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公开(公告)号：CN104275917A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410604805.7
申请日：2014-10-31
Applicant: 英利能源(中国)有限公司
Abstract: 本申请公开了一种丝网印刷网版，用于制作太阳能电池片，包括：设置有印刷图案的第一区域，所述第一区域的形状与所述太阳能电池片的形状相匹配；包围所述第一区域的第二区域，所述第二区域设置有辅助镂空图案，所述辅助镂空图案用于减小或是消除所述第一区域与所述第二区域的应力差，解决了边缘印粗的现象。本申请还公开了一种太阳能电池电极的印刷方法，利用这种方法，改善了电池外观，提高了电池转换效率。
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公开(公告)号：CN103490719A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310450043.5
申请日：2013-09-28
Applicant: 英利能源(中国)有限公司
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种新型光伏组件及其制作方法，该新型光伏组件包括由上到下依次为钢化玻璃、EVA胶膜、多列连接在一起的太阳能电池串、EVA胶膜和背板的叠层结构，太阳能电池串由多个N型太阳能电池片和多个P型太阳能电池片通过焊带焊接而成，且N型太阳能电池片与P型太阳能电池片间隔排放。本发明通过将N型太阳能电池片和P型太阳能电池片间隔排放，并在电池片串联过程中可以用焊带直接进行相连，从而有效增加单位面积内的发电功率，还可以节省焊带和边框的使用。
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公开(公告)号：CN102544238A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210056534.7
申请日：2012-03-06
Applicant: 英利能源(中国)有限公司
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种多晶片制PN结多重扩散的制造方法，包括：步骤S1恒定源扩散在需要形成P层的表层沉积一定浓度的杂质源；步骤S2升温限定源扩散将沉积的杂质源相多晶片内部扩散，以控制PN结的结深和杂质源浓度梯度分布；步骤S3恒定源扩散在多晶片的P层表层再次沉积一定浓度的杂质源；步骤S4加氧恒定源扩散在温度不变并且继续通源的状态下，增加氧气的通流量，该步骤的目的在于增加多晶片的P层的表面颜色，使得多晶片在后续操作时正反面的区分，并且氧气流通量的增加还能够提高P层的亲水性，从而减小刻蚀边过大；步骤S5重复步骤S2至步骤S4。通过上述步骤能够实现解决多晶片制PN结后所存在的正反面颜色不易区分问题的目的。
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公开(公告)号：CN112349584B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202011157169.X
申请日：2020-10-26
Applicant: 英利能源(中国)有限公司
Inventor： 汤欢 , 郭宝军 , 王静 , 赵学玲 , 王平 , 马红娜 , 郎芳 , 史金超 , 李锋 , 张伟 , 王子谦 , 翟金叶 , 潘明翠 , 王红芳 , 徐卓 , 王丙宽 , 张文辉
IPC: H01L21/308 , H01L21/306 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种用于TOPCon电池的去绕镀方法及TOPCon电池的制备方法。所述去绕镀方法包括如下步骤：在磷掺杂后的硅片背面制作水膜，用氢氟酸溶液去除正面和侧面绕镀的磷掺杂层；将所得硅片放入含有添加剂的KOH溶液或NaOH溶液中浸泡，去除硅片正面的多晶硅，取出硅片水洗；将所得硅片置于KOH或NaOH与H2O2的混合溶液中浸泡，水洗后，置于盐酸溶液中浸泡，取出硅片水洗，浸泡处理均在对应的反应槽内完成，所述反应槽内部设有两组循环鼓泡系统。本发明提供的去绕镀方法能有效解决TOPCon电池的绕镀现象，保证产品的优良率，解决绕镀导致的外观问题，EL不合格问题，提高了电池转换效率。
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公开(公告)号：CN113745369A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110962979.0
申请日：2021-08-20
Applicant: 英利能源(中国)有限公司
Abstract: 本发明涉及太阳能电池领域，尤其涉及一种提高焊接拉力不合格晶硅太阳能电池焊接拉力的方法，对不合格晶硅太阳能电池进行热处理；其中，热处理的温度为玻璃粉的软化温度，热处理的时间为20～35s。整个方法操作简便，对于浆料、硅片以及工艺方面等各因素所造成的晶硅太阳能电池的焊接拉力不够的现象均具有良好的适用性，避免因焊接拉力出现太阳能电池不合格的现象，在晶硅太阳能电池领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN113600565A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110743237.9
