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公开(公告)号：CN102268724A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201110213096.6
申请日：2011-07-28
Applicant: 英利能源(中国)有限公司
IPC: C30B11/00 , C30B28/06 , C30B29/06 , H01L31/028
Abstract: 本发明实施例公开了一种多晶硅锭及其制造方法、太阳能电池，该方法包括：在多晶硅锭生长炉内的容器底部放置或喷涂高纯材料，形成隔离保护层；在隔离保护层上铺设籽晶，形成籽晶层；将固态的硅原料装载到籽晶层的上方；对所述容器进行加热，熔化所述硅原料和部分所述籽晶层，以形成液体层，至少保持与隔离保护层接触的部分籽晶层为固态；控制多晶硅锭生长炉内的热场，对所述液体层进行结晶，以使固液界面向远离所述容器底部的方向移动，直至多晶硅锭生长完成。本发明铸造出的多晶硅锭包括大部分单晶硅区域，且隔离保护层的存在降低了多晶硅锭中的杂质含量，采用该多晶硅锭生产出的太阳能电池的光电转换效率提高了。
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公开(公告)号：CN110137304A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910361750.4
申请日：2019-04-30
Applicant: 英利能源(中国)有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0288 , H01L31/068
Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种掺杂硅片的制备方法和太阳电池。所述制备方法包括如下步骤：制备掺硼多晶硅锭或掺硼单晶硅棒，切片，得到硅片；在形成P-N结前，采用离子注入或热扩散方法向所述硅片中掺入掺杂元素；和/或在形成P-N结后，在印刷工序中，向所述硅片中掺入掺杂元素，所述掺杂元素包括镓或铟中的的至少一种。本发明提供的制备方法，在形成多晶硅锭或单晶硅棒后，再对硅片进行掺杂，提高多晶硅锭或单晶硅棒的有效利用率，并抑制硼氧复合体的形成，延长少数载流子寿命，提升电池效率及电池性能。
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公开(公告)号：CN108486651A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810691909.4
申请日：2018-06-28
Applicant: 英利能源(中国)有限公司
Abstract: 本发明适用于光伏电池技术领域，提供了多晶硅锭的制备方法及多晶硅锭，该方法包括：在坩埚底部铺设底层硅片，并在所述底层硅片的上表面铺设N层上层硅片，所述上层硅片覆盖所述底层硅片之间的缝隙；其中N为正整数；在上层硅片的上表面铺设晶粒；在铺设晶粒后的坩埚内放入多晶硅原料，并将所述坩埚放置于铸锭炉中，将所述铸锭炉抽真空；将所述铸锭炉的温度设定为第一预设温度值，使所述多晶硅原料全部熔化成硅液；控制所述铸锭炉的温度和散热窗口开度，使所述硅液在所述晶粒的基础上结晶，生长成多晶硅锭。本发明降低硅锭中的氧杂质含量。
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公开(公告)号：CN102268724B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201110213096.6
申请日：2011-07-28
Applicant: 英利能源(中国)有限公司
IPC: C30B11/00 , C30B28/06 , C30B29/06 , H01L31/028
Abstract: 本发明实施例公开了一种多晶硅锭及其制造方法、太阳能电池，该方法包括：在多晶硅锭生长炉内的容器底部放置或喷涂高纯材料，形成隔离保护层；在隔离保护层上铺设籽晶，形成籽晶层；将固态的硅原料装载到籽晶层的上方；对所述容器进行加热，熔化所述硅原料和部分所述籽晶层，以形成液体层，至少保持与隔离保护层接触的部分籽晶层为固态；控制多晶硅锭生长炉内的热场，对所述液体层进行结晶，以使固液界面向远离所述容器底部的方向移动，直至多晶硅锭生长完成。本发明铸造出的多晶硅锭包括大部分单晶硅区域，且隔离保护层的存在降低了多晶硅锭中的杂质含量，采用该多晶硅锭生产出的太阳能电池的光电转换效率提高了。
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公开(公告)号：CN103556215A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310574517.7
申请日：2013-11-15
Applicant: 英利能源(中国)有限公司
Abstract: 本发明提供了一种定向助凝块及具有其的铸锭炉。该定向助凝块包括助凝块本体(10)，助凝块本体(10)的中部厚度大于周边厚度。在多晶硅的生长前期和生长后期，助凝块本体的中心部位热传导速率和周边部位的热传导速率是一致的，从而降低了铸锭炉的横向温度梯度，获得了多晶硅平整的生长界面和稳定的生长速度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102943304A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201210524393.7
申请日：2012-12-07
Applicant: 英利能源(中国)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅锭及其制造方法，包括：将硅料直接装载到多晶铸锭炉的坩埚内；对所述坩埚进行加热，全部熔化所述硅料；对所述坩埚进行降温，使熔化的硅料从所述坩埚底部开始结晶；当多晶硅锭生长的高度为20mm~60mm时，包括端点值，控制所述多晶铸锭炉内部的热场，对已生长的多晶硅锭进行回熔，该回熔过程保持所述坩埚底部的部分多晶硅锭为固态；对所述坩埚进行降温，直至多晶硅锭生长完成。本发明实施例通过对生长初期的多晶硅锭进行回熔，减少了多晶硅锭的位错缺陷，增强了生长过程中的杂质分凝作用，提高了多晶硅锭产品的质量，采用上述方法制造的多晶硅锭的位错密度数量级在105以下。
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公开(公告)号：CN207483903U
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201721467668.2
申请日：2017-11-06
Applicant: 英利能源(中国)有限公司
Abstract: 本实用新型适用于设备报警技术领域，尤其涉及一种多晶铸锭炉报警系统。包括：一级报警单元、二级报警单元和供电电源，所述一级报警单元包括第一线圈、第一继电器和第一报警器，所述二级报警单元包括第二线圈、第二继电器和第二报警器，所述第二线圈设置于多晶铸锭炉内距离水冷夹层焊缝预设距离处，所述第一线圈设置在所述第二线圈的下部。采用上述方案后，能通过不同的报警方式来提示工作人员硅液泄露的程度，可以提前预警泄漏即将导致水冷夹层被破坏，提醒工作人员处理报警事故并及时撤离，减少了人员的伤亡。
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公开(公告)号：CN203791088U
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201320852773.3
申请日：2013-12-23
Applicant: 英利能源(中国)有限公司
IPC: B05B9/04
Abstract: 本实用新型公开了一种气枪喷嘴，涉及空气动力技术领域。本实用新型包括一个带有螺纹接口的喷嘴本体，所述喷嘴本体的中心设有沿其轴线贯通的主喷气孔，喷嘴本体前端设有端部开口的腔体，所述主喷气孔与所述腔体连通，所述喷嘴本体的侧壁上还设有与所述腔体连通的至少一个旁路气孔。本实用新型能够增加出气量，提高压缩空气的利用率，减少压缩空气的用量，降低能源消耗。
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