公开(公告)号：CN115207167A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202211125312.6

申请日：2022-09-16

申请人： 英利能源发展有限公司 ,  英利能源发展(天津)有限公司 ,  英利能源(中国)有限公司

发明人： 徐卓 ,  王红芳 ,  王平 ,  张文辉 ,  于全庆 ,  李锋 ,  史金超 ,  于波

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/042 ,  H01L21/306 ,  H01L21/02

摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种硅抛光面的清洗方法。所述清洗方法包括以下步骤：依次采用混合酸液和纯水分别对硅片进行清洗，得一级处理片，其中，所述混合酸液为包括磷酸、氟硼酸和硝酸的水溶液；依次采用碱性混合液和纯水分别对所述一级处理片进行清洗，得二级处理片，其中，所述碱性混合液为包括强碱和乙醇的水溶液；依次采用氧化液和纯水分别对所述二级处理片进行清洗，烘干，得抛光硅片，其中所述氧化液为包括氢氟酸和双氧水的水溶液。本发明提供的清洗方法能有效去除抛光工序残留的微小颗粒，降低表面粗糙度，改善表面形态；还能去除表面残留的有机物及金属离子，有利于后续钝化工艺，能够提升光电转换效率。

公开(公告)号：CN112349584A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN202011157169.X

申请日：2020-10-26

申请人： 英利能源(中国)有限公司

发明人： 汤欢 ,  郭宝军 ,  王静 ,  赵学玲 ,  王平 ,  马红娜 ,  郎芳 ,  史金超 ,  李锋 ,  张伟 ,  王子谦 ,  翟金叶 ,  潘明翠 ,  王红芳 ,  徐卓 ,  王丙宽 ,  张文辉

IPC分类号： H01L21/308 ,  H01L21/306 ,  H01L31/18

摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种用于TOPCon电池的去绕镀方法及TOPCon电池的制备方法。所述去绕镀方法包括如下步骤：在磷掺杂后的硅片背面制作水膜，用氢氟酸溶液去除正面和侧面绕镀的磷掺杂层；将所得硅片放入含有添加剂的KOH溶液或NaOH溶液中浸泡，去除硅片正面的多晶硅，取出硅片水洗；将所得硅片置于KOH或NaOH与H2O2的混合溶液中浸泡，水洗后，置于盐酸溶液中浸泡，取出硅片水洗，浸泡处理均在对应的反应槽内完成，所述反应槽内部设有两组循环鼓泡系统。本发明提供的去绕镀方法能有效解决TOPCon电池的绕镀现象，保证产品的优良率，解决绕镀导致的外观问题，EL不合格问题，提高了电池转换效率。

公开(公告)号：CN108520909A

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：CN201810350244.0

申请日：2018-04-18

申请人： 英利能源(中国)有限公司

发明人： 郞芳 ,  王英超 ,  王红芳 ,  刘杰 ,  徐卓 ,  张伟 ,  王平 ,  张磊 ,  李锋 ,  史金超

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0216

摘要： 本发明适用于太阳能电池技术领域，提供了一种太阳能电池硅片的氧化钝化方法及终端设备，该方法包括：通过氧化钝化工艺在第一预设数量的太阳能电池硅片的表面进行氧化钝化处理；获取经氧化钝化处理后的所述第一预设数量的太阳能电池硅片的第一理论电压值；获取第二预设数量的太阳能电池硅片的第二理论电压值；根据所述第一理论电压值和所述第二理论电压值判断所述氧化钝化工艺是否合格；在所述氧化钝化工艺合格时，通过所述氧化钝化工艺在除所述第一预设数量的太阳能电池硅片和所述第二预设数量的太阳能电池硅片外的太阳能电池硅片的表面进行氧化钝化处理。本发明能够提高太阳能电池的良品率。

公开(公告)号：CN102963115A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201210496624.8

