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公开(公告)号：CN115207167B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202211125312.6
申请日：2022-09-16
Applicant: 英利能源发展有限公司 , 英利能源发展(天津)有限公司 , 英利能源(中国)有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/042 , H01L21/306 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种硅抛光面的清洗方法。所述清洗方法包括以下步骤：依次采用混合酸液和纯水分别对硅片进行清洗，得一级处理片，其中，所述混合酸液为包括磷酸、氟硼酸和硝酸的水溶液；依次采用碱性混合液和纯水分别对所述一级处理片进行清洗，得二级处理片，其中，所述碱性混合液为包括强碱和乙醇的水溶液；依次采用氧化液和纯水分别对所述二级处理片进行清洗，烘干，得抛光硅片，其中所述氧化液为包括氢氟酸和双氧水的水溶液。本发明提供的清洗方法能有效去除抛光工序残留的微小颗粒，降低表面粗糙度，改善表面形态；还能去除表面残留的有机物及金属离子，有利于后续钝化工艺，能够提升光电转换效率。
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公开(公告)号：CN113539871A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110714182.9
申请日：2021-06-25
Applicant: 英利能源(中国)有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明涉及一种链式PECVD镀膜工艺稳定性的检测方法，该检测方法包括如下步骤：采取相同镀膜工艺下不同时间点完成的镀膜硅片，烧结得半成品；分别对半成品进行PL和隐性开路电压测试，或PL和饱和电流密度测试，或PL和隐性开路电压、饱和电流密度测试；根据测试结果评估不同时间点所述链式PECVD镀膜工艺的稳定性；其中，不同时间点的镀膜硅片前端各工序工艺保持一致；不同时间点中至少一个时间点选自整个镀膜工艺周期的0‑3/5时间段内；各半成品进行PL、隐性开路电压、饱和电流密度测试的条件保持一致。该检测方法通过对半成品进行测试，能够方便、快捷、直观地体现链式PECVD镀膜工艺稳定性，节约生产成本。
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公开(公告)号：CN108470695B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201810218555.1
申请日：2018-03-16
Applicant: 英利能源(中国)有限公司
Abstract: 本发明适用于光伏技术领域，提供了一种制作黑硅太阳电池的方法，该方法包括：对第一次制绒后的黑硅样片进行反射率测试；筛选出反射率在预设反射率范围内的黑硅样片进行凹坑直径测试，所述凹坑直径为第一次制绒后产生的凹坑的直径；筛选出凹坑直径在预设凹坑直径范围内的黑硅样片进行表面钝化，在黑硅样片表面形成钝化层；对钝化后的黑硅样片进行钝化层膜厚测试；筛选出钝化层膜厚在预设钝化层膜厚范围内的黑硅样片制作成黑硅太阳电池。本发明通过测试制绒后的黑硅样片的反射率、制绒产生的凹坑直径，以及钝化层膜厚，检测制绒效果，减少低转换效率的黑硅太阳电池的产生，提高黑硅太阳电池良品率，降低黑硅太阳电池生产成本。
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公开(公告)号：CN110137304A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910361750.4
申请日：2019-04-30
Applicant: 英利能源(中国)有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0288 , H01L31/068
Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种掺杂硅片的制备方法和太阳电池。所述制备方法包括如下步骤：制备掺硼多晶硅锭或掺硼单晶硅棒，切片，得到硅片；在形成P-N结前，采用离子注入或热扩散方法向所述硅片中掺入掺杂元素；和/或在形成P-N结后，在印刷工序中，向所述硅片中掺入掺杂元素，所述掺杂元素包括镓或铟中的的至少一种。本发明提供的制备方法，在形成多晶硅锭或单晶硅棒后，再对硅片进行掺杂，提高多晶硅锭或单晶硅棒的有效利用率，并抑制硼氧复合体的形成，延长少数载流子寿命，提升电池效率及电池性能。
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公开(公告)号：CN107275423B
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201710419442.3
申请日：2017-06-06
Applicant: 英利能源(中国)有限公司
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0216 , H01L31/028 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种提升黑硅电池转换效率的处理方法。所述处理方法至少包括如下步骤：取制绒后黑硅原片放入混合酸溶液进行清洗，清洗过程要求槽中不伴随鼓泡；把洗后黑硅原片放入纯水中清洗，清洗过程要求清洗槽中伴随鼓泡；随后放入氢氟酸溶液中清洗；再放入纯水中清洗，清洗过程要求清洗槽中伴随鼓泡；最后在烘干槽中烘干即得到表面结构优化的黑硅片。本发明提供的处理方法，利用清洗工艺改变黑硅表面结构，提高反射率，提升电池效率，具有工艺流程简单、技术条件要求低且各个环节工艺时间短，降低生产成本，有效的提高了电池的转化效率，有利于大规模的工业生产的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108470695A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810218555.1
