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公开(公告)号：CN115377252A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202211298705.7
申请日：2022-10-24
Applicant: 英利能源发展(天津)有限公司 , 英利能源发展有限公司 , 英利能源(中国)有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L21/02 , H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/054 , C23C16/24
Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种抑制PECVD法生长多晶硅表面爆膜的方法。所述方法包括以下步骤：将硅片进行微制绒工序，形成微制绒表面；采用PECVD法在所述微制绒表面上依次沉积隧穿氧化层和多晶硅层。采用本发明提供的方法能够在保证不降低TOPCon太阳能电池转化效率的前提下，还能避免采用PECVD法沉积多晶硅层发生爆膜的问题，方法简单，只是在常规抛光的过程中，添加微制绒工序，工艺步骤简单，无需增加新工艺和新设备，无其他成本增加，有利于工业化生产，对提高TOPCon太阳能电池的成品率具有重要意义。
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公开(公告)号：CN108963018A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810814527.6
申请日：2018-07-23
Applicant: 英利能源(中国)有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/05 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0504 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L31/1868
Abstract: 本发明适用于太阳能电池技术领域，提供了一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池组件，该方法包括：将制绒后的衬底分为N个掺杂区域，相邻掺杂区域之间设有本征区域；对所述衬底的掺杂区域进行掺杂，制备N个子电池单元，并且，相邻子电池单元的正负极相反；其中，在衬底中同一掺杂区域的正面和背面分别掺杂杂质类型相反的杂质，在衬底中相邻掺杂区域的同一面分别掺杂杂质类型相反的杂质，杂质类型包括P型杂质和N型杂质；清洗掺杂后的衬底，并进行钝化处理；在钝化处理后的衬底的正面和背面分别印刷栅线，将N个子电池单元串联。本发明能够提高太阳能电池组件的输出功率。
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公开(公告)号：CN113745106B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202110837884.6
申请日：2021-07-23
Applicant: 英利能源(中国)有限公司
IPC: H01L21/311 , H01L21/3213 , H10F71/00
Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种N型TOPCon电池正面绕镀的去除方法，包括如下步骤：步骤一，将经过背面超薄氧化硅及多晶硅沉积和背面磷掺杂后的硅片的正面浸入HF与HNO3的混合酸溶液中进行酸洗，酸洗时间为1～10min；步骤二，将经过酸洗后的硅片整体浸入浓度为0.5％～5％碱溶液中进行碱洗，碱洗时间为1～15min；步骤三，将经过碱洗的硅片浸入浓度为5％～10％的HF溶液中清洗，清洗时间为1～10min。本发明操作简单，既能够彻底清除正面绕镀中的磷硅玻璃层和中间薄、边缘厚的Poly‑Si层，还能彻底清除硼硅玻璃层和磷硼共掺杂玻璃层，并且不会出现因为未清洗干净或者过度腐蚀造成表面不合格的情况，从而大大提高了电池的合格率。
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公开(公告)号：CN112309849B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202011065493.9
申请日：2020-09-30
Applicant: 英利能源(中国)有限公司 , 河北省凤凰谷零碳发展研究院
Inventor： 汤欢 , 郎芳 , 马红娜 , 郭宝军 , 赵学玲 , 张伟 , 李锋 , 史金超 , 闫英丽 , 李青娟 , 闫兰 , 王子谦 , 张雷 , 潘明翠 , 田思 , 唐磊 , 王新建 , 吴翠姑 , 刘莹 , 李英叶
IPC: H01L21/306 , H01L31/18
Abstract: 本发明具体公开一种硅片单面刻蚀抛光的方法。所述方法包括：将硅片下表面浸泡在混酸溶液中进行刻蚀抛光，刻蚀深度为2‑4μm，所述混酸溶液为体积比1:3‑5:1.5‑2的氢氟酸溶液、硝酸溶液和硫酸溶液的混合溶液；然后再浸泡到碱溶液和抛光添加剂的混合溶液中进行刻蚀抛光，刻蚀深度为2.5‑4μm；然后再经碱洗、水洗、酸洗、水洗、干燥。本发明提供的酸体系一次刻蚀抛光和碱体系二次刻蚀抛光相结合的工艺，不但可最大限度地保护硅片正面的硼硅玻璃层，还能提高硅片背面的平整度，减少硅片背面的表面缺陷密度，从而有利于提高LPCVD制备的隧穿氧化层和多晶硅层的均匀度和致密度，进而提高电池的转换效率，且工艺简单，可控性强。
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公开(公告)号：CN112349584A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011157169.X
申请日：2020-10-26
Applicant: 英利能源(中国)有限公司
Inventor： 汤欢 , 郭宝军 , 王静 , 赵学玲 , 王平 , 马红娜 , 郎芳 , 史金超 , 李锋 , 张伟 , 王子谦 , 翟金叶 , 潘明翠 , 王红芳 , 徐卓 , 王丙宽 , 张文辉
