提供或传送该内部电压到该闪速存储器。由该功率管理电路(例如电压转换器电路)产生的并且提供到该核心存储器的不同内部电压使能关于该核心存储器中的单元的操作，例如读取/编程/擦除。

公开(公告)号：CN101517652B

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN200780034118.4

申请日：2007-09-12

申请人： 莫塞德技术公司

发明人： 金镇祺

IPC分类号： G11C16/04 ,  G11C16/02 ,  G11C7/10 ,  G11C8/08

CPC分类号： G11C16/34 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/10 ,  G11C16/12 ,  G11C16/344 ,  G11C16/3454 ,  G11C2211/5621

摘要： 一种用于多电平闪烁单元的阈值电压分布方案，其中擦除阈值电压和至少一个编程阈值电压位于擦除电压域中。擦除电压域中的至少一个编程阈值电压降低了Vread电压电平，以最小化读出干扰效应，由于编程的状态之间的阈值电压距离被最大化，则延长了多电平闪烁单元的寿命长度。擦除电压域可以低于0V，而编程电压域大于0V。因此，用于编程验证和读出具有擦除电压域和编程电压域中的编程阈值电压的多电平闪烁单元的电路使用负和正的高电压。

公开(公告)号：CN101410814B

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN200780010648.5

申请日：2007-03-26

申请人： 莫塞德技术公司

发明人： 金镇祺

IPC分类号： G06F13/38 ,  G06F13/40 ,  G06F13/42 ,  G11C16/06 ,  G11C7/20

CPC分类号： G06F13/4247 ,  G06F13/1684 ,  G06F13/4234 ,  G11C16/06 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

摘要： 一种闪烁存储器系统在系统级封装(SIP)外壳中实现，所述系统包括闪烁存储器控制器和多个闪烁存储器设备。SIP涉及包括多个集成电路(芯片)的单个封装或者模块。闪烁存储器控制器被配置为和外部系统以及所述SIP中的多个存储器设备接口。所述存储器设备被配置在菊花链级联布置中，由闪烁存储器控制器通过经菊花链级联发送的命令控制。

公开(公告)号：CN103155044A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201180035507.5

申请日：2011-07-20

申请人： 莫塞德技术公司

发明人： 金镇祺

IPC分类号： G11C16/10 ,  G11C16/24

CPC分类号： G11C11/5628 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/10

摘要： 一种电路和方法，用于在单个编程操作周期中将多个比特的数据编程到闪速存储器单元。要编程到闪速存储阵列的一个物理页内的多个数据页被存储在存储器装置上的页缓冲器或其他存储部件中。在不同的时间间隔使用预定编程配置来驱动连接到要编程的单元的所选择的字线，其中，每一个预定编程配置被配置来用于将擦除阈值电压偏移到与特定的逻辑状态相对应的特定阈值电压。多页位线控制器响应于与那个相应的位线相关联的属于每个数据页的比特的特定逻辑状态的组合而在时间间隔的每一个期间偏置每个位线以启用或禁止编程。

公开(公告)号：CN102834868A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201180017987.2

申请日：2011-04-04

申请人： 莫塞德技术公司

发明人： 金镇祺

IPC分类号： G11C11/34 ,  G11C13/00 ,  G11C7/12 ,  H01L21/8239

CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C13/0023 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2213/71 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2445 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144

摘要： 三维存储装置包括半导体层的堆叠。在每个层上形成有相变存储器（PCM）单元阵列。每个PCM单元包括作为存储元件的可变电阻器，该可变电阻器的电阻可以变化。在一个层上，形成了包括行和列解码器、读出放大器和全局列选择器的外围电路，以控制存储器的操作。局部位线和字线与存储单元相连接。全局列选择器选择出要与局部位线连接的全局位线。行解码器选择字线。所施加的电流流过与所选择的局部位线和字线连接的存储单元。在写入操作中，施加设定电流或复位电流并且所选择的PCM单元的可变电阻器存储"数据"。在读取操作中，施加读取电流并且将可变电阻器两端生成的电压与参考电压进行比较，以提供读出数据。

公开(公告)号：CN102341864A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201080009967.6

申请日：2010-03-03

申请人： 莫塞德技术公司

发明人： 金镇祺

IPC分类号： G11C16/02 ,  G11C16/06 ,  G11C16/08

CPC分类号： G11C8/14 ,  G11C8/10 ,  G11C8/12 ,  G11C11/5621 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/08 ,  G11C16/10 ,  G11C16/16 ,  G11C2211/5642

摘要： 公开了一种NAND闪速存储器设备。该NAND闪速存储器设备包括限定为多个扇区的NAND闪速存储器阵列。以两级来执行行译码。可对所有扇区执行第一级。例如，这可被用于选择块。对于特定扇区执行第二级，以例如在该特定扇区内的块内选择页面。读取和编程操作以扇区内的页面的分辨度来进行，而擦除操作以扇区内块的分辨度来进行。

公开(公告)号：CN101461008A

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200780020353.6

申请日：2007-03-26

申请人： 莫塞德技术公司

发明人： 金镇祺

IPC分类号： G11C7/20 ,  G11C11/40 ,  G11C8/08 ,  G11C8/12

CPC分类号： G11C16/04 ,  G11C7/20 ,  G11C8/08 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/14 ,  G11C16/344 ,  G11C16/3445

摘要： 在非易失性存储器中，可以擦除少于整块的一个或者多个页面。通过导通晶体管施加选择电压到多个所选择字线中的每一个并且通过导通晶体管施加未选择电压到所选择块的多个未选择字线中的每一个。衬底电压被施加到所选择块的衬底。可以施加公共选择电压到每一所选择字线并且施加公共未选择电压到每一未选择字线。选择和未选择电压可以被施加到选择块的任意字线。可以应用页面擦除验证操作到具有多个所擦除页面和多个未擦除页面的块。

公开(公告)号：CN101432818A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200780015485.X

申请日：2007-03-28

申请人： 莫塞德技术公司

发明人： 金镇祺 ,  吴学俊

IPC分类号： G11C11/406 ,  G11C11/403 ,  G11C8/12

CPC分类号： G11C11/40615 ,  G11C11/406 ,  G11C11/40607 ,  G11C11/40618 ,  G11C11/40622

摘要： 一种动态随机存取存储器设备包括多个存储器子块。每一子块具有多个字线，每一字线连接多个数据存储单元。独立进行部分阵列自刷新(PASR)配置设置。根据所述PASR设置，寻址存储器子块用于刷新。PASR设置由存储器控制器做出。可以选择子块地址的任意一种组合。因此，完全独立刷新存储器子块。用于数据保持的用户可选择的阵列提供有效的存储器控制编程，特别适于低功率移动应用。

公开(公告)号：CN103959386A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201280053805.1

申请日：2012-11-01

申请人： 莫塞德技术公司

发明人： 金镇祺 ,  D·李 ,  H·金

IPC分类号： G11C5/06 ,  G11C16/02 ,  G11C7/10

CPC分类号： G11C5/04 ,  G11C7/1003

摘要： 一种大容量存储模块系统，包括具有存储器保持部件的存储模块，该存储器保持部件可以彼此连接并且可移除地连接到存储控制器。一个或多个模块化存储器保持部件可彼此连接，以扩展存储模块的整体存储容量。当前描述的可扩展存储模块没有存储容量限制。存储器保持部件包括基板、平面、板以及具有至少一个存储装置，或者保持有至少一个存储装置或安装有至少一个存储装置的另一种物质。