公开(公告)号：CN116724397A

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN202180089048.2

申请日：2021-12-06

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 菊地登茂平 ,  松原弘招 ,  大角嘉藏 ,  山口萌 ,  梅野辽平

IPC: H01L25/07

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，具有半导体控制元件、第一驱动元件、第二驱动元件、第一绝缘元件和第二绝缘元件。在俯视时，所述第一驱动元件和所述第二驱动元件以所述半导体控制元件为基准配置在彼此相反侧。所述第一绝缘元件配置在所述半导体控制元件与所述第一驱动元件之间，并且对从所述半导体控制元件向所述第一驱动元件发送的信号进行中继，并且将所述半导体控制元件和所述第一驱动元件相互绝缘。所述第二绝缘元件配置在所述半导体控制元件与所述第二驱动元件之间，并且对从所述半导体控制元件向所述第二驱动元件发送的信号进行中继，并且将所述半导体控制元件和所述第二驱动元件相互绝缘。

公开(公告)号：CN116670830A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202180086728.9

申请日：2021-12-03

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 梅野辽平 ,  西冈太郎 ,  松原弘招 ,  大角嘉藏 ,  菊地登茂平 ,  山口萌

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/49

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其包括：半导体元件；搭载所述半导体元件的基岛引线；与所述半导体元件导通的端子引线；与所述半导体元件和所述端子引线连接的导线；和覆盖所述半导体元件、所述基岛引线、所述端子引线和所述导线各自的至少一部分的密封树脂。所述端子引线包括：具有朝向所述端子引线的厚度方向的主面的基材；和位于所述主面与所述导线之间的金属层。与所述金属层相比，所述基材的与所述密封树脂的接合强度较高。所述主面包含与所述基岛引线相对的相对边。所述主面包含第一部分，该第一部分包含所述相对边的至少一部分且从所述金属层露出。

公开(公告)号：CN101834167A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN201010162179.2

申请日：2006-06-01

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 糟谷泰正 ,  芳我基治 ,  松原弘招

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/12 ,  H01L23/495 ,  H01L23/498 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/09 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0913 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83464 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明的半导体装置，包含半导体芯片和芯片接合部(该芯片接合部具有通过焊锡粘接剂与半导体芯片的背面接合的接合面)。所述接合面的面积，小于所述半导体芯片的背面的面积。所述半导体装置最好包含多个延伸部，这些延伸部分别从所述接合面的周边，向着与所述接合面平行的方向延伸。即使为了将半导体芯片的背面与岛及片凸垫等芯片接合部的接合面接合而使用焊锡粘接剂时，也能够防止半导体芯片受到损伤。

公开(公告)号：CN101164162B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200680013260.6

申请日：2006-06-01

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 糟谷泰正 ,  芳我基治 ,  松原弘招

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L24/32 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83143 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明的半导体装置，包含半导体芯片和芯片接合部(该芯片接合部具有通过焊锡粘接剂与半导体芯片的背面接合的接合面)。所述接合面的面积，小于所述半导体芯片的背面的面积。所述半导体装置最好包含多个延伸部，这些延伸部分别从所述接合面的周边，向着与所述接合面平行的方向延伸。即使为了将半导体芯片的背面与岛及片凸垫等芯片接合部的接合面接合而使用焊锡粘接剂时，也能够防止半导体芯片受到损伤。

公开(公告)号：CN117083713A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202280024458.3

申请日：2022-02-28

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 大角嘉藏 ,  松原弘招 ,  菊地登茂平 ,  西冈太郎

IPC: H01L25/04 ,  H01L25/16 ,  H01L23/488

Abstract: 半导体器件具有：包含裸片焊盘的多个导电部件；分别位于所述裸片焊盘之上的第一半导体元件和第二半导体元件；绝缘元件，其与所述第一半导体元件和所述第二半导体元件电连接，且使所述第一半导体元件和所述第二半导体元件彼此绝缘；和绝缘基板，其介于所述裸片焊盘与所述绝缘元件之间，且接合于所述裸片焊盘。所述绝缘元件接合于所述绝缘基板。

公开(公告)号：CN116783700A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202180085383.5

申请日：2021-11-22

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 松原弘招 ,  西冈太郎 ,  大角嘉藏 ,  菊地登茂平 ,  山口萌 ,  梅野辽平