IPC: H01L21/308 , H01L21/306 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种用于TOPCon电池的去绕镀方法及TOPCon电池的制备方法。所述去绕镀方法包括如下步骤：在磷掺杂后的硅片背面制作水膜，用氢氟酸溶液去除正面和侧面绕镀的磷掺杂层；将所得硅片放入含有添加剂的KOH溶液或NaOH溶液中浸泡，去除硅片正面的多晶硅，取出硅片水洗；将所得硅片置于KOH或NaOH与H2O2的混合溶液中浸泡，水洗后，置于盐酸溶液中浸泡，取出硅片水洗，浸泡处理均在对应的反应槽内完成，所述反应槽内部设有两组循环鼓泡系统。本发明提供的去绕镀方法能有效解决TOPCon电池的绕镀现象，保证产品的优良率，解决绕镀导致的外观问题，EL不合格问题，提高了电池转换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112309849A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202011065493.9
申请日：2020-09-30
Applicant: 英利能源(中国)有限公司 , 河北省凤凰谷零碳发展研究院
Inventor： 汤欢 , 郎芳 , 马红娜 , 郭宝军 , 赵学玲 , 张伟 , 李锋 , 史金超 , 闫英丽 , 李青娟 , 闫兰 , 王子谦 , 张雷 , 潘明翠 , 田思 , 唐磊 , 王新建 , 吴翠姑 , 刘莹 , 李英叶
IPC: H01L21/306 , H01L31/18
Abstract: 本发明具体公开一种硅片单面刻蚀抛光的方法。所述方法包括：将硅片下表面浸泡在混酸溶液中进行刻蚀抛光，刻蚀深度为2‑4μm，所述混酸溶液为体积比1:3‑5:1.5‑2的氢氟酸溶液、硝酸溶液和硫酸溶液的混合溶液；然后再浸泡到碱溶液和抛光添加剂的混合溶液中进行刻蚀抛光，刻蚀深度为2.5‑4μm；然后再经碱洗、水洗、酸洗、水洗、干燥。本发明提供的酸体系一次刻蚀抛光和碱体系二次刻蚀抛光相结合的工艺，不但可最大限度地保护硅片正面的硼硅玻璃层，还能提高硅片背面的平整度，减少硅片背面的表面缺陷密度，从而有利于提高LPCVD制备的隧穿氧化层和多晶硅层的均匀度和致密度，进而提高电池的转换效率，且工艺简单，可控性强。
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公开(公告)号：CN109037375B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201810812946.6
申请日：2018-07-23
Applicant: 英利能源(中国)有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/05
Abstract: 本发明适用于光伏发电技术领域，提供了一种太阳能电池及太阳能电池组件，太阳能电池包括：衬底；衬底中第一掺杂区域的正面和第二掺杂区域的背面均掺杂N型杂质，衬底中第一掺杂区域的背面和第二掺杂区域的正面均掺杂P型杂质；衬底中第一掺杂区域与第二掺杂区域之间设有本征区域；衬底的表面设有钝化膜；衬底中第一掺杂区域和第二掺杂区域的表面均印刷有细栅线和主栅线，细栅线和主栅线穿透所述钝化膜与所述衬底形成欧姆接触；衬底中第一掺杂区域正面的主栅线与第二掺杂区域正面的主栅线连接。本发明能够防止激光划片造成的太阳能电池的碎裂，并提高太阳能电池组件的输出功率。
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公开(公告)号：CN109037375A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810812946.6
申请日：2018-07-23
Applicant: 英利能源(中国)有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/05
Abstract: 本发明适用于光伏发电技术领域，提供了一种太阳能电池及太阳能电池组件，太阳能电池包括：衬底；衬底中第一掺杂区域的正面和第二掺杂区域的背面均掺杂N型杂质，衬底中第一掺杂区域的背面和第二掺杂区域的正面均掺杂P型杂质；衬底中第一掺杂区域与第二掺杂区域之间设有本征区域；衬底的表面设有钝化膜；衬底中第一掺杂区域和第二掺杂区域的表面均印刷有细栅线和主栅线，细栅线和主栅线穿透所述钝化膜与所述衬底形成欧姆接触；衬底中第一掺杂区域正面的主栅线与第二掺杂区域正面的主栅线连接。本发明能够防止激光划片造成的太阳能电池的碎裂，并提高太阳能电池组件的输出功率。
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公开(公告)号：CN108963009A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810813858.8
申请日：2018-07-23
Applicant: 英利能源(中国)有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/05 , H01L31/18
Abstract: 本发明适用于光伏发电技术领域，提供了一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池组件，该方法包括：衬底经制绒处理后，对衬底中第一掺杂区域的正面和第二掺杂区域的背面均掺杂N型杂质；在衬底的正面分别沉积第一氧化铝薄膜和第一氮化硅薄膜，衬底的背面分别沉积第二氧化铝薄膜和第二氮化硅薄膜；在衬底中第二掺杂区域的正面开设第一开槽，第一掺杂区域的背面开设第二开槽；制备栅线，并进行烧结处理，其中，第一掺杂区域正面的主栅线与第二掺杂区域正面的主栅线连接。本发明能够防止激光划片造成的太阳能电池的碎裂，并提高太阳能电池组件的输出功率。
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公开(公告)号：CN113740175A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110951109.3
申请日：2021-08-18
Applicant: 英利能源(中国)有限公司
Abstract: 本发明提供了一种光伏组件静态荷载测试装置及测试方法，属于光伏组件测试技术领域，包括支撑框架、测试支架以及沙袋，支撑框架的横梁上设有轨道，轨道上设有吊装架；测试支架位于所述轨道的下方，测试支架包括基座、两组立柱支撑以及翻转框架，基座上设有滑轨；两组立柱支撑滑动设置在滑轨上；翻转框架支撑在两组立柱支撑上，翻转框架通过设置在外侧的第二驱动机构，带动光伏组件实现180°翻转的自由度；沙袋位于轨道的下方，沙袋通过吊装架起吊，并随吊装架沿轨道移动，施压到光伏组件上。本发明提供的光伏组件静态荷载测试装置，采用沙袋施压，提高测试的精度；通过翻转框架带动光伏组件翻转，降低操作难度。
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