申请日：2012-11-29

申请人： 英利能源(中国)有限公司

发明人： 王平 ,  孙小娟 ,  张东升

IPC分类号： B41F15/36 ,  H01L31/0224

摘要： 本发明实施例公开了一种太阳能电池片及其印刷丝网，该丝网包括多个副栅线镂空图案，其中，丝网上相邻的两个副栅线镂空图案的边缘区域相互平行。采用本发明印刷丝网印刷电池片的栅线，一方面在印刷过程中节省了浆料，降低了电池片的成本，另一方面避免了实际印刷过程中，由于丝网张力减小，丝网与硅片之间的接触时间变长，浆料粘网的情况，从而引起的电池片上栅线边缘区域印刷粗细不均，印虚的情况，提高了栅线的印刷质量和电池片的转换效率，保证了电池片的美观。

公开(公告)号：CN116093205A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202310130113.2

申请日：2023-02-17

申请人： 英利能源发展有限公司 ,  英利能源(中国)有限公司

发明人： 马红娜 ,  史金超 ,  张文辉 ,  王平 ,  孟庆超 ,  王子谦 ,  赵学玲 ,  翟金叶 ,  郎芳 ,  潘明翠 ,  王红芳 ,  赵亮

IPC分类号： H01L31/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52 ,  C30B28/14 ,  C30B29/06 ,  H01L31/068

摘要： 本发明涉及太阳能电池制造技术领域，具体公开一种隧穿氧化钝化层的制备方法、TOPCOn电池及制备方法。所述方法包括如下步骤：S1、提供硅衬底，将所述硅衬底置于工艺腔室内；S2、向所述工艺腔室内通入第一氧化气体，通过PECVD在硅衬底表面制得隧穿氧化层；S3、向所述工艺腔室内通入硅烷，在所述隧穿氧化层上沉积非晶硅层，制得隧穿氧化钝化层；S4、向所述工艺腔室内依次通入第二氧化气体和含氟气体，降温，完成隧穿氧化钝化层的制备。本发明创造性地将石墨舟清洗步骤与镀膜工艺结合，通过严格控制气体流量，有效避免陶瓷管沉积多晶硅后石墨片正负极提前导通的情况发生，提高了石墨舟的使用稳定性，同时大大缩短了工艺流程时间。

公开(公告)号：CN115621139A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202211413561.5

申请日：2022-11-11

申请人： 英利能源发展有限公司 ,  英利能源(中国)有限公司

发明人： 翟金叶 ,  王红芳 ,  潘明翠 ,  郎芳 ,  赵学玲 ,  王平 ,  王子谦 ,  张文辉 ,  徐卓 ,  史金超 ,  于波

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L31/18

摘要： 本发明提供了一种晶硅太阳能电池制备过程中防绕扩的方法，属于光伏技术领域，包括以下步骤：S1、在硅片背面边缘位置喷涂粘附剂硅凝胶，并将任意两个硅片背相粘附；S2、对粘附后的硅片放入待处理工艺装置中进行工艺处理；S3、通过氟离子酸性溶液去除工艺处理后的硅片上的粘附剂硅凝胶。本发明提供的晶硅太阳能电池制备过程中防绕扩的方法，可防止绕扩(绕镀)产生，减少了因为去除绕扩(绕镀)的工艺步骤，减少了设备、材料和人工等，节约了成本；同时也减少了因为绕扩绕镀带来的硅片寿命降低、表面色差、漏电等问题，制备的电池效率文档，提高了成品率。

公开(公告)号：CN115377252B

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202211298705.7

申请日：2022-10-24

申请人： 英利能源发展(天津)有限公司(CN) ,  英利能源发展有限公司(CN) ,  英利能源(中国)有限公司(CN)

发明人： 郎芳 ,  张伟 ,  王子谦 ,  潘明翠 ,  王红芳 ,  翟金叶 ,  王平 ,  张文辉 ,  李青娟 ,  韩华华 ,  张磊 ,  陈志军 ,  赵鹏 ,  李锋 ,  史金超

