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公开(公告)号：CN113745369B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202110962979.0
申请日：2021-08-20
Applicant: 英利能源(中国)有限公司
Abstract: 本发明涉及太阳能电池领域，尤其涉及一种提高焊接拉力不合格晶硅太阳能电池焊接拉力的方法，对不合格晶硅太阳能电池进行热处理；其中，热处理的温度为玻璃粉的软化温度，热处理的时间为20～35s。整个方法操作简便，对于浆料、硅片以及工艺方面等各因素所造成的晶硅太阳能电池的焊接拉力不够的现象均具有良好的适用性，避免因焊接拉力出现太阳能电池不合格的现象，在晶硅太阳能电池领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN111653650B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202010542473.X
申请日：2020-06-15
Applicant: 英利能源(中国)有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L21/02 , H01L21/306 , H01L21/311 , H01L21/67
Abstract: 本发明适用于太阳能电池技术领域，提供了一种TOPCon电池生产片清洗参数优化及制备方法，包括：在硅片的表面进行碱制绒和硼扩散形成硼硅玻璃层，在所述硼硅玻璃层上先后沉积氧化硅层和Poly硅层，在所述Poly硅层上进行磷扩散，制备得到调试片；使用氢氟酸对所述调试片进行预清洗，并根据预清洗后的调试片的颜色对TOPCon电池生产片制备过程中的清洗参数进行优化。本发明能够解决现有技术TOPCon电池制备工艺中，对生产片的清洗参数不能准确把控，容易腐蚀poly硅层的问题，可以有效提高TOPCon电池的电学性能。
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公开(公告)号：CN108269873B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201711485736.2
申请日：2017-12-30
Applicant: 英利能源(中国)有限公司
IPC: H01L31/068 , H01L31/0224 , H01L31/05 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种IBC太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池领域，本发明提供的IBC太阳能电池，通过激光划线将IBC电池片均分成偶数个相同的电池单元，相邻电池单元之间绝缘；沿将来焊带连接位置进行绝缘浆料的印刷，使得若干根焊带在水平方向上，依次间隔连接P型金属化栅线和N型金属化栅线，若干根焊带中的每根焊带在竖直方向上分别连接相邻电池单元的正极和负极，从而可以使得一条连续的焊带将各个电池单元串联。从而在不改变电池、组件设备、工艺的条件下，获得开压提升、短路电流降低的效果，从而在组件封装过程中增大开路电压、减小短路电流，从而降低因电流、电阻造成的封装损失。
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公开(公告)号：CN102709401A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210222534.X
申请日：2012-06-29
Applicant: 英利能源(中国)有限公司
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种N型太阳能电池制作方法，所述方法包括：提供一待处理的硅片；去除所述硅片表面的损伤层；对所述硅片进行表面制绒；对所述硅片进行清洗，以去除所述硅片表面残留的金属杂质；对干燥后的所述硅片进行硼扩散。本发明所述技术方案通过去除损伤层工序时能够去除硅片表面的部分金属杂质，在对所述硅片制绒之后、硼扩散之前对硅片进行清洗，采用不破坏硅片表面绒面、不影响硅片硼扩散效果且能将硅片表面金属杂质转化为溶于水的化合物的试剂对硅片进行清洗，去除硅片表面残留的金属杂质，保证了硼扩散时扩散制结的质量，进而提高了N型太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN113745106B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202110837884.6
申请日：2021-07-23
Applicant: 英利能源(中国)有限公司
IPC: H01L21/311 , H01L21/3213 , H10F71/00
Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种N型TOPCon电池正面绕镀的去除方法，包括如下步骤：步骤一，将经过背面超薄氧化硅及多晶硅沉积和背面磷掺杂后的硅片的正面浸入HF与HNO3的混合酸溶液中进行酸洗，酸洗时间为1～10min；步骤二，将经过酸洗后的硅片整体浸入浓度为0.5％～5％碱溶液中进行碱洗，碱洗时间为1～15min；步骤三，将经过碱洗的硅片浸入浓度为5％～10％的HF溶液中清洗，清洗时间为1～10min。本发明操作简单，既能够彻底清除正面绕镀中的磷硅玻璃层和中间薄、边缘厚的Poly‑Si层，还能彻底清除硼硅玻璃层和磷硼共掺杂玻璃层，并且不会出现因为未清洗干净或者过度腐蚀造成表面不合格的情况，从而大大提高了电池的合格率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112309849B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202011065493.9
申请日：2020-09-30
Applicant: 英利能源(中国)有限公司 , 河北省凤凰谷零碳发展研究院