申请日：2018-03-16
Applicant: 英利能源(中国)有限公司
Abstract: 本发明适用于光伏技术领域，提供了一种制作黑硅太阳电池的方法，该方法包括：对第一次制绒后的黑硅样片进行反射率测试；筛选出反射率在预设反射率范围内的黑硅样片进行凹坑直径测试，所述凹坑直径为第一次制绒后产生的凹坑的直径；筛选出凹坑直径在预设凹坑直径范围内的黑硅样片进行表面钝化，在黑硅样片表面形成钝化层；对钝化后的黑硅样片进行钝化层膜厚测试；筛选出钝化层膜厚在预设钝化层膜厚范围内的黑硅样片制作成黑硅太阳电池。本发明通过测试制绒后的黑硅样片的反射率、制绒产生的凹坑直径，以及钝化层膜厚，检测制绒效果，减少低转换效率的黑硅太阳电池的产生，提高黑硅太阳电池良品率，降低黑硅太阳电池生产成本。
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公开(公告)号：CN102637776A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210122354.4
申请日：2012-04-24
Applicant: 英利能源(中国)有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0248
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明实施例公开了一种N型太阳能电池片及其制造方法，在扩散制结过程中，采用扩散工艺形成N型重掺杂背场，所述背场的表面掺杂浓度大于常规N型太阳能电池片的背场表面掺杂浓度；在印刷电极过程中，采用银铝浆制作所述电池片正面和背面的栅线。本发明实施例将制作栅线的银浆改为银铝浆，同时增加N型背场的掺杂浓度，避免了铝硅合金结对电池片本身性能的影响，利用铝的热膨胀系数介于银和硅之间，且更接近于硅的热膨胀系数，在烧结过程中，银铝浆中的铝颗粒一方面可与银颗粒进行混合，另一方面还可与硅形成铝硅合金，即铝颗粒会处于硅基底与银的间隙内，改善了应力特性，减小了电池片的串联电阻，提高了填充因子FF，增大了电池片的转换效率。
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公开(公告)号：CN102560686A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210060376.2
申请日：2012-03-08
Applicant: 英利能源(中国)有限公司
IPC: C30B33/10 , C23F1/24 , H01L21/02 , H01L21/306 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种硅片的湿法刻蚀方法包括：使用氢氟酸对扩散制结后得到的硅片的各个表面进行润洗；用去离子水对硅片的各个表面进行冲洗；将硅片进行表面干燥；使用氢氟酸、硝酸和硫酸的混合液对硅片的侧面和背面进行刻蚀。本发明还提供了一种太阳能电池的生产方法，依次包括硅片检测，表面制绒处理，扩散制结处理，上述技术方案所述的湿法刻蚀处理，镀减反射膜处理，制作正面电极及背面电极和烧结处理。本发明提供的硅片湿法刻蚀方法减少了对硅片正表面的腐蚀，对正表面起到保护作用，改善了硅片的正表面的外观，并且边缘绝缘较好。采用所述湿法刻蚀方法制备的太阳能电池反向电流不合格的百分比小于0.2％，漏电减少，合格率高。
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公开(公告)号：CN115621139A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211413561.5
申请日：2022-11-11
Applicant: 英利能源发展有限公司 , 英利能源(中国)有限公司
Abstract: 本发明提供了一种晶硅太阳能电池制备过程中防绕扩的方法，属于光伏技术领域，包括以下步骤：S1、在硅片背面边缘位置喷涂粘附剂硅凝胶，并将任意两个硅片背相粘附；S2、对粘附后的硅片放入待处理工艺装置中进行工艺处理；S3、通过氟离子酸性溶液去除工艺处理后的硅片上的粘附剂硅凝胶。本发明提供的晶硅太阳能电池制备过程中防绕扩的方法，可防止绕扩(绕镀)产生，减少了因为去除绕扩(绕镀)的工艺步骤，减少了设备、材料和人工等，节约了成本；同时也减少了因为绕扩绕镀带来的硅片寿命降低、表面色差、漏电等问题，制备的电池效率文档，提高了成品率。
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公开(公告)号：CN112349584B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202011157169.X
申请日：2020-10-26
Applicant: 英利能源(中国)有限公司
Inventor： 汤欢 , 郭宝军 , 王静 , 赵学玲 , 王平 , 马红娜 , 郎芳 , 史金超 , 李锋 , 张伟 , 王子谦 , 翟金叶 , 潘明翠 , 王红芳 , 徐卓 , 王丙宽 , 张文辉
IPC: H01L21/308 , H01L21/306 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种用于TOPCon电池的去绕镀方法及TOPCon电池的制备方法。所述去绕镀方法包括如下步骤：在磷掺杂后的硅片背面制作水膜，用氢氟酸溶液去除正面和侧面绕镀的磷掺杂层；将所得硅片放入含有添加剂的KOH溶液或NaOH溶液中浸泡，去除硅片正面的多晶硅，取出硅片水洗；将所得硅片置于KOH或NaOH与H2O2的混合溶液中浸泡，水洗后，置于盐酸溶液中浸泡，取出硅片水洗，浸泡处理均在对应的反应槽内完成，所述反应槽内部设有两组循环鼓泡系统。本发明提供的去绕镀方法能有效解决TOPCon电池的绕镀现象，保证产品的优良率，解决绕镀导致的外观问题，EL不合格问题，提高了电池转换效率。
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