IPC: H01L23/29

Abstract: 半导体器件包括第一半导体元件、第二半导体元件、电位相互不同的第一电路和第二电路。所述第二半导体元件与所述第一半导体元件导通，并对所述第一电路和所述第二电路之间的相互信号进行中継且将所述第一电路和第二电路相互绝缘。另外，该半导体器件具有：与所述第一半导体元件导通的第一端子引线；与所述第一半导体元件和所述第二半导体元件连接的第一导线；与所述第一半导体元件和所述第一端子引线连接的第二导线。所述第一导线含有第一金属。所述第二导线包含含有第二金属的第一芯材部和含有第三金属且覆盖所述第一芯材部的第一表层部。所述第二金属的原子序数比所述第一金属的原子序数小。所述第三金属与所述第一端子引线的接合强度比所述第二金属与所述第一端子引线的接合强度高。

公开(公告)号：CN101243546A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200680030503.7

申请日：2006-08-18

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 芳我基治 ,  糟谷泰正 ,  松原弘招

IPC: H01L21/52

CPC classification number: H01L24/29 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/0134 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明提供一种能够充分提高半导体芯片与基板之间的接合强度，且可确实防止由于热冲击或温度循环等造成断裂的发生的半导体装置。半导体装置具备半导体芯片、和具有该半导体芯片经由金属层接合的接合区域的基板。金属层具有Au－Sn－Ni合金层、和重叠于Au－Sn－Ni合金层的焊料层。Au－Sn－Ni合金层和焊料层的界面形成有凹凸。

公开(公告)号：CN118525371A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202280083050.3

申请日：2022-12-05

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 梅野辽平 ,  松原弘招

IPC: H01L23/50 ,  H01L25/00 ,  H01L25/04 ,  H01L25/18

Abstract: 电子装置包括：电子部件；覆盖所述电子部件的密封树脂；第一端子部，其从所述密封树脂向与所述密封树脂的厚度方向正交的第一方向的一侧突出；第二端子部，其从所述密封树脂向所述第一方向的一侧突出；和多个第三端子部，其分别从所述密封树脂向所述第一方向的另一侧突出。所述第一端子部和所述第二端子部在与所述厚度方向和所述第一方向正交的第二方向上隔开第一间隔地相邻。所述多个第三端子部在所述第二方向上隔开第二间隔地排列。所述第一间隔大于所述第二间隔。所述第一端子部包含分别在所述第一方向上位于与所述密封树脂相反侧的端部的多个第一安装部。

公开(公告)号：CN118402064A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202280082898.4

申请日：2022-12-05

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 梅野辽平 ,  松原弘招

IPC: H01L23/50 ,  H01L25/00

Abstract: 电子装置包括：电子部件；覆盖所述电子部件的密封树脂；分别从所述密封树脂向第一方向的一侧突出的第一端子部和第二端子部；和分别从所述密封树脂向所述第一方向的另一侧突出的多个第三端子部。所述第一端子部和所述第二端子部在第二方向上隔开第一间隔地相邻。所述多个第三端子部在所述第二方向上隔开第二间隔地排列。所述第一间隔大于所述第二间隔。所述第一端子部的第一安装部具有沿着所述第二方向的第一尺寸，所述第二端子部的第二安装部具有沿着所述第二方向的第二尺寸，各第三端子部的第三安装部具有沿着所述第二方向的第三尺寸。所述第一尺寸和所述第二尺寸分别比所述第三尺寸大。

公开(公告)号：CN118318296A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202280078251.4

申请日：2022-11-21

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 松原弘招 ,  西冈太郎 ,  大角嘉藏

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/28 ,  H01L23/31 ,  H01L23/50 ,  H01L25/00 ,  H01L25/04 ,  H01L25/18

Abstract: 一种半导体装置，其包括：第一半导体元件；第二半导体元件；绝缘元件，其与所述第一半导体元件和所述第二半导体元件电连接，并且使所述第一半导体元件和所述第二半导体元件相互绝缘；和密封树脂，其覆盖所述第一半导体元件、所述第二半导体元件和所述绝缘元件。所述密封树脂包括：覆盖所述第一半导体元件、所述第二半导体元件和所述绝缘元件的第一部；和构成所述密封树脂的最外表面的第二部。所述第二部与所述第一部相比更难以产生漏电起痕现象。