申请日：2021-06-30
Applicant: 英利能源(中国)有限公司
Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种N型太阳能电池硼扩散炉管的清洁方法，在不改变炉管结构的情况下，首先前后两次通入携水氮气对炉管进行清洁，充分去除了炉管壁和炉门附着的BSG，有效降低了携水氮气中的水蒸气在炉管中残留概率，避免了水蒸气在炉管工作过程中影响硼扩散效果；然后在通入携水氮气结束后升温通入氧气，有效去除了炉管内沉积的金属离子，在保护炉管、提高炉管寿命的同时提高了产品质量和效率。
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公开(公告)号：CN106926598A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710067305.8
申请日：2017-02-07
Applicant: 英利能源(中国)有限公司
IPC: B41M1/12 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , B41M1/12 , H01L31/022433 , H01L31/1876
Abstract: 本发明涉及太阳能电池片生产技术领域，具体公开了太阳能电池片栅线电极的丝网印刷方法，包括：将网版沿栅线方向设置一定的偏移量，进行两次丝网印刷，使网布移动前后其网结对应所述电池片的位置错开，制得栅线电极。本发明方法能够有效的改善网结部分印刷造成的虚印现象，提升印刷质量，尤其适于细栅线的制备，操作简单易行，实施成本低。
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公开(公告)号：CN103000710B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201210572780.8
申请日：2012-12-24
Applicant: 英利能源(中国)有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/02
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池，包括多条主栅线和多条细栅线，在太阳能电池的一个吸光面上，包括至少一条镂空主栅线和至少一条实心主栅线，所述实心主栅线与焊带电性连接。相对于现有技术中的高阻密栅太阳能电池，本发明提供的太阳能电池既包含实心主栅线也包含镂空主栅线，其中，实心主栅线与焊带电性连接，保证了太阳能电池组件所需的焊接拉力，而镂空主栅线的存在，既保证了主栅线的数量，降低了串联电阻，又节省了浆料，降低了太阳能电池的生产成本，本发明提供的太阳能电池能够在保证太阳能电池组件的焊接拉力不降低的情况下，有效降低太阳能电池的生产成本。
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公开(公告)号：CN102586884B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201210056535.1
申请日：2012-03-06
Applicant: 英利能源(中国)有限公司
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅硅片制PN结两次扩散的制造方法，该方法包括：步骤S1恒定源扩散、步骤S2升温限定源扩散、步骤S3恒定源扩散。在本发明中，由于步骤S3恒定源扩散，增加了对多晶硅硅片表面杂质磷的沉积。因此，在步骤S1中，可以相应地减少一次沉积的杂质磷，从而避免了杂质磷的过量沉积。并且，步骤S3是在高温下，此时多晶硅对磷原子的固溶度增加，沉积的杂质磷不需要再进行推进，通过控制杂质磷的沉积量来控制杂质磷在多晶硅中的溶解量，避免了由于过量沉积并再次进行推进而产生的“死区”存在。本发明所提供的多晶硅硅片制PN结两次扩散的制造方法能够实现解决多晶硅硅片制PN结后所存在的表面“死层”问题的目的。
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公开(公告)号：CN102544238B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201210056534.7
申请日：2012-03-06
Applicant: 英利能源(中国)有限公司
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种多晶片制PN结多重扩散的制造方法，包括：步骤S1恒定源扩散在需要形成P层的表层沉积一定浓度的杂质源；步骤S2升温限定源扩散将沉积的杂质源相多晶片内部扩散，以控制PN结的结深和杂质源浓度梯度分布；步骤S3恒定源扩散在多晶片的P层表层再次沉积一定浓度的杂质源；步骤S4加氧恒定源扩散在温度不变并且继续通源的状态下，增加氧气的通流量，该步骤的目的在于增加多晶片的P层的表面颜色，使得多晶片在后续操作时正反面的区分，并且氧气流通量的增加还能够提高P层的亲水性，从而减小刻蚀边过大；步骤S5重复步骤S2至步骤S4。通过上述步骤能够实现解决多晶片制PN结后所存在的正反面颜色不易区分问题的目的。
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