Inventor： 汤欢 , 郎芳 , 马红娜 , 郭宝军 , 赵学玲 , 张伟 , 李锋 , 史金超 , 闫英丽 , 李青娟 , 闫兰 , 王子谦 , 张雷 , 潘明翠 , 田思 , 唐磊 , 王新建 , 吴翠姑 , 刘莹 , 李英叶
IPC: H01L21/306 , H01L31/18
Abstract: 本发明具体公开一种硅片单面刻蚀抛光的方法。所述方法包括：将硅片下表面浸泡在混酸溶液中进行刻蚀抛光，刻蚀深度为2‑4μm，所述混酸溶液为体积比1:3‑5:1.5‑2的氢氟酸溶液、硝酸溶液和硫酸溶液的混合溶液；然后再浸泡到碱溶液和抛光添加剂的混合溶液中进行刻蚀抛光，刻蚀深度为2.5‑4μm；然后再经碱洗、水洗、酸洗、水洗、干燥。本发明提供的酸体系一次刻蚀抛光和碱体系二次刻蚀抛光相结合的工艺，不但可最大限度地保护硅片正面的硼硅玻璃层，还能提高硅片背面的平整度，减少硅片背面的表面缺陷密度，从而有利于提高LPCVD制备的隧穿氧化层和多晶硅层的均匀度和致密度，进而提高电池的转换效率，且工艺简单，可控性强。
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公开(公告)号：CN112349584A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011157169.X
申请日：2020-10-26
Applicant: 英利能源(中国)有限公司
Inventor： 汤欢 , 郭宝军 , 王静 , 赵学玲 , 王平 , 马红娜 , 郎芳 , 史金超 , 李锋 , 张伟 , 王子谦 , 翟金叶 , 潘明翠 , 王红芳 , 徐卓 , 王丙宽 , 张文辉
IPC: H01L21/308 , H01L21/306 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种用于TOPCon电池的去绕镀方法及TOPCon电池的制备方法。所述去绕镀方法包括如下步骤：在磷掺杂后的硅片背面制作水膜，用氢氟酸溶液去除正面和侧面绕镀的磷掺杂层；将所得硅片放入含有添加剂的KOH溶液或NaOH溶液中浸泡，去除硅片正面的多晶硅，取出硅片水洗；将所得硅片置于KOH或NaOH与H2O2的混合溶液中浸泡，水洗后，置于盐酸溶液中浸泡，取出硅片水洗，浸泡处理均在对应的反应槽内完成，所述反应槽内部设有两组循环鼓泡系统。本发明提供的去绕镀方法能有效解决TOPCon电池的绕镀现象，保证产品的优良率，解决绕镀导致的外观问题，EL不合格问题，提高了电池转换效率。
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公开(公告)号：CN112309849A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202011065493.9
申请日：2020-09-30
Applicant: 英利能源(中国)有限公司 , 河北省凤凰谷零碳发展研究院
Inventor： 汤欢 , 郎芳 , 马红娜 , 郭宝军 , 赵学玲 , 张伟 , 李锋 , 史金超 , 闫英丽 , 李青娟 , 闫兰 , 王子谦 , 张雷 , 潘明翠 , 田思 , 唐磊 , 王新建 , 吴翠姑 , 刘莹 , 李英叶
IPC: H01L21/306 , H01L31/18
Abstract: 本发明具体公开一种硅片单面刻蚀抛光的方法。所述方法包括：将硅片下表面浸泡在混酸溶液中进行刻蚀抛光，刻蚀深度为2‑4μm，所述混酸溶液为体积比1:3‑5:1.5‑2的氢氟酸溶液、硝酸溶液和硫酸溶液的混合溶液；然后再浸泡到碱溶液和抛光添加剂的混合溶液中进行刻蚀抛光，刻蚀深度为2.5‑4μm；然后再经碱洗、水洗、酸洗、水洗、干燥。本发明提供的酸体系一次刻蚀抛光和碱体系二次刻蚀抛光相结合的工艺，不但可最大限度地保护硅片正面的硼硅玻璃层，还能提高硅片背面的平整度，减少硅片背面的表面缺陷密度，从而有利于提高LPCVD制备的隧穿氧化层和多晶硅层的均匀度和致密度，进而提高电池的转换效率，且工艺简单，可控性强。
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公开(公告)号：CN112038444A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010779734.X
申请日：2020-08-05
Applicant: 英利能源(中国)有限公司 , 河北省凤凰谷零碳发展研究院
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种N型晶体硅太阳能电池的制作方法及其背面钝化接触结构的制作方法。所述钝化接触结构的制作方法，包括如下步骤：在氮气气氛下抽真空并在氮气气氛下升温至预设温度，在N型晶体硅基体背面生长隧穿氧化层；利用炉管内部的预留腔，使硅烷气体在所述隧穿氧化层上制备多晶硅层，然后进行掺杂处理，得到钝化接触结构。本发明提供的钝化接触结构的制作方法，能够有效避免硅基体表面不良氧化层的产生，保障隧穿氧化层的质量，并在在隧穿氧化层上制备厚度均匀的多晶硅层，进而得到质量良好的钝化接触结构。
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公开(公告)号：CN109037375B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201810812946.6
申请日：2018-07-23
Applicant: 英利能源(中国)有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/05
Abstract: 本发明适用于光伏发电技术领域，提供了一种太阳能电池及太阳能电池组件，太阳能电池包括：衬底；衬底中第一掺杂区域的正面和第二掺杂区域的背面均掺杂N型杂质，衬底中第一掺杂区域的背面和第二掺杂区域的正面均掺杂P型杂质；衬底中第一掺杂区域与第二掺杂区域之间设有本征区域；衬底的表面设有钝化膜；衬底中第一掺杂区域和第二掺杂区域的表面均印刷有细栅线和主栅线，细栅线和主栅线穿透所述钝化膜与所述衬底形成欧姆接触；衬底中第一掺杂区域正面的主栅线与第二掺杂区域正面的主栅线连接。本发明能够防止激光划片造成的太阳能电池的碎裂，并提高太阳能电池组件的输出功率。
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