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公开(公告)号：CN109075086B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN201780024218.2
申请日：2017-04-14
Applicant: 罗姆股份有限公司
Inventor： 大塚拓一
IPC: H01L21/60 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/12 , H01L29/417 , H01L29/739 , H01L29/78
Abstract: 半导体装置具备半导体芯片(12)、和以覆盖半导体芯片(12)上的源极焊盘电极(14)的方式形成的银烧成盖(22)。半导体芯片(12)配置于第一基板电极(10B)上，通过超声波在银烧成盖(22)上接合铜线(18)的一端。本发明提供一种能够使功率循环耐受容量提高的半导体装置、功率模块及其制造方法。
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公开(公告)号：CN102648515A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201080044013.9
申请日：2010-09-30
Applicant: 阿肯色州电力电子国际有限公司 , 罗姆股份有限公司
IPC: H01L21/44
CPC classification number: H01L21/84 , H01L21/0485 , H01L21/6715 , H01L24/24 , H01L29/66068 , H01L2224/24998 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/1461 , H01L2924/00
Abstract: 提供半导体器件以及制造半导体器件的方法，该半导体器件包括：布置在衬底上的源极迹线、漏极迹线和栅极迹线；布置在漏极迹线上并包括源极焊盘和栅极焊盘的晶体管；布置在衬底上的漏极迹线和源极迹线之间以及漏极迹线和栅极迹线之间以便覆盖晶体管的侧壁表面的绝缘膜；布置在源极迹线和漏极迹线之间的绝缘膜上并连接晶体管的源极焊盘和源极迹线的源极喷射电极；以及布置在栅极迹线和漏极迹线之间的绝缘膜上并连接晶体管的栅极焊盘和栅极迹线的栅极喷射电极。
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公开(公告)号：CN116529876A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202180078609.9
申请日：2021-10-27
Applicant: 罗姆股份有限公司
Inventor： 大塚拓一
IPC: H01L23/48
Abstract: 半导体装置具备第一半导体元件、第一连接部件以及第一部件。上述第一半导体元件具有在厚度方向上相互朝向相反的一侧的第一元件主面及第一元件背面。另外，上述第一半导体元件具有配置于上述第一元件主面的第一电极。上述第一连接部件与上述第一电极导通。上述第一部件在上述厚度方向观察时与上述第一电极重叠，维氏硬度比上述第一连接部件的维氏硬度小，而且具有导电性。
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公开(公告)号：CN116529869A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202180080590.1
申请日：2021-11-12
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: H01L23/12
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备：基板，其具有主面；第一配线层，其配置于所述主面；第二配线层，其配置于所述主面且远离所述第一配线层；第一半导体元件，其具有彼此位于相反侧的第一主面电极和第一背面电极，并且所述第一背面电极与所述第一配线层接合；第二半导体元件，其具有彼此位于相反侧的第二主面电极和第二背面电极，并且所述第二背面电极与所述第二配线层接合；以及导电部件，其远离所述基板且与所述第一主面电极和所述第二主面电极接合。所述第一主面电极和所述第二主面电极的极性彼此不同。所述基板包含位于所述第一配线层和所述第二配线层之间的露出部，在该基板的厚度方向上观察，所述导电部件与所述露出部重叠。
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公开(公告)号：CN113874991A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202080037873.3
申请日：2020-05-18
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 一种半导体装置，具备：具有主面的导电部、搭载于前述主面的半导体元件、以及存在于前述导电部与前述半导体元件之间、使前述导电部与前述半导体元件导通接合的导电性接合材。前述导电性接合材包含金属基层、第1接合层和第2接合层。前述第1接合层存在于前述金属基层与前述半导体元件之间，通过金属的固相扩散与前述半导体元件接合。前述第2接合层存在于前述金属基层与前述导电部之间，通过金属的固相扩散与前述导电部接合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110622301A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201880031217.5
申请日：2018-05-10
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: H01L23/14
Abstract: 一种功率半导体装置(1)，具备平板状的第1厚铜层(14)、配置于第1厚铜层(14)上的绝缘片层(16)、配置于绝缘片层(16)上且形成了图案的第2厚铜层(18A)、配置于第2厚铜层(18A)上的导电性的接合层(20)、以及配置于接合层(20)上的半导体功率器件(22)，半导体功率器件(22)与接合层(20)接合，同时，第2厚铜层(18A)的维氏硬度比第1厚铜层(14)的维氏硬度小，为50以下。提供一种功率半导体装置，能够不增加热阻而提高接合的可靠性。
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公开(公告)号：CN113169144B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN201980076107.5
申请日：2019-11-14
Applicant: 罗姆股份有限公司
Inventor： 大塚拓一
IPC: H01L23/36
Abstract: 半导体装置(A10)具备导电基板(20)及半导体元件(40)。导电基板(20)具有朝向厚度方向(z)的一侧的主面(20A)、及朝向与主面(20A)相反的侧的背面(20B)。半导体元件(40)电接合于主面(20A)。导电基板(20)包括第一基层(211)、第二基层(212)以及金属层(22)。第一基层(211)及第二基层(212)分别由层叠石墨烯而成的石墨构成。金属层(22)介于第一基层(211)与第二基层(212)之间。第一基层(211)中的上述石墨烯沿相对于厚度方向(z)呈直角的第一层叠方向层叠。第二基层(212)中的上述石墨烯沿相对于厚度方向(z)呈直角且相对于上述第一层叠方向交叉的第二层叠方向层叠。
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公开(公告)号：CN110622301B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201880031217.5
申请日：2018-05-10
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: H01L23/14
Abstract: 一种功率半导体装置(1)，具备平板状的第1厚铜层(14)、配置于第1厚铜层(14)上的绝缘片层(16)、配置于绝缘片层(16)上且形成了图案的第2厚铜层(18A)、配置于第2厚铜层(18A)上的导电性的接合层(20)、以及配置于接合层(20)上的半导体功率器件(22)，半导体功率器件(22)与接合层(20)接合，同时，第2厚铜层(18A)的维氏硬度比第1厚铜层(14)的维氏硬度小，为50以下。提供一种功率半导体装置，能够不增加热阻而提高接合的可靠性。
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公开(公告)号：CN102820338B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201210278267.8
申请日：2009-02-06
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/739 , H01L29/10
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/7395
Abstract: 本发明提供一种能提高耐压性、简化制造工序的半导体装置。本发明的半导体装置具备：层叠在含有SiC的n+型基板(11)，含有SiC的n型外延层(1)；在外延层(1)的表面层相互隔离地配置的n+型源极区域(5)；被源极区域(5)夹持的p型阱接触区域(2)；与源极区域(5)及p型阱接触区域(2)的基板(11)侧表面相接地配置的p型阱区域(3)；配置为夹持源极区域(5)及p型阱区域(3)的p型阱扩展区域(4)。在从外延层(1)的表面向基板(11)的深度方向，p型阱区域(3)的杂质浓度的浓度峰值位置比p型阱扩展区域(4)的杂质浓度的浓度峰值位置深。
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