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/054 ,  C23C16/24

摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种抑制PECVD法生长多晶硅表面爆膜的方法。所述方法包括以下步骤：将硅片进行微制绒工序，形成微制绒表面；采用PECVD法在所述微制绒表面上依次沉积隧穿氧化层和多晶硅层。采用本发明提供的方法能够在保证不降低TOPCon太阳能电池转化效率的前提下，还能避免采用PECVD法沉积多晶硅层发生爆膜的问题，方法简单，只是在常规抛光的过程中，添加微制绒工序，工艺步骤简单，无需增加新工艺和新设备，无其他成本增加，有利于工业化生产，对提高TOPCon太阳能电池的成品率具有重要意义。

公开(公告)号：CN112349584B

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202011157169.X

申请日：2020-10-26

申请人： 英利能源(中国)有限公司

发明人： 汤欢 ,  郭宝军 ,  王静 ,  赵学玲 ,  王平 ,  马红娜 ,  郎芳 ,  史金超 ,  李锋 ,  张伟 ,  王子谦 ,  翟金叶 ,  潘明翠 ,  王红芳 ,  徐卓 ,  王丙宽 ,  张文辉

IPC分类号： H01L21/308 ,  H01L21/306 ,  H01L31/18

摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种用于TOPCon电池的去绕镀方法及TOPCon电池的制备方法。所述去绕镀方法包括如下步骤：在磷掺杂后的硅片背面制作水膜，用氢氟酸溶液去除正面和侧面绕镀的磷掺杂层；将所得硅片放入含有添加剂的KOH溶液或NaOH溶液中浸泡，去除硅片正面的多晶硅，取出硅片水洗；将所得硅片置于KOH或NaOH与H2O2的混合溶液中浸泡，水洗后，置于盐酸溶液中浸泡，取出硅片水洗，浸泡处理均在对应的反应槽内完成，所述反应槽内部设有两组循环鼓泡系统。本发明提供的去绕镀方法能有效解决TOPCon电池的绕镀现象，保证产品的优良率，解决绕镀导致的外观问题，EL不合格问题，提高了电池转换效率。

公开(公告)号：CN108831824A

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201810672947.5

申请日：2018-06-26

申请人： 英利能源(中国)有限公司

发明人： 马红娜 ,  李锋 ,  史金超 ,  汤欢 ,  王平 ,  李拯宇 ,  李桐

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L31/18

摘要： 本发明适用于太阳能电池技术领域，提供了一种太阳能电池基底的清洗方法及太阳能电池的制备方法，太阳能电池基底的清洗方法包括：在基底背面经离子注入处理后，对所述基底的正面进行氧化处理，其中，所述基底的正面为所述基底背面的相对面；对氧化处理后的基底进行清洗处理。本发明能够将基底正面沉积的磷清洗干净。

公开(公告)号：CN105514180A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201510912511.5

申请日：2015-12-11

申请人： 英利能源(中国)有限公司

发明人： 张伟 ,  郞芳 ,  杨伟光 ,  王平 ,  王建明 ,  史金超

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/02363

摘要： 本发明公开了一种N型背结双面电池及其制备方法，涉及太阳能电池生产技术领域。双面电池包括硅片衬底，硅片衬底的正面自内向外依次为磷掺杂电池前场、氧化硅钝化层、氮化硅减反射层、正面银电极，硅片衬底的背面自内向外依次为硼掺杂电池发射极、氧化硅钝化层、氮化硅减反射层、背面银铝电极；其制备方法包括以下步骤：双面制绒；进行背面抛光；正面磷扩散制备电池前场；背面硼扩散制备发射极；正背面形成二氧化硅钝化层；正背面镀氮化硅减反射层；印刷正背面电极，正面银电极为采用银浆料印刷的栅线结构，背面银铝电极为采用银铝浆料印刷的栅线结构。该电池双面受光，具有较高的光电转化效率，电池的制备工艺简单，稳定性好，适于大